TIAの事業・活動

2020かけはし_#16

テーマ名

異種基板上に形成された高品質3C-SiC結晶のウエハー化に関する調査研究

2019年度「SiC基板上への低転位3C-SiC結晶の形成に関する調査研究」より継続

ポスター

課題概要(第4回かけはし成果報告会2020.7.29)

担当者名・所属

佐沢 洋幸・国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター

連絡先

Mail:h.sazawa[at]aist.go.jp ※メールアドレスは、[at]を@に置き換えてください

Tel:029-861-8217