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装置一覧
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機関【東京大学】 装置一覧（66件）
| 施設名 | 装置名称／手法 | 仕様 | 用途 |
|---|---|---|---|
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 高速大面積電子線描画装置 | 型式番号：ADVANTEST F5112＋VD01 長方形矩形の大きさを任意に変更してショットすることのできる高速電子線描画装置。 カケラ基板から8インチ丸基板までの任意形状に対応 |
リソグラフィ・露光・描画装置 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | マスク・ウエーハ自動現像装置群 | 型式番号：EVG101（枝番1）、SAMCO FA-1(枝番３） フォトマスク（5009）作製を行うための自動処理装置ですが、EVG101は5”マスクの現像のほか、TMAHを用いたに3～8”ウエーハ現像可 |
リソグラフィ・露光・描画装置 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 光リソグラフィ装置PEM800 | 型式番号：UNION PEM800 光によるリソグラフィを行う装置。 いわゆる両面4”マスクアライナーと呼ばれる装置です。 マスクは5009、4009、2509サイズを取り付け可能です。 |
リソグラフィ・露光・描画装置 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 4インチ高真空EB蒸着装置 | 型式番号：NSPII 東大拠点で独自設計・自作した蒸着装置で、いわゆる抵抗加熱蒸着と電子線（EB）加熱蒸着との両方がが可能です。 主な材料はAu,Cr,Alです。 |
成膜・膜堆積 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 汎用ICPエッチング装置 | 型式番号：ULVAC CE-300I 誘導性結合プラズマ（ICP）エッチング装置で、こちらは汎用装置です。 4”丸型ウエーハの入る装置です。 利用可能ガスは、アルゴン、SF6、CF4、CHF3、O2です。 主に酸化膜のエッチングや、イオンミリングによる金属のエッチングに利用しています。。 |
膜加工・エッチング |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 形状・膜厚・電気特性評価装置群 | 枝番1：Keyence顕微鏡,型式VHX-6000 顕微鏡観察を行う装置です。 枝番2：DektakXT-S, 触針段差計です。 枝番3：Tohospec3100 枝番4：Suss8”プローバ, 針を当てて電気的特性を測定する装置です。8インチ対応。 枝番5：分光エリプソメータ―M-550 枝番6：レーザー顕微鏡OLS5000 ? |
形状・形態観察、分析 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | クリーンドラフト潤沢超純水付 | 化学作業を行うためのいわゆる「ドラフトチャンバー」を用意しています。 クリーンルーム1にはアルカリ2台、酸1台、有機1台、 クリーンルーム2にはアルカリ2台、酸2台、有機1台あり、利用できます。 全てに潤沢な超純水を取れる口があり、一度使うと湯水のごとく超純水が使えることに誰もが驚きます。 窒素ガンも用意してあり、洗ったサンプルを窒素ブローで乾かすこともできます。 |
膜加工・エッチング |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | ステルスダイサー | 型式番号：DFL7340（ステルスダイサー・Si用）。 当拠点のステルスダイサーはシリコン専用ですが、日本発の新技術「ステルスダイシング技術」を利用したダイサーです。 （通常のブレードダイサー：DAD340も公開しています）。 レーザー光線をシリコンウエーハの内部に集光することで、意図的に「割れやすい線」を埋め込むことができます。 この線を設計図に従って何本も埋め込み、最後に軽くストレスを与えることで、ウエーハを設計図通りにへき開することができる夢のダイシング装置です。 |
切削、研磨、接合 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 精密研磨装置 | 型式番号：Logitec4”化学研磨装置 アルミナの粉によって、対象物を精密に研磨する装置です。 4”丸型ウエーハまで研磨可能。 |
切削、研磨、接合 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 川崎ブランチスパッタリング装置 | 型式番号：CFS-4EP-LL芝浦メカトロニクス（株） ターゲット材をアルゴンプラズマによってスパッタリングし、基板に製膜するスパッタリング装置です。 ターゲット材は日々変動するので都度相談ください。 φ200以下のシリコン、ガラス専用。 |
成膜・膜堆積 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 川崎ブランチECRスパッタリング装置 | 型式番号：EIS-230W（株）エリオニクス ターゲット材をアルゴンプラズマによってスパッタリングし、基板に製膜するスパッタリング装置です。 109と比較して高周波の高密度プラズマを用いているところが違いです。 ターゲット材は日々変動するので都度相談ください。 φ100以下の基板用 |
成膜・膜堆積 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 川崎ブランチ化合物用エッチング装置 | 型式番号100-ICP-180 Oxford Instruments 誘導結合プラズマ（ICP）によるエッチング装置です。 化合物半導体基板（GaAs,InP,GaN等）を得意とします。 4”丸型ウエーハ導入可能。 導入ガス種：Ar,O2,H2,CH4,N2,Cl2,SF6,He |
膜加工・エッチング |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 超高速大面積電子線描画装置 | ADVANTEST F7000S-VD02 カケラから8インチ丸基板までの任意形状に対応 （厚みに制限あり。ご相談ください） 可変整形ビーム（VSBモード）による、高速描画が可能 内蔵ステンシル（CPモード）による、階段近似の無い滑らかな曲線等の高速描画が可能 データはGDS-IIストリームフォーマットから変換 |
リソグラフィ・露光・描画装置 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 光リソグラフィ装置MA-6 | Suss MA6（両面6”まで） 精密な位置合わせ（表裏1ミクロン精度）が可能で、欠片から6インチまでの露光が可能なマスクアライナーです。普段は混合で利用していますが必要であればi線フィルターをかけることができます。 |
リソグラフィ・露光・描画装置 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 8インチ汎用スパッタ装置 | ULVAC SIH-450装置。 4インチウエーハ8枚、8インチウエーハ2枚導入可能。 6インチターゲット2枚、4インチターゲット1枚が可能。RFとDCスパッタリングが可能。 Al,SiO2,TiN,Taターゲットがあります。その他のターゲット導入も相談に乗ります（在庫がない場合注文から導入まで数ヶ月かかることもありますので相談はお早めに。） |
成膜・膜堆積 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 高速シリコン深掘りエッチング装置 | SPTS MUC-21 ASE-Pegasus 高密度プラズマにより（ICPパワー3kWまで。1800W常用）、低ダメージ、高速にてエッチングが可能です。（例：当方のEBレジストを用い、scalloping100nm程度で100μm開口トレンチ20分エッチングで135μm） 4”装置 100nmクラス開口特殊レシピ有。また、SF6による「ドライリリース」や、C4F8による酸化膜エッチングなど、組み合わせで便利に使えるレシピも利用できます。 |
膜加工・エッチング |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 塩素系ICPエッチング装置 | ULVAC CE-S オペレーションの容易さで評判のCE-300Iの後継機 8”装置（任意サンプル貼り付けエッチング可能） Cl2, BCl3, SF6, CHF3, Ar, O2によるエッチングが可能ですが、主に使い分けとしてCl系のエッチングを行っています。 |
膜加工・エッチング |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 機械特性評価装置 | Polytec MSA-500 振動解析装置 MEMS機構の振動解析を行う装置です。XY方向はストロボスコープ（1MHz）、Z方向はレーザードップラー振動計（1.5MHz）またはレーザ変位計（24MHz）にて測定可能です。 測定した結果をアニメーションにして表示できるので解析に最適です。 |
機械計測 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 高密度汎用スパッタリング装置 | 芝浦 CFS-4ES 汎用高密度 ターゲット超豊富です サンプルサイズ: 8inch ターゲットサイズ: 3inch ターゲット種類 : Ag, Al, Au, Cr, Cu, Ni, Ta, Ti, Pd ※, Pt, Zn, Al-Nd, AuGeNi, AuZnNi, TbFeCo, TiO2, Al2O3, GaN, SiO2, Si3N4, ITO, IZO, ZAO, ZnO |
成膜・膜堆積 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 汎用高品位ICPエッチング装置 | ULVAC NE-550 CE-300Iの上位機種（ULVACのフラッグシップモデル）です。 大津・八井研究室の協力により利用可能になりました。 4”装置 塩素・フッ素系汎用? Cl2, BCL3, Ar, O2, CF4,CHF3, SF6, C3F8 |
膜加工・エッチング |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 気相フッ酸エッチング装置 | IDONUS 8インチ装置 Vapor HF専用 気相フッ化水素（HF水溶液を蒸発）によって、選択的にシリコン酸化膜をエッチングし、可動構造体をリリースするための装置です。 独自構造によって、フッ酸に直接触れることなく、安全に利用することができます。 静電チャックによって、任意形状の基板をチャック下エッチングのほか、4，6，8インチの丸ウエーハは機械的クランプを行えます。 |
膜加工・エッチング |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | マニュアルウエッジボンダ― | WestBond 7476D アルミ線（または金） 超音波接合 ウエッジ針によって、超音波で配線を刷り込むように接合できる、 「何にでもよくつく」ボンダーです。普段は25μmφのアルミ線を常用しています。 Zeissの三眼顕微鏡（高精細CCDカメラ付き）により、デバイスの写真や簡単な動画を取得することもできます。 |
切削、研磨、接合 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | エポキシダイボンダ― | WestBond 7200C 精密マニュピレータ 銀ペースト接着 実体顕微鏡で斜めから観察しながら、エポキシや銀ペーストでチップを配置することができます。 実体は精密マニュピレータですので、その他治具の工夫によって、金バンプの頭を平坦化して揃えたり（コイニング）することも可能です。 |
切削、研磨、接合 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | セミオートボールボンダー | WestBond 4700E 金のボールボンダー 超音波接合 金バンプや、金線によるボールボンディングが可能な装置です。 ディスプレイまたは実体顕微鏡でみながら指定した位置に自動でボールを置いてくれます。 ウェッジボンダ―と比較すると、対象を選びますが、ひとたび条件が出るとこちらの方が安定です。 120μmピッチのLSIチップへのボンディングや、75μmφ金バンプなどで実績があります。 特注の52ピンガラスエポキシピッチ変換基板（金メッキ付）もお分けできます。 |
切削、研磨、接合 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 精密フリップチップボンダー | Finetech Lambda ハーフミラーで両方を見ながら位置合わせができる 、このクラスでは「世界最強」のマニュアルフリップチップボンダーです。 手動（マイクロメータによる位置合わせ）精度±0.5μm、角度合わせはアナログ式1ミリラジアン。 チップサイズ15mmまで（治具作成可能） ランプ加熱による400度熱接合 （超音波オプション購入すれば可能） |
切削、研磨、接合 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 電子線顕微鏡観察用コーター | PECS スパッタによりカーボン膜など観察用の薄膜を堆積できます |
成膜・膜堆積 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | イナートガスオーブン | INH-9CD 窒素ガスを導入して、窒素雰囲気でプログラムした通りにベークできる電気炉。 600℃まで昇温可能。残留ガス濃度20ppm (カタログスペック) |
合成、熱処理、ドーピング |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 集積回路パターン微細加工（FIB）装置 | FEI V400ACE LSI配線を効率的に修正するための装置です。DCG P2Xを置き換えました。 ガスを利用した金属配線カット、絶縁膜堆積、金属配線堆積が可能。 大規模集積回路（VLSI）の配線修正を最も得意とする装置です。 それ以外の利用は東大拠点では微細構造解析で公開しているXvision 200TBの利用がお勧めです。（案内します） |
膜加工・エッチング |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 超高真空蒸着装置(ベルジャー) | 自作。抵抗加熱のみ。φ4inchまで可能 | 成膜・膜堆積 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 金メッキ装置 | 山本鍍金試験器製。欠片～4”までの金電解メッキ | 成膜・膜堆積 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 銅メッキ装置 | 山本鍍金試験器製。欠片～4”までの金電解メッキ | 成膜・膜堆積 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 汎用平行平板RIE装置 | SAMCO RIE-10NR装置。8”装置。SF6, CHF3, CF4, Ar, O2によるエッチングが可能。ヘリウム背圧冷却が不要 | 膜加工・エッチング |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 高速ランプアニール装置 | MS-HP2-9 φ3inchまで（条件によってφ4inchまで可能）。大気および窒素雰囲気。昇温速度200℃/minまで、到達温度1000℃まで可能。 |
合成、熱処理、ドーピング |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | サンドブラスト | クリーンルーム対応装置。アルミナ粉末によってブラスト加工ができます | 表面処理 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 超臨界銅成膜装置 | 自作2㎝角まで。東京大学霜垣・百瀬研究室との協力による。 | 成膜・膜堆積 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | NCプリント基板加工装置 | LPKF Protomat S62装置。機械加工によって切削可能なすべての材料の加工が可能。 | その他 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 半導体パラメータアナライザー | B1500A | 電気計測 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | ブレードダイサー | 二軸スピンドルダイサー この「二軸機」によれば、四角く切り出したチップ端部を斜めに切りおとすこと(ベベルカット)が可能になり、塗布したレジストの平坦性が担保される効果が期待でき、チッププロセスの収率向上に大きなプラスとなります。 |
切削、研磨、接合 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 簡易電子顕微鏡 | 日立卓上顕微鏡 TM-3030Plus | 形状・形態観察、分析 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | レーザー直接描画装置 | Heidelberg DWL66+ 波長406nm 小片アライメントオプション、両面アライメント機能付き。 1024階調の「グレイスケールリソグラフィー」により,フォトレジストの立体形状段差をある程度自由に作れます。 また、GenISys社の変換ソフトウェア「BEAMER」を使うと、形状を得るために、近接効果の影響を計算して露光補正をしてくれます。 |
リソグラフィ・露光・描画装置 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | パリレンコーター | 米国SCS社製 PDS2010 8インチまでの成膜が可能。 | 成膜・膜堆積 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | ニッケルめっき装置 | 山本鍍金試験器製。欠片～4”までのニッケル電解メッキ | 成膜・膜堆積 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | LL式高密度汎用スパッタリング装置 | 芝浦 CFS-4EP-LL i-Miller 真空引きが速く、通常10分程度でスパッタリング開始が可能。 また、膜質の安定も期待できる。ターゲットはCFS-4ESと共通。 デフォルトはPt/Au/Cr/Tiを装着。それ以外のターゲットは支援員の技術補助で交換を行う。 |
成膜・膜堆積 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | オージェ分光分析装置 | ULVAC PHI680 元素分析装置。 対象の極表面から出て来るオージェ電子のエネルギー分光計測によって元素を調べることが出来る。 アルゴンミリングと併用でき、深さ方向のプロファイルを測定することができる。 |
形状・形態観察、分析 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 高精細電子顕微鏡 | HITACHI Regulus 8230 | 形状・形態観察、分析 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 枚葉式ZEP520自動現像装置 | アクテス京三 ADE-3000S | リソグラフィ・露光・描画装置 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 精密二次元NC加工装置 | Micro MC-1 | その他 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 高出力NCレーザーカッター | HGCF0606 | 膜加工・エッチング |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 汎用NLDエッチング装置 | NLD-5700Si ガラスの深掘りが可能なニュートラルループディスチャージ（NLD）エッチング装置。当面は技術補助のみ。 | 膜加工・エッチング |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | スプレーコーター | ACTIVE ACT-300AⅡS スプレーコーター | リソグラフィ・露光・描画装置 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 12インチプローバー | Cascade Elite300 シールドチャンバー付き | 電気計測 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | UVオゾンクリーナー | SAMCO UV-1 レジスト等のアッシング処理が可能 | 表面処理 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | Elite300 附属電気特性測定装置 | B1500A,N6705B,81160A,3498-A,DSO-Xを含むラック | 電気計測 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 金属二次元NC加工装置 | KitMill RD420 | その他 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 樹脂三次元NC加工装置 | Roland MDX-40A | その他 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 電子顕微鏡 | JSM-6610LV Oxford X-max50 + Energy 250 元素分析装置付き（工学部2号館電子顕微鏡室） | 形状・形態観察・分析 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | エキシマ手動レーザーカッター | 浜松ホトニクス L7270MH。266nmのレーザー光により指定した点の薄膜（ポリイミド等）を除去できる。 | 膜加工・エッチング |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | プラズマ表面改質装置 | SAMCO AQ-50 特にポリマーの接合前の表面処理、超臨界流体製膜前処理、親水化処理が可能。 | 表面処理 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 小型原子間力顕微鏡 | SPA400+SPI4000 プローブステーション（工学部2号館電子顕微鏡室） | 形状・形態観察・分析 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 8元電子線蒸着装置 | 8つの電子線蒸着元を有しており、異なる金属の多層膜の形成も可能。 | 成膜・膜堆積 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 精密フリップチップボンダー | ハーフミラーで両方を見ながら位置合わせができる。 手動（マイクロメータによる位置合わせ）精度±0.5μm チップサイズ15mmまで（治具作成可能） ランプ加熱による400度熱接合（４００Nまで）、超音波接合（１００Nまで）、及び窒素雰囲気での接合が可能。 |
切削、研磨、接合 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | UVレーザープリント基板加工装置 | LPKF ProtoLaser U4装 | 膜加工・エッチング |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | クロスセッションポリッシャー | アルゴンプラズマにより断面出しが容易になる。位置合わせ顕微鏡あり。電子顕微鏡撮影用サンプル作製に最適。 | 膜加工・エッチング |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 金属三次元NC加工装置 | 三次元カットオプション付き。機械加工により金属を含む材料の加工が可能。治具作製に最適。 | 膜加工・エッチング |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 樹脂３Dプリンタ | 熱抽出による三次元構造作製が可能。治具作製に最適。 | その他 |
| 武田先端知スーパークリーンルーム | 60W CO2 NC レーザーカッター | アクリル板など有機材料の精密カットが可能。テーブルサイズ609×457mm | 膜加工・エッチング |