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TIAの事業・活動
2020かけはし_#16
テーマ名
異種基板上に形成された高品質3C-SiC結晶のウエハー化に関する調査研究
2019年度「SiC基板上への低転位3C-SiC結晶の形成に関する調査研究」より継続
ポスター
成果報告ポスター(第5回かけはし成果報告会2021.7.14)
担当者名・所属
佐沢 洋幸・国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター
連絡先
Mail:h.sazawa[at]aist.go.jp ※メールアドレスは、[at]を@に置き換えてください
Tel:029-861-8217
- 2021年7月2日
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