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機関【産業技術総合研究所】 装置一覧（302件）
| 施設名 | 装置名称／手法 | 仕様 | 用途 |
|---|---|---|---|
| AIチップ設計拠点（AIDC） | 設計環境システム | 【2023/04/01利用公開開始】半導体チップを設計するための設計環境で、クラウド上に構成されています。利用者は遠隔アクセスにより本拠点の機能が利用可能です。半導体設計に特化したシステムを利用して、アナログ・デジタル系の幅広い半導体チップ設計が可能です。大規模論理エミュレータによる設計検証もご利用いただけます。また、設計頂いたAIアクセラレータを、AIDCが整備したSoC評価プラットフォームに搭載すれば、半導体設計の経験が少ない方々にも短TATで比較的容易にAI半導体チップが設計できます。 ・総スレッド数：約1200 ・総メモリ容量：約32TB ・総ストレージ容量：約2000TB ・論理エミュレータ規模：2304MGate |
半導体チップ設計 |
| 身体動作解析産業プラットフォーム（MAP） | 脳機能測定装置（光脳機能イメージング装置、NIRS） | 測定方式：近赤外光の生体内散乱・吸収・反射の計測 オキシ/デオキシ/トータルのヘモグロビン変化指数測定 計測部位 ：前額、側頭、頭頂 送受光数 ：8組 測定Ch数 ：22ch その他 ：バッテリー駆動、モバイル計測 |
身体機能・製品評価、医療・ヘルスケア情報、リハビリテーション、スポーツ |
| 身体動作解析産業プラットフォーム（MAP） | 体組成計（BIA装置） | 測定方式：生体インピーダンス 8電極6周波数 結果項目：身長、体重、体水分量、 細胞内水分量、細胞外水分量、 筋肉量、タンパク質量、ミネラル量、 体脂肪率、等 |
異なる周波数の微弱電流を流し、体組織（例：脂肪、筋肉、骨など）による抵抗の違いや位相のずれから、体組成を推定するための装置です。測定原理は家庭用の体組成計と同じですが、より多くの電極と周波数を使うことにより、多項目の推定が可能です。この方法で測定した筋肉量は、サルコペニア（筋肉が減ってしまう病気）の診断基準の一つとなっています。 |
| 身体動作解析産業プラットフォーム（MAP） | 医療用トレッドミル | 走行面長さ：1320mm 走行面幅 ：530mm 耐荷重 ：135kgf 速度範囲 ：0.3～12km/h 傾斜範囲 ：0～25% 表示機能 ：距離、経過時間、速度 |
一定の条件で運動負荷を加えるための装置です。疲労による歩行状態の変化を計測できます。ジョギング程度までの速度や25％の急勾配まで対応できます。 |
| 身体動作解析産業プラットフォーム（MAP） | モバイル心電計 | 記録方式 ：双極1チャンネル 周波数特性 ：0.67～40Hz 分解能 ：12bit サンプリング：160Hz 通信機能 ：Bluetooth／iPhone転送 |
胸に貼り付けて心電波形を測定するための装置です。配線がないため活動中でも測定可能です。測定結果は電波でスマートフォンに送られ、波形を表示したり、記録することができます。 |
| 身体動作解析産業プラットフォーム（MAP） | 下肢筋力測定器 | 測定項目：下肢筋力 表示項目：下肢筋力体重比 下肢筋力年齢 |
歩行に関係する筋力の指標として、下肢筋力のうち膝を伸ばす力を測定する装置です。足首をベルトで固定し、測定パッドの上に膝を置き、足を伸ばした際にパッドに加わる力を数値化します。 |
| 身体動作解析産業プラットフォーム（MAP） | 血圧脈波測定装置 | 測定方式：オシロメトリック法 測定項目：血圧値 脈拍数上腕-足首間脈波伝播速度（baPWV） 足関節上腕血圧比（ABI) 上腕最高血圧左右差 拍動変化 容積脈波波形（PVR) |
両手両足で脈波を測定し、血管内で脈波が伝わる速度から動脈硬化度を推定するための装置です。動脈は加齢に伴い硬くなりますが、高血圧やコレステロール値など生活習慣にも影響され、実年齢と血管年齢の差となります。 |
| 身体動作解析産業プラットフォーム（MAP） | AGEs（最終糖化産業物）測定器 | 測定方法：真皮部自家蛍光測定 測定対象：ヒト前腕部 結果項目：AGEs指標、年齢指標 |
体内でタンパク質の糖化反応によって作られる物質で老化に関与するとされている、終末糖化産物に関する指標を測定する装置です。既知のデータとの比較により年齢指標も示すことができます。光による測定であり、腕を乗せるだけの非侵襲測定です。 |
| 身体動作解析産業プラットフォーム（MAP） | 歩行計測システム 一式 | ・モーションキャプチャシステム（メーカー：MotionAnalysis社、型式：Kestrel4200） 画素数 ：420万画素 解像度 ：2,048×2,048pixel 最大撮影速度 ：200fps ＠最大解像度（解像度に依存） レンズ焦点距離：12～36mm（可変） ・床反力計（メーカー：AMTI社、型式：BP400600-2000） 測定エリア：幅400×長さ2400mm 計測軸 ：6軸（xyz＋回転3軸） 測定範囲 ：Fx、Fy:±4450N、Fz:0～8900N 固有振動数：Fx、Fy:370Hz、Fz:400Hz ・床反力測定階段（メーカー：AMTI社、型式：FP-STAIRS） 測定項目 ：踏面反力 階段幅 ：605mm 踏面 ：264mm 蹴上げ ：178mm 測定段数 ：4段 耐荷重 ：150kgf ・モーションレコーダ（メーカー：MicroStone社、型式：MVP-RF8-HC-2000） 計測軸 ：6軸（xyz＋回転3軸） 検出加速度範囲：±20／±60（切替） 検出角速度範囲：±2000deg/s 応答周波数 ：0～50Hz 分解能 ：10bit サンプリング ：1～100ms（可変） 通信機能 ：Bluetooth |
モーションキャプチャシステムは、測定対象に取り付けた多数の反射マーカの位置を複数のカメラで連続的に測定する装置です。測定対象物は何でもかまいません。歩行の測定では床からの力を測定するために床反力系と組み合わせます。MAPでは平地と階段のそれぞれに対応する床反力測定装置を備えています。またモーションレコーダは、加速度センサにより動きを測定するための装置です。多数のカメラを必要とし、測定が実験室内に限られるモーションキャプチャシステムと比べて、簡便に測定できる点がメリットです。その反面、同時に使用できるセンサの数が限られる、マーカと比べて重い、位置測定での誤差といったデメリットがあり、モーションキャプチャとうまく使い分ける必要があります。 |
| 先端ナノ計測施設（ANCF） | 表面プローブ顕微鏡1 | 原子間力顕微鏡、走査型トンネル顕微鏡 ・型式: JEOL JSPM5400 、E-SWEEP他 ・設置室名: 2-1D棟125室 ・測定機能: AM-AFM、FM-AFM、コンタクトモード、STM、KPFM、EFM ・測定環境: 大気中、液中、真空中(10-5 [Torr])、超高真空(10-10 [Torr]、使用機能に制限あり) ・温度範囲: 室温～ 300 ℃(ヒータのみ、制御なし) ・試料サイズ: 最大300 mmウエハー（測定手法によっては寸法（1mm角等）や厚さの制限有） ・液中リアルタイム測定可能（毎秒10フレーム） 原理（ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修） 原子間力顕微鏡(AFM) http://www.tsc-web.jp/map/pdf/AFM.pdf 走査型トンネル顕微鏡(STM) http://www.tsc-web.jp/map/pdf/STM.pdf |
原子間力顕微鏡、走査型トンネル顕微鏡による表面観察 |
| 先端ナノ計測施設（ANCF） | ピコ秒可視・近赤外過渡吸収分光装置 | 200 fsの時間分解能、240 ～ 11000 nmの観測波長領域、<0.001の吸収測定精度を有する、過渡吸収分光装置です。 固体中キャリア寿命、界面電荷分離反応の速度・収率、励起子拡散長を評価します。 ●測定モード:透過・正反射・拡散反射型ポンプ‐プローブ法 ●励起光:100 ~ 150 fsパルス、波長240 ～ 2400 nm ●測定雰囲気:室温大気中(特殊環境は要相談) |
過渡吸収分光装置固体中キャリア寿命、界面電荷分離反応の速度・収率、励起子拡散長の測定 |
| 先端ナノ計測施設（ANCF） | ナノ秒可視・近赤外蛍光寿命計測装置 | 液体、溶液、結晶、フィルムなどの蛍光スペクトルと蛍光寿命を測定する装置。 励起光源にレーザーダイオードを用いており、非常に簡便に計測ができる。 寿命測定は時間相関単一光子計数法を用いており、弱い励起条件での計測が可能である。 温度は常温のみ。 ●時間分解能:約500 ps ●励起波長:405 nm ●測定波長範囲:420 nm～1400 nm |
蛍光スペクトル及び蛍光寿命の測定 |
| 先端ナノ計測施設（ANCF） | 固体NMR装置(200MHz) | 200MHz、固体、4.7T、広幅測定、固体高分解能測定、二次元測定、緩和時間測定、温度-120～200 ℃ 原理（ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修） 固体核磁気共鳴法(SS-NMR) http://www.tsc-web.jp/map/pdf/SOLID-STATE_NMR.pdf |
固体核磁気共鳴 |
| 先端ナノ計測施設（ANCF） | 表面プローブ顕微鏡2と前処理装置 | SIIナノテクノロジ S-ImageおよびE-SWEEP ●設置室名: 2-1D棟124室 ●測定機能: AM-AFM、コンタクトモード、STM、KFM、Conductive-AFM ●制御装置: 1台のNanonaviをS-ImageおよびE-SWEEPで切り替えて利用 ●測定環境: 大気中、恒湿度雰囲気(20～70%)、液中、真空中(10E-5[Torr]) ●温度範囲(E-SWEEP): -100 ℃ ～ 300 ℃(ヒータのみ、制御なし) ●試料サイズ: 最大15 mm角程度 前処理装置等 ●標準試料: 探針評価、スケール、段差等 ●研磨機、プラズマクリーナ、白色干渉計、反射分光膜厚計、化学ドラフト 原理（ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修） 原子間力顕微鏡(AFM) http://www.tsc-web.jp/map/pdf/AFM.pdf 走査型トンネル顕微鏡(STM) http://www.tsc-web.jp/map/pdf/STM.pdf |
原子間力顕微鏡、走査型トンネル顕微鏡による表面観察 |
| 先端ナノ計測施設（ANCF） | ピコ秒可視蛍光寿命計測装置 | この装置は、40 psの時間分解能、時間レンジ1 ～ 100 ns、400 ～ 900 nmの観測波長領域を有する、時間分解蛍光スペクトル測定装置です。 固体中励起子寿命、励起子拡散長、色素分子蛍光寿命を評価できます。 ●形式: C4334-01 ●励起光:150 fsパルス、波長240 ～ 800 nm ●測定雰囲気: 室温大気中(特殊環境は要相談) |
時間分解蛍光スペクトル測定固体中励起子寿命、励起子拡散長、色素分子蛍光寿命の測定 |
| 先端ナノ計測施設（ANCF） | 超伝導蛍光X線検出器付走査型電子顕微鏡 | 高感度、高分解能の超伝導検出器を搭載した、蛍光X線検出器付走査型電子顕微鏡 電子線で試料上を走査する際に放出される蛍光X線を測定することにより、主に軽元素の分布状態を評価できる。 ①蛍光X線エネルギー範囲：100 eV-2 keV ②エネルギー分解能：～7 eV@400 eV X-ray③計数率：～1 Mcps④走査型電子顕微鏡：HITACHI S-4500⑤加速電圧範囲:200 V-30 kV⑥電子ビームサイズ（最適値）：1.5 nm at 15 kV, 4.0 nm at 1 kV⑦ 最大サンプルサイズ：20 mmΦ⑧機械式ヘリウム3 冷凍機を用いて簡単に冷却でき、長時間の測定可能 ≪特徴≫ １．超伝導エネルギー分散分光検出器を搭載した走査型電子顕微鏡 ２．100 ppm以下の微量元素を検出可能 ３．特定元素については化学状態分析も可能 ４．WDSのエネルギー分解能でSDD並の検出効率を実現、省エネ半導体中のドーバントや 酸化物、磁性体中に含まれる各元素の次元的なナノメータースケールの分布状況を高い スループットで評価 （競合：米Star Cryoelectronics) |
軽元素の分布状態 |
| 先端ナノ計測施設（ANCF） | 固体NMR装置(600MHz) | 600MHz、固体、14.1T、広幅測定、固体高分解能測定、二次元測定、緩和時間測定、拡散係数測定、測定可能温度 -120～200 ℃ 原理（ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修） 固体核磁気共鳴法(SS-NMR) http://www.tsc-web.jp/map/pdf/SOLID-STATE_NMR.pdf |
固体核磁気共鳴 |
| 先端ナノ計測施設（ANCF） | 陽電子欠陥測定装置（陽電子プローブマイクロアナライザー[PPMA]） | 電子加速器で発生した低エネルギー高強度陽電子ビームを短パルス化し試料に入射して、陽電子の寿命スペクトルなどを測定することによって、試料(特に薄膜や表面近傍)の原子～ナノレベルの欠陥・空孔を評価する装置。 原子～ナノメートルサイズの原子空孔や空隙の評価が可能。 ●パルスレート: 26 ns以上可変 ●パルス幅:200 ps以下 ●入射エネルギー0.5 keV～30 keV可変 ●ビーム径10 μm～12 mm |
陽電子の寿命スペクトルなどを測定することによって、試料(特に薄膜や表面近傍)の原子～ナノレベルの欠陥・空孔を評価する |
| 先端ナノ計測施設（ANCF） | ナノ秒可視・近赤外過渡吸収分光装置 | 液体、溶液、結晶、フィルムなどの過渡吸収スペクトルと減衰挙動を測定する装置。 励起光源にYAGレーザーの第2 ~ 3高調波を用いており、様々な測定対象に対応可能である。 従来装置と比べて測定感度が高いことが特徴であり、吸光度変化として0.001程度の計測が可能である。 ●時間分解能: 1 ns程度 ●励起波長: 355、532 nm ●測定波長範囲: 400 nm～1600 nm ●測定雰囲気：-80°C ～ 室温 ～ +100°C |
液体、溶液、結晶、フィルムなどの過渡吸収スペクトルと減衰挙動の測定 |
| 先端ナノ計測施設（ANCF） | 固体NMR装置(20MHz) | 20MHz、固体、0.47T、プロトン測定、緩和時間測定、磁場勾配法による拡散係数測定、温度-120～200℃ 原理（ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修） 固体核磁気共鳴法(SS-NMR) http://www.tsc-web.jp/map/pdf/SOLID-STATE_NMR.pdf |
固体核磁気共鳴 |
| 先端ナノ計測施設（ANCF） | 極端紫外光光電子分光装置(EUPS) | 産総研自主開発:レーザー生成プラズマを用いて生成したパルスEUV光を試料を照射した際に放出される光電子のエネルギーを計測することにより、試料最表面(0.5 nm程度)の電子状態を分析する装置。 絶縁物、導体表面からの光電子のエネルギースペクトルのシフトから、試料表面の汚染状態を評価する、世界で唯一の表面分析装置。 ・ナノ秒可視・近赤外蛍光寿命計測装置 ●EUV光子エネルギー:255.17eV ●EUV光子スペクトル幅～0.1eV ●EUVパルス幅:3nsec ●試料上ビーム径:50～100μm ●絶縁薄膜、有機薄膜を帯電させること無く測定可能 測定可能な物理量 ●バンド曲がり ●二次電子スペクトルで真空準位 ●ナノ粒子表面の汚染度 ●電子雲の傾斜角(π、σ電子識別)原理、測定例をEUPSのHP (http://staff.aist.go.jp/t-tomie/EUPS)で紹介 |
|
| 先端ナノ計測施設（ANCF） | 超伝導蛍光収量X線吸収微細構造分析装置(SC-XAFS) | 産総研自主開発：エネルギー分散超伝導検出器を搭載し、母材中の微量軽元素や重い元素のL、M線のＸ線吸収微細構造測定により、特定の微量元素の原子スケール構造解析を行う。 米ALSに同様の装置があるのみ。 省エネ半導体ドーパント、酸化物、磁性体などの原子配位や電子状態を評価。 ・蛍光X線エネルギー分解能: 10 eV ・エネルギー範囲:100 eV ? 15 keV (1 keV以下は超伝導、以上は半導体) ・光子計数率: 1 Mcps ・液体ヘリウムを使用せず自動冷却(0.3 K) 原理（ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修） X線吸収微細構造法(XAFS) http://www.tsc-web.jp/map/pdf/XAFS.pdf |
X線吸収微細構造法(XAFS)、X線吸収分光法(XAS) |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | i線ステッパ | 本装置は、レチクル上に描画されたパターンを超高圧水銀灯で照明し、縮小投影レンズを通してウェハ上に結像させ、焼き付けます。また、ウェハステージをステップ・アンド・リピートさせながら露光するので、ウェハ全面への露光が可能になります。 ・形式：NSR-2205i12D ・露光光源：i線（波長365nm) ・解像度：350nm L&S ・開口数N.A：最大0.63、0.63～0.5で可変 ・縮小倍率：1/5倍 ・1ショットの露光範囲：22mm角 又は 17.96(横)×25.2(縦)mm、 但し、φ31.11mm以内 ・露光マスク：6インチレチクル ・アライメント精度：55nm以下 ・露光可能なウェハサイズ：3インチ、4インチ、6インチ ・標準的な露光時間（ウェハ、レチクルのセットから露光終了まで）：10分程度/ウェハ 但し、上記はアライメントがオートでなされ、エラーが発生しない場合。 |
i線を用いてウェハー上に微細なパターンを形成する |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | CMP-1号機 | スラリーを滴下しながら研摩パッドでウェハ表面を研磨することでウェハ表面を平坦化する装置。ウェハ着脱はマニュアル操作。研摩条件はコンピュータ制御。研摩レシピ登録可能。3 inchウェハの場合、別装置でウェハ表裏両面の後洗浄が可能。 ・型式：Presi Mecapol E312 ・装置形態：研摩テーブル x 1 + ウェハ保持用アーム x 1 ・研摩テーブル回転数制御可能。 ・ウェハ回転方向・回転数制御可能。 ・ウェハ保持アーム：揺動可能。 ・ウェハ圧制御可能。 ・N2ガスによるウェハ背面圧制御可能。 ・スラリー自動滴下装置有。滴下速度制御可能。 ・基板サイズ：Φ3 inch および4 inch ウェハ ・通常、中性のコロイダルシリカスラリーを使用。平均粒径100 nm ・主に研摩している材料：SiO2 ・SiO2の研摩速度: 20-30 nm/min |
ウェハー上に形成された凹凸を平坦化するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | 段差計 | 型名：P-16 | ウェハー上に形成したパターンの段差を測定するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | NbNジョセフソン素子作製装置 | 交流高電圧によりN2(またはAr)プラズマを発生させて成膜材料へ衝突させることにより、基板へNbN(またはNb)の超伝導薄膜をスパッタします。 TiN(またはTi)の常伝導膜との組み合わせでSNS型のジョセフソン接合を作製できます。 PCにより自動で逐次多層成膜することができます。 真空システムと基板搬送は手動操作です。 ・型式:EVP-30751 ・装置形態:スパッタチャンバー x 1 + ロードロック室 ・スパッタ源:6 inchRFマグネトロン x 3式 ・スパッタ電源:RF電源 最大出力600 W ・基板サイズ:Φ3 inchウェハ、Φ2 inchウェハ ・基板加熱機構:故障中(修理予定なし) ・基板冷却機構:なし ・イオンビームで基板クリーニング可能。 ・ターゲット-基板間距離:40 ～ 80 mm (ユーザー変更不可) ・到達真空度:1.4 x 10-4 Pa以下 ・使用ガス:Ar、N2 ・PCによる自動成膜(Webによる遠隔モニタ機能有) ・成膜可能材料:NbN、Nb、Ti、TiN、Al (Alは暫定のため予告なく変更の可能性あり) ・成膜時間:NbN 76 nm/min 例)SNSジョセフソン接合の積層膜に2時間 |
ウェハー上にNb,Ti,Alとその窒化膜をスパッタ成膜するために使用する |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | ウェハー洗浄装置 | 本装置は、希フッ酸によるSiの自然酸化膜のエッチングとオゾン水によるSi酸化プロセスの繰り返しにより、Siウェハー表面・裏面を同時に洗浄する、スピンタイプのウェハー洗浄装置です。回転保持機構部にフィンタイプチャックを採用、通常のウエハーのほか、反りのある薄物ウエハーに対しても安定した回転能力を保持。更にハンギング方式でのハンドリングにより高い安定性を実現しています。またロボットアーム、ウェハーキャリアー設置部の段取り替えにより複数のウェハーサイズに対応しています。洗浄中のウエハー裏面への処理液の回り込みが極めて少なく、裏面へのリンス処理も可能です。 ・対応可能ウェハーサイズ:3,4inch(排他使用)。 ・洗浄能力:洗浄後の4inchのSiウェハー上の0.1μmの粒子の数が<10個 ・使用溶液:DHF(0.5-20wt%)、オゾン水(20ppm)。 ・超純水ノズル種類:2流体ノズル、メガソニック。 ・乾燥:窒素ブロー。 |
ウェハ表面を洗浄し清浄表面を得るために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | 有機洗浄装置A | 本装置は、洗浄処理部のウェハステージに人手でウェハをセットすることで、薬液（レジスト剥離液）にて自動的にウェハの表面洗浄処理を行う枚葉式のスピン洗浄装置です。主な用途として反応性イオンエッチング（RIE）後のレジスト剥離、洗浄に用います。下記の各機能をプログラム（レシピ）で設定して、設定レシピに応じた自動洗浄を行うことができます。 ・型式：TWPS-03M ・ウェハ保持：ウェハ裏面のバキュームチャック ・レジスト剥離液：NMP、ノズル吐出又は高圧ジェット吐出 ・薬液温度：通常80℃に設定 ・乾燥：スピン乾燥（3000rpm）＋N2ブロー ・バックブロー：N2ブローによりウェハ裏面への洗浄液の回り込み防止機能有り。 ・洗浄可能なウェハサイズ：3インチのみ、変換ホルダの使用厳禁。 ・洗浄時間：レシピ設定に依存、標準的には15分～30分程度/ウェハ |
ウェハー上のレジストを有機溶液を用いて洗浄する為に使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | マニュアルプローバ | 本装置は、ウェハステージに人手でウェハをセットし、マイクロポジショナー（ニードル）をマニュアルで測定箇所に合わせて測定するマニュアルプローバです。試作途中又は試作後のウェハの2端子、4端子測定が可能です。 ・型式：705B-A ・ウェハ保持：ウェハ裏面のバキュームチャック ・プロービング：マイクロポジショナー、ニードル数：4 ・測定器：デジタルマルチメータ（Keithley 197) ・測定結果はデジタルマルチメータの表示のみ。 ・測定可能なウェハサイズ：3インチ、4インチ、数mm角のチップでも可 ・測定時間：プロービング数に依存 |
ウェハー上の各種膜からなるパターンの抵抗を測定するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | RTA | 型式：AS-One100 ・最大加熱温度：1500度 ・最大昇温率：200度/sec ・最大冷却率：100度/sec ・複数のガス（Ar,O2,N2）フロー可能 ・最大真空度：10-6 Torr ・処理可能なウェハーサイズ：6インチ （ただ、ウェハー面内の温度ムラがある） ・200度程度の高精度低温アニール用サセプター有り |
急速加熱により高速アニールを行い、ウェハー上の膜の改質を行うために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | オートプローバ | 本装置は、ウェハステージに人手でウェハをセットすることで、自動的にプロービング測定を行うセミオートプローバです。試作途中又は試作後のウェハの2端子、4端子測定が可能です。測定レンジの設定もプログラムで自動的に変更して測定します。 ・型式：PCP-102SL ・ウェハ保持：ウェハ裏面のバキュームチャック ・アライメント：オート（画像認識）又はマニュアルでも可 ・プロービング：マイクロポジショナー、ニードル数：4 ・測定箇所は、全てプログラム内に座標指定する。 ・座標データが記入されたExcelデータを読込むことも可 ・測定結果はPCに自動取込み、Excelデータに変換可能 ・測定器：デジタルマルチメータ（Agilent 34410A)又はエレクトロメータ(Advantest R8252) ・測定可能なウェハサイズ：3インチ、但し装置設定を変更すれば8インチまで対応可 ・測定時間：プロービングサイト数によるが、例えば1ウェハ３０００箇所程度の２端子測定は20分程度（100箇所以上/分）。 |
ウェハー上の各種膜からなるパターンの抵抗を測定するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | マルチターゲット(六源)スパッタ装置 | ・最大基板サイズ:4inchウェハ。 ・成膜チャンバーとサンプル搬入用ロードロックの2チャンバー構成。 ・スパッタ方式:DC、RF可能。 ・成膜時の圧力コントロール精度:0.2mTorr以下。 ・成膜可能材料:Nb,Al,SiO2,Ti,W,Au。 ・基板洗浄用逆スパッタ可能。 ・基板洗浄時のバイアス電圧モニタリング可能。 ・分子状酸素による酸化プロセス実行可能。 ・レシピによる全自動成膜が可能。 ・ジョセフソン接合、超伝導転移端検出器、超伝導量子細線検出器作製用の各種材料の成膜に使用している。 ・レシピにより各種材料を用いた多層膜の成膜可能。 |
ウェハー上に各種超伝導・金属膜及びSiO2膜をスパッタ成膜するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | ダイシング装置 | 型式：ディスコ DAD320 目的：ウエハー切断 方式：極薄回転砥石 材料：シリコンウエハー ウエハサイズ：6”φ以下(厚さ0.8mm以下) 典型的プロセス時間：約20分(3”φシリコンウエハー1枚) 特徴：ウエハーはステージ上に真空吸着で固定 |
ウェハーを小片にカットして分けるために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | 反応性イオンエッチング装置Samco-III | この装置は反応性ガス(CF4,SF6,O2)を高周波電界中で活性化し、これにより生じたラジカル●イオンをエッチャントとして利用して材料表面を削るものです。基板に高周波電圧を印加する方式により、加速されたイオンが基板に対して垂直方向に入射してエッチングを進めるのでパターンの微細化に有効です。 ・型式:RIE-10NR ・最大基板サイズ:Φ8inchウェハ ・放電方式:容量結合方式(CCP) ・高周波電界:周波数13.56MHz(水晶発振制御)、最大300W ・電界制御:インピーダンスオートマッチング ・反応ガス:CF4,SF6,O2 ・パージガス:N2 ・基板冷却:水冷 ・エッチング可能材料:Nb,Ta,W,NbN等 |
反応性イオンエッチングにより、ウェハー上に成膜されたSiO2若しくはNb等の超伝導膜にレジストパターンを転写するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | セミオートデベロッパー | 本装置は露光後のレジスト現像を行うセミオートデベロッパーです。本装置は、 従来型のスプレー現像・エッチング処理方式ではパターン倒壊を招くような 極微細かつアスペクト比の高いレジストパターンの現像・エッチングに対応 しています。窒素ガスを使用した2流体ノズルスプレーを備えています。 ・現像液:TMAH2.38%(NMD-W, MF319,MF450等可能) ・乾燥:窒素ブロー ・対応ウェハーサイズ:3,4inch(排他使用) ・現像可能レジスト:PFI-68,26, ZPN1150, NPR9700。 |
露光後のレジストの現像処理を行う。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | TEOS-CVD装置 | PD-270STL-AI 液体ソースTEOS を原料としてSiO2 膜を基板上に形成するプラズマCVD 装置。低温（80度）での成膜も可能。内部応力を膜組成を換えることで、制御可能。屈折率を各種元素をドープする事により変更可能。高アスペクト比（50）構造への成膜も可能。 ・成膜可能な基板サイズ：8インチ ・ウェハー間膜厚均一性：±3%以下 ・基板加熱温度：60～200度 ・RF周波数：13.56MHz ・RF出力：1kW ・ガス導入系：マスフローコントローラー 4系統 ・ガス供給方式：恒温槽による気化ガス直接流量制御方式 ・成膜可能膜厚：10μm以上 ・成膜速度：最大100nm/min以上 ・膜応力：-300-200 MPa ・手動/自動運転モード切替可能 ・登録可能レシピ数：100。 |
ウェハー上に液体ソースを用いたCVDによりSiO2膜を形成するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | イオンミリング装置 | 加速したArイオンを試料に照射して表面をエッチングする装置。純粋に物理的なエッチングなので、貴金属や酸化物などを含めてすべての物質がエッチング可能。その反面、エッチング速度の選択比は通常高くはなく、またエッチング物質再付着の問題もある。イオンソースの直径が大きく有効エッチング面積が広いため、3 inchウェハなら2枚同時エッチングが可能。 ・型式：TDY-1800 ・装置形態：エッチング室 x 1 (ロードロックなし) ・イオンソース：Ion Tech社製16cm RFイオンソース。RFニュートラライザ付き。最大ビーム電流：700 mA。ビーム加速電圧：50-2000 eV。 ・基板保持機構：3 inchウェハは専用ホルダ有。他はツメ型治具で押えて保持。最大基板サイズ：Φ6 inch。基板角度調整可能 (0-90°)。基板回転可能。基板水冷用チラー （温度可変）付き。 ・ターボ分子ポンプで排気。到達真空度：5 x 10-6 Pa以下 ・使用ガス：Ar ・主にエッチングしている材料：Nb, Al, SiO2 ・Alのエッチングレート: 20 nm/min |
Arイオンミリングにより、ウェハー上にレジストパターンを転写するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | Nb-Alジョセフソン接合作製装置[In-situ分析器&オゾン酸化器付] | 直流高電圧によりArプラズマを発生させて成膜材料へ衝突させることにより、基板へ均質緻密な膜をスパッタします。ロードロック室付きなので基板交換を効率よく迅速に行えます。2種類の材料を逐次多層成膜することができます(全自動)。真空システムと基板搬送を含め全自動動作が可能です。 ・型式:M93-0012 ・装置形態:スパッタチャンバー x 2 + 酸化室+ロードロック室 ・スパッタ源:6inchDCマグネトロン x 2式(各スパッタ室に1つ) ・スパッタ電源:DC電源 最大出力1.5kW(各スパッタ源と排他的に接続) ・電力コントロール:アーキング防止機能付き ・RF電源:最大出力500W ・最大基板サイズ:Φ4inchウェハ ・基板保持機構:水冷 ・1つの成膜チャンバー内で逆スパッタ可能。 ・ターゲット-基板間距離:50～200mm ・膜厚分布:±5%以内@100～200nm, Nb成膜時@Φ2inch内 ・到達真空度:5 x 10-6 Pa以下 ・成膜時Ar圧力:0.113～2Pa, コントロール精度:0.013Pa以下 ・使用ガス:Ar, O2,O3 ・レシピによる全自動成膜可能。（外部PC制御可能） ・成膜可能材料:Nb,Al ・各チャンバーに分圧真空計付き。 ・O3を使った表面酸化が可能。 |
ウェハー上に超伝導Nb,Al.Al酸化膜からなる多層膜をスパッタ成膜するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | ナノサーチ顕微鏡 | 型式：ST-4500 光学顕微鏡、走査型レーザー顕微鏡(LSM)，走査型プローブ顕微鏡(SPM)を一台に集約。多様な試料に対応の観察・測定装置。 数十倍から百万倍の超ワイド領域で，ミリからナノまでの観察・測定を本装置のみで実現。各種顕微鏡の切り替えは電動で実施のため、観察対象物を見失うことなく，素早く正確にプローブ顕微鏡で観察が可能。 また、微分干渉スライダ、偏光板も搭載され、明視野、微分干渉、レーザーコンフォーカル、レーザーコンフォーカル微分干渉での測定が可能。 １．レーザー顕微鏡（LSM）部性能 ・レーザー波長：405nmの半導体レーザー ・カラー観察用光源：白色LED ・カラー観察用CCD:200万画素 ・対物レンズ種類：5×、20×、50×、100× ・XYステージ：100×100mm以上の電動ステージ。ステージ台回転機能付き（±40°以上の回転可能） ・最大サンプル高さ：70 mm ・高さ分解能：1 nm ２．走査型プローブ顕微鏡（SPM）性能 ・スキャン範囲：最大30μm×30μm×4μm(X-Y-Z) ・選択可能動作モード：コンタクトモード，ダイナミックモード，位相モード，電流モード，表面電位（KFM）モード ３．データ解析性能 ・LSMデータ解析内容：プロファイル測定、段差測定、面積/体積測定、線粗さ測定、面粗さ測定が可能 ・取得データ：スナップショット、3Dデータ、長寸法ラインデータ ・SPMデータ解析内容：断面形状解析、線粗さ解析、面粗さ解析、形態解析、平均段差測定が可能 ・画像スティッチング枚数：最大625枚 |
ウェハー上の特定箇所の微細な構造を観察するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | ICP型反応性イオンエッチング装置 | 有磁場ICP(Inductively Coupled Plasma)型高密度プラズマエッチング装置。 低パワーでも安定・均一なプラズマが得られ、ダメージの少ないエッチングが可能。 プラズマ密度と基板への入射エネルギーを独立に制御可能。 ロードロック付き。ウェハは自動搬送。枚葉式処理。 タッチパネル制御。エッチングレシピ登録可能。エッチングログ保存機能。 ・型式:ULVAC CE-300I ・装置形態:エッチング室 x 1 + ロードロック室 ・電源:最大出力1000 W(アンテナ部)、300 W(バイアス部) ・最大基板サイズ:Φ3 inchウェハ ・チップ状試料の場合はトレイ処理が可能 ・基板保持機構:静電チャックおよびHeガス冷却機構 ・電極水冷用チラー ・エッチングガス圧: 0.07 ? 13.3 Pa ・到達真空度:5 x 10-4 Pa以下 ・TMPおよびドライポンプで排気 ・使用ガス:SF6、CF4、C4F8、O2 ・エッチング終点検出可能。 ・主にエッチングしている材料:Mo、TiN、NbN、Si ・Moのエッチングレート: 30 nm/min |
反応性イオンエッチングにより、ウェハー上に成膜されたSiO2若しくはNb等の超伝導膜にレジストパターンを転写するために使用する |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | アッシング装置 | 本装置は、一般的なドライエッチング装置であるが、主な使用目的はO2プラズマによるフォトレジスト残渣除去である。 方式：酸素プラズマ 試料：シリコンウエハー 試料サイズ：175mm×200mm以下 典型的プロセス時間：約15分(5分程度のプラズマ処理の場合) 特徴：平行平板電極型(ダイレクトプラズマモード、RIEモード選択可能) |
エッチング等によりダメージを受けたレジストの剥離及びウェハー上に残留した有機物等の除去に使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | CMP-2号機 | スラリーを滴下しながら研摩パッドでウェハ表面を研磨することでウェハ表面を平坦化する装置。ウェハ着脱はマニュアル操作。研摩条件はコンピュータ制御。研摩レシピ登録可能。3 inchウェハの場合、別装置でウェハ表裏両面の後洗浄が可能。 ・型式：TRCP－380SW ・装置形態：研摩テーブル x 1 + ウェハ保持用アーム x 2 ・研摩テーブル回転数制御可能。 ・ウェハ回転方向・回転数制御可能。 ・ウェハ保持アーム：揺動可能。 ・ウェハ圧制御可能。 ・スラリー自動滴下装置有。滴下速度制御可能。 ・基板サイズ：Φ3 inch および4 inch ウェハ ・通常、中性のコロイダルシリカスラリーを使用。平均粒径100 nm ・主に研摩している材料：SiO2 |
ウェハー上に形成された凹凸を平坦化するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | シート抵抗測定装置 | 型式：国際電気アルファ（日立国際電気） VR-120S ・測定可能ウェハーサイズ：76.2-300mm ・ 0.95秒／1点、1分／49点の高速処理 ・浅いイオン注入層、薄い金属膜他の高精度測定 ・内蔵式ノッチ／オリフラ探知機による高位置精度（オプション） ・シート抵抗分布が一目で分かるインテリジェントマッピング ・ Windowsライクな画面で操作性が飛躍的に向上 ・ トレンドチャートなど統計的データ解析機能充実（オプション） |
ウェハー上の膜の抵抗の面内分布を測定するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | 有機洗浄装置B | 本装置は、洗浄処理部のウェハステージに人手でウェハをセットすることで、薬液（レジスト剥離液）にて自動的にウェハの表面洗浄処理を行う枚葉式のスピン洗浄装置です。主な用途として反応性イオンエッチング（RIE）後のレジスト剥離、洗浄に用います。下記の各機能をプログラム（レシピ）で設定して、設定レシピに応じた自動洗浄を行うことができます。 ・型式：TWP-031S ・ウェハ保持：ウェハ裏面のバキュームチャック ・レジスト剥離液：NMP、ノズル吐出又は高圧ジェット吐出 ・薬液温度：通常80℃に設定 ・ブラシスクラブ洗浄：PVA回転ブラシ、搖動可 ・メガソニックシャワー洗浄（超純水） ・乾燥：スピン乾燥（3000rpm）＋N2ブロー ・バックブロー：N2ブローによりウェハ裏面への洗浄液の回り込み防止機能有り。 ・洗浄可能なウェハサイズ：3インチのみ ・洗浄時間：レシピ設定に依存、標準的には10分程度/ウェハ |
ウェハー上のレジストを有機溶液を用いて洗浄する為に使用する |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | ICP型反応性イオンエッチング装置 | 有磁場ICP(Inductively Coupled Plasma)型高密度プラズマエッチング装置。 低パワーでも安定・均一なプラズマが得られ、ダメージの少ないエッチングが可能。 プラズマ密度と基板への入射エネルギーを独立に制御可能。 ロードロック付き。ウェハは自動搬送。枚葉式処理。 タッチパネル制御。エッチングレシピ登録可能。エッチングログ保存機能。 ・型式:ULVAC CE-300I ・装置形態:エッチング室 x 1 + ロードロック室 ・電源:最大出力1000 W(アンテナ部)、300 W(バイアス部) ・最大基板サイズ:Φ3 inchウェハ ・チップ状試料の場合はトレイ処理が可能 ・基板保持機構:静電チャックおよびHeガス冷却機構 ・電極水冷用チラー ・エッチングガス圧: 0.07 ? 13.3 Pa ・到達真空度:5 x 10-4 Pa以下 ・TMPおよびドライポンプで排気 ・使用ガス:SF6、CF4、C4F8、O2 ・エッチング終点検出可能。 ・主にエッチングしている材料:Mo、TiN、NbN、Si ・Moのエッチングレート: 30 nm/min |
反応性イオンエッチングにより、ウェハー上に成膜されたSiO2若しくはNb等の超伝導膜にレジストパターンを転写するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | 反応性イオンエッチング装置Samco-IＩ | 本装置は、プラズマリアクティブイオンエッチング法により高密度エッチングが可能です。主にＳｉＯ２膜のエッチングを目的としています。ロードロック室を装備しているため再現性よくエッチングが出来ます。操作はレシピを作成、登録しタッチパネルによる全自動運転です。 ・型式：SAMCO RIE200L ・主なエッチング材料：SiO2 ・ウエハサイズ：3inchウエハ ・使用ガス：CHF3,O2 ・エッチングレート：SiO2＝18nm/min ・面内均一性：5％以下 ・反応室到達真空度：4×10-5Pa ・基板冷却機構：水冷 ・ウエハトレー：カーボン ・エッチング終点検出：なし |
反応性イオンエッチングにより、ウェハー上に成膜されたSiO2若しくはNb等の超伝導膜にレジストパターンを転写するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | コーターデベロッパー | 本装置は、レシピを作成、登録することにより全自動でレジスト塗布、現像、ベークを行うことが出来ます。薬液は所定の温度、湿度に保たれており安定したレジスト塗布が可能です。 ・レジスト：ネガ、ポジ ・ウエハサイズ：3inchウエハ ・レジスト膜厚：0.7～1.0μm ・ベーク温度：110℃ ・処理時間：約５分 ・薬液温度：２３℃ ・薬液湿度：４５％ ・HMDS処理有り ・基板冷却機構：水冷 ・ウエハエッジ部、裏面リンス機能有り |
ウェハー上にレジスト塗布及び露光後の現像を行う |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | 反応性イオンエッチング装置Samco-I | 本装置は、プラズマリアクティブイオンエッチング法により高密度エッチングが可能です。主にＳｉＯ２膜のエッチングを目的としています。ロードロック室を装備しているため再現性よくエッチングが出来ます。操作はレシピを作成、登録しタッチパネルによる全自動運転です。 ・型式：SAMCO RIE200L ・主なエッチング材料：SiO2 ・ウエハサイズ：3inchウエハ ・使用ガス：CF4,CHF3,O2 ・エッチングレート：SiO2＝18nm/min ・面内均一性：5％以下 ・反応室到達真空度：4×10-5Pa ・基板冷却機構：水冷 ・ウエハトレー：石英 ・エッチング終点検出：なし |
反応性イオンエッチングにより、ウェハー上に成膜されたSiO2若しくはNb等の超伝導膜にレジストパターンを転写するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | Nb/Alジョセフソン接合作製装置[標準型] | 本装置は、ロードロック室、酸化室、ALスパッタ室、Nbスパッタ室の4チャンバーで構成され、真空状態でウエハを搬送させ多層膜を形成するこが可能です。酸化室ではRF逆スパッタにより必要に応じてウエハ表面のクリーニングも出来ます。チャンバー間の移動は自動操作可能です。 ・スパッタ方式：DCスパッタ ・スパッタレート：Nb=78nm/min AL=15nm/min ・ウエハ冷却（酸化室）：22℃ ・酸化ガス：Ar･O2 ・到達真空度：5×10-8Torr ・最大基板サイズ：Φ3inchウェハ ・基板保持機構：水冷 ・ターゲット-基板間距離：50～200mm ・膜厚分布：±5% ・使用ガス：Ar, Ar/O2 ・成膜時間制御用タイマー付き。 ・成膜可能材料：Nb,Al |
ウェハー上に超伝導Nb,Al.Al酸化膜からなる多層膜をスパッタ成膜するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | 絶縁膜作製装置 | 交流高電圧によりArプラズマを発生させて成膜材料へ衝突させることにより、基板へSiO2膜を自動でスパッタします。基板を回転させることによりカバレッジと均一性を改善します。ロードロック室付きなので基板交換を効率よく迅速に行えます。基板搬送は手動操作です。 ・型式：M98-0021 ・装置形態：スパッタチャンバー x 1 + ロードロック室 ・スパッタ源：6inchRFマグネトロン x 1式 ・スパッタ電源：RF電源 最大出力1000W （800Wで使用中） バイススパッタ可能 ・基板サイズ：Φ3inchウェハ、Φ2inchウェハ ・基板加熱機構：なし ・基板冷却機構：あり ・逆スパッタで基板クリーニング可能。 ・ターゲット-基板間距離：40～80mm （ユーザー変更不可） ・到達真空度：1.4 x 10-7 Torr以下 ・使用ガス：Ar ・PCによる自動成膜(Webにより進捗状況を遠隔モニター可能、ただし遠隔操作は不可） ・成膜可能材料：SiO2 ・成膜時間：6nm/min 例）400nm成膜に試料の搬入出も含めて約2時間 |
ウェハー上にSiO2膜をスパッタ成膜するために使用する。 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム（BRP） | エックス線CTスキャナー | 試料にエックス線を照射し、透過したエックス線を検出器でとらえ、画像処理ソフトウェアを通じて二次元像を得る装置です。 エックス線を照射した状態で試料を水平盤上にて360°回転させ、検出された透過信号に対して画像処理を行うことで、試料を三次元的に把握する上で有用なCT像が得られます。 定格電圧: 450 kV 定格電流: 3.3 mA 定格出力: 1.5 kW 試料寸法: 外形φ600 mm×高さ600 mm まで対応可 試料質量: 最大60 kg 最小焦点寸法: ①450 kV, 3.3 mA時、1 mm、②450 kV, 1.6 mA時、0.4 mm（①②とも寸法精度: ±0.2 mm） 透過性能: 鋼材 80 mm, アルミ材 250 mm, PE 600 mm, PET 450 mmを透過可能 透過性能: 鋼材 80 mm, アルミ材 250 mm, PE 600 mm, PET 450 mmを透過可能 エックス線検出器: 16インチ フラットパネルディテクター （2,000×2,000 pixel） 画像解析ソフトウェア: VGstudioMax 3.1.1 |
物体の透過像及びCT像の観察 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム（BRP） | レーザーラマン顕微鏡 | レーザー波長: 532 nm (500 mW), 785 nm (500 mW) 空間分解能: （X）0.5 μm, （Y）0.35 μm, （Z）1 μm (@532 nm) 検出器: 電子冷却CCD, 400×1,340画素 レーザー照射方式: ポイント照明, ライン照明 分光器の焦点距離: 550 mm スペクトル測定範囲: 100 cm-1～ スペクトル分解能（FWHM）: 1.2 cm-1 (@785 nm, 1,200 gr/mm) スペクトルピクセル分解能: 0.4 cm-1/pixel （@785 nm, 1,200 gr/mm） ピーク位置決め精度: 0.1cm-1 (@532 nm, 2,400 gr/mm) |
材料の結晶性の分析や、材料の種類を識別しての分布観察ができます。 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム（BRP） | カルベ式熱量計 | 混合反応熱、ガス吸脱着熱、湿潤熱、希釈熱等、様々な化学・物理反応熱の測定が可能です。単4電池サイズの試料まででしたら、そのまま測定可能です。 温度範囲: 室温～600 ℃ 雰囲気: 大気 測定モード: 昇温、等温 昇温速度: 0.001～2 ℃/分 RMSノイズ: 7 μW ＜容器仕様＞ ・材質: ステンレス鋼, インコネル合金 ・耐圧: 50 MPa（専用シール容器を使用の場合） ・容積: 8.5 mL（バッチ標準常圧容器） ※容器は利用者にてご用意ください。連絡いただければ、寸法等お知らせします。 |
精密熱量分析 高感度等温測定と、熱分析装置DSCの昇温測定の両方の特徴を持ち合わせた熱分析装置です。 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム（BRP） | 熱分析装置 | 下記①～③は複数台を同時にご利用いただくことが可能です。利用料金は1台のみ使用したときと同額です。 ・雰囲気: 大気, Ar ・解析ソフトウェア: TA-60WS ver. 2.30 SP1 ＜各装置仕様＞ ① 熱重量・示差熱分析装置 DTG-60 示差熱と熱重量を同時に測定します。 ・温度範囲: 室温～1,100 ℃（膨脹測定時） ・試料容器: Al, Pｔ, SiO2, Al2O3 ・試料測定範囲: ±500 mg ・示差熱測定範囲: ±1,000 μV ・重量信号分解能: 0.1 μg ・秤量: 風袋込み1 g ・Al容器使用の場合、不活性密封状態での測定可。 ②熱機械分析装置 TMA-60 様々な温度における機械的特性（膨脹、引張、針入）を評価します。 試料支持管や検出プローブが、ワンタッチで着脱可能です。 ・温度範囲: 室温～1,000 ℃（膨脹測定時）、室温～600℃（不活性ガス中での引張、針入測定時） ・試料寸法: φ8 mm×長さ20 mm以下（円柱型試料測定時）、幅5 mm×厚さ1 mm×長さ20 mm以下（フィルム引張測定時） ・試料への荷重: 0～±5N ③ 示差走査熱量計 DSC-60plus 材料のキャラクタリゼーションに必要不可欠な熱分析装置の一つで、化学・物理反応熱の定量分析を行います。 ・温度範囲: 室温～600 ℃ ・試料容器: Al, Pｔ, SiO2, Al2O3 ・熱流量検出範囲: ±150 mW ・Al容器使用の場合、不活性密封状態での測定可。 |
熱分析 試料の熱的特性を評価するための汎用的な装置3点です。 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | ECRスパッタ成膜・ミリング装置 | ECRイオンソースで発生させたArイオンビームで、スパッタ成膜とイオンエッチングを行うことを目的とした装置です。同一試料に対して成膜とエッチングを途中で真空を破らずに連続して行えることを特徴としています。 代表的な応用例としては、数十～数百nm幅の微細パターンをマスクにして、本装置で難エッチング材料の成膜と、パターン側面に付着した薄膜のエッチングによる除去を行い、続いてリフトオフを行うことで微細パターンを作製することが可能です。さらに、成膜とエッチングを繰り返し行うことで、高アスペクト比の微細構造を作製することも可能です。 ●型式:EIS-200ERP ●イオンソース:ECR方式 ●ガス種:Ar (最大流量5sccm) ●圧力:0.01 Pa ●加速電圧:30～3000 V ●マイクロ波:最大100 W ●試料ステージサイズ:Φ75 mm ●材料ターゲットサイズ:Φ100 mm |
難エッチング材料の成膜およびエッチング |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 原子層堆積装置[AD-100LP] | 放電形式に誘導結合(Inductively Coupled Plasma:ICP)方式を採用した原子層堆積装置です。本装置は、リモートプラズマもしくはダイレクトプラズマの選択が可能となっており状況に合わせて選択できます。プリカーサは、TMA,BDEAS,H2Oを用意しており、AlもしくはSiの酸化物もしくは窒化物の成膜が可能です。 ●型式: AD100-LP (サムコ株式会社) ●ステージ温度：50 ～ 500℃ ●放電方式: 誘導結合式プラズマ(ICP) ●試料サイズ: 4インチウェハまで対応（2インチは3枚まで可能） ●試料導入方式: ロードロック式 ●ICP高周波電源: 最大300W、13.56MHz ●キャリアガス：N2 ●使用ガス: O2、N2、NH3、H2、Ar |
誘電体薄膜の成膜 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | デバイス容量評価装置 | この装置では、試料表面に電圧をかけたとき発生する電流を測定し、その値から、電気容量などの電気的特性を調べることができます。 ・型式:Model 82-WIN ・測定周波数:100kHz、1MHz ・測定電圧:15mV rms ・最大レンジ:20nF、2nF ・最大レンジの読取確度:0.25%、0.29% ・最小レンジ:2pF、20pF ・最小レンジの読取確度:0.12%、0.29% |
計測 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | デジタルマイクロスコープ | 20～2000倍の範囲で光学観察が可能で、デジタル画像として保存出来るデジタル顕微鏡です。 レンズを傾けることが可能なため、様々な方向から試料を観察し撮影することが可能です。 また、多数の画像処理機能を備えており、焦点を変えた複数の画像を合成することにより全焦点顕微鏡の様な画像を撮影すること等も出来ます。 ライティング機能も豊富で、凹凸が明確に観測出来る様光の当たり方を調整したり、光を反射する試料のリングを除去したりすることも可能です。 また、動画を撮影することも可能です。 プレゼン用、論文用等に見栄えのする画像を撮影したい際などにご利用ください。 ・型番:VHX-6000 ・参考ページ 株式会社キーエンス VHX-6000 https://www.keyence.co.jp/products/microscope/digital-microscope/vhx-6000/index_pr.jsp https://www.keyence.co.jp/products/microscope/digital-microscope/vhx-6000/models/vhx-6000/ |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | 顕微レーザーラマン分光装置(RAMAN) | サンプルにレーザーを照射し、得られるラマン効果を利用して、試料の分子構造や未知物質の同定を非破壊で行う装置です。 コンフォーカル機能を搭載した光学顕微鏡システムとの組み合わせにより、高分解能な微小領域解析が可能となっています。 また、励起レーザー、フィルター、グレーティングがスマートコンポーネントになっており、2種類の励起レーザーの変更が容易に行えます。 ・型式:DXR Raman Microscope ・レーザー:532 nm(高輝度DPSS)、780 nm(高輝度ダイオード) ・測定波長範囲:50 ? 3300 cm-1 ・スペクトル分解能: フルレンジグレーティング;5 cm-1、高分解能グレーティング;3 cm-1 ・最高空間分解能:φ1 um[使用レーザーの回折限界による] ・コンフォーカルによる深さ分解能:2 um ・オートステージ機能搭載 原理（ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修） ラマン分光 http://www.tsc-web.jp/map/pdf/Raman2.pdf サーモフィッシャーサイエンティフィック社の顕微レーザーラマン解説ページ http://www.thermoscientific.jp/ft-ir-raman/dxr.html |
計測 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | i線露光装置 | この装置は、最大開口数(N.A.)0.63の投影レンズを搭載し、解像度350 nm以下に対応したi線縮小投影型露光装置です。 照明光源とレチクルの間の照明システムの中にあるアパーチャはコンベンショナルタイプの他に、限界解像度と焦点深度をさらに向上させる変形照明(SHRINC、輪帯照明)も選択できます。 投影レンズはN.A.可変システムを採用しており、実際のプロセス条件に応じて0.50 ~ 0.63の間で最適なN.A.を選択することが可能です。 そのほか特殊ステージを備えておりΦ2インチウェハーおよび□20 mm、□15 mm、□10 mmの切り出しチップの露光が可能です。 ・形式:NSR-2205i12D ・露光光源:i線(波長365 nm) ・解像度:350 nm以下 ・最大N.A.:0.63 ・縮小倍率:5分の1倍 ・露光範囲:□22 mm(ウェハー上) ・レチクル:6インチ石英ガラス ・総合アライメント精度:55 nm以下 |
パターン露光 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | オゾンクリーナー(SIMS付帯) | ・電源:AC100V 50/60Hz ・ランプ:110W低圧水銀ランプ ・ランプ波長:185nm、254nm ・照射距離:ランプ下面より0?80mm(手動可変タイプ) ・照射エリア:150×150mm ・オゾン排気構造:別置きブロワーによる強制排気方式(オゾン吸着材封入) 短波長紫外線で固体の表面改質・乾式洗浄を行うクリーナーです。二種類の短波長紫外線(185、254nm)により空気中の酸素をオゾン化し有機物を除去します。サンプル表面へのダメージは極めて少なく、良好な表面が得られます。光源は手動による可変タイプのため、表面分析の前処理をin-situ(測定前室)で行うことが可能です。 ※2F(一般実験実)でのご利用となります。 |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | プラズマアッシャー (リソグラフィ付帯装置) | この装置は、石英チャンバー内で酸素プラズマを発生させることにより、有機物のフォトレジストをCO2とH2Oに分解・酸化させて除去するものです。 ・型式:PR500 ・高周波電源:最大500 W ・反応槽:石英チャンバーΦ215 mm×305 mm(高さ) ・放電時間設定:0.1秒～999時間 ・使用ガス:O2、パージ用N2ガス ヤマト科学のプラズマアッシャー解説ページ http://www.yamato-net.co.jp/product/science/plasma/reactor/pr500510.htm |
アッシング |
| ナノプロセシング施設（NPF） | エックス線光電子分光分析(XPS)装置 | エックス線光電子分光分析(XPS)装置 ・X線源 Rowland 円直径 500 mm モノクロメータ付Al Kα (1486.6 eV) ・光電子分光器 軌道半径165 mm静電二重半球型アナライザー/球面鏡アナライザー複合型 ・検出器 ディレイラインディテクター(DLD)システム ・スペクトル分析 100チャネル同時計測 ・メージング 256 × 256画素(最大分解能3 μm) ・最小スペクトル分析面積 15 μmΦ ・エネルギ分解能 Ag 3d5/2光電子ピークが半値幅0.48 eV以下 ・帯電中和 均一低エネルギー電子照射 ・試料サイズ 110 mmΦ, 高さ10 mm (専用ホルダ使用で約20 mm迄可) ・光電子取り出し角度 垂直(標準), 0～90°(傾斜観察ホルダ使用)* 傾斜観察時は試料サイズの制限があります。 ・エッチングイオン銃 Ar+, 多原子(コロネンC24H12 )イオン ・搭載オプション He紫外線光源(UPS用 21.2, 40.2 eV)トランスファーベッセル 島津製作所によるAXIS Nova解説ページ http://www.an.shimadzu.co.jp/surface/xps/nova/index.htm 原理（ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修） エックス線光電子分光分析(XPS) http://www.tsc-web.jp/map/pdf/XPS.pdf |
エックス線光電子分光分析(XPS) |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 反転露光用全面UV照射装置 | ・型式 : K-310P100S ・露光源 : ウシオ電機マルチライト 超高圧水銀ランプ ・主波長 : 365 nm(i線) ・照度 : 約32 mW/cm2 ・露光モード : コンタクト方式 ・ウェハサイズ : 小片基板～4インチ ・露光領域 : 最大85 mm□ 共和理研のマスクアライメント露光装置解説ページ http://www.kyowariken.co.jp/k310p.htm |
パターン露光 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | ナノサーチ顕微鏡(SPM3)[SFT-3500] | この装置は、光学顕微鏡と、レーザ顕微鏡(LSM: Laser Scanning Microscope)、走査型プローブ顕微鏡(SPM: Scanning Probe Microscope)の3機能が1台の顕微鏡に搭載された複合型顕微鏡です。 数十倍～百万倍以上の超ワイドレンジでの観察を行うことが可能です。 搭載の機能を組み合わせることで、SPM単体では困難であった視野探しを試料を載せかえずに正確かつスピーディに行うことができます。 LSM部 ・観察視野:2,560 μm～21 μm ・対物レンズ:5×, 20×, 100× (光学ズーム 1×～6×) SPM部 ・最大走査範囲:水平(X,Y)30 μm, 垂直(Z)4 μm ・検出方式:光てこ方式 ・測定モード:ダイナミックモード(タッピングモード)、コンタクトモード、位相モード、表面電位モード[KFM]、電流モード 共通部 ・ステージストローク:100 × 100 mm ・試料最大高さ:54.5 mm 島津製作所のナノサーチ顕微鏡解説ページ（SFT-4500） http://www.an.shimadzu.co.jp/surface/spm/sft/sft-4500/index.htm 島津製作所ナノサーチ顕微鏡観察データ集 http://www.an.shimadzu.co.jp/surface/spm/sol/spm/pdf/sft3500_datasummary2011.pdf |
観察 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 二次イオン質量分析装置(D-SIMS) | 試料にイオンを照射し、試料表面からスパッタリング放出される二次イオンを質量分析することによって深さ方向の元素分布情報を得る分析手法です。 固体表面の検出感度が高く、1H～92Uまでの全元素および同位体に対してppm～ppbの範囲で定量が可能です。 ・型式:ADEPT-1010 ・一次イオン:O2:加速電圧 0.25 ? 8.0 kVCs:加速電圧 0.25 ? 11.0 kV ・ビーム径:φ75 μm以下 ・導入可能最大試料サイズ:φ50 mm ・二次イオン質量分析計:四重極型 ・分析モード:質量スペクトル測定、ライン分析、デプスプロファイル、二次イオンイメージ像 原理（ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修） http://www.tsc-web.jp/map/pdf/SIMS.pdf |
計測 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 抵抗加熱型真空蒸着装置 | ボート等の抵抗体に金属や化合物などの成膜材料を入れ、電流を流して加熱、蒸発させることにより、材料を基板上に成膜します。3種類の材料をセット可能なので多層膜の作成も可能です。全て手動操作であり、また成膜室が小さいので基板やソースをセットしてから蒸着するまでの真空引きのための待機時間が短く、手軽に成膜出来ます。高沸点材料や熱伝導率の高い材料では、ソースからの輻射熱が多くなり、条件によっては100 ℃を超えるため、非耐熱性基板では注意を要します。 ●蒸着方式:抵抗加熱蒸発 ●蒸発源:3ポート ●加熱抵抗体:平板ボート、コイル、バスケット ●基板ホルダ:最大試料サイズΦ100 mm、傾斜可能±15° ●蒸発源―基板間:250 mm ●試料導入:手動 ●真空排気:手動、到達圧力5×10^-5 Pa以下 ●成膜:手動制御 基板シャッター開閉及びヒーター電力調整、水晶振動子膜厚モニタ付 |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | 触針式段差計 (成膜プロセス付帯装置) | 先端がダイヤモンドのスタイラス(触針)を用いて、測定物表面を一定の低針圧でなぞり、段差、表面粗さ、うねり等の測定を行う装置です。 主に膜厚測定、表面形状の評価に用います。 ・測定再現性:1σ≦8 Å ・膜厚測定範囲:400 μm ・走査距離:最大10 mm ・走査速度:毎秒2 ～ 200 μm ・サンプリングレート:毎秒50, 100, 200, 500, 1000ポイント ・測定レンジ:20, 400 μm ・針圧設定範囲:1 ～ 100 mg ・最大試料サイズ:158 mm × 158 mm, 重量:1 kg以下 |
計測 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 短波長レーザー顕微鏡[OLS-4100] | 非接触でサンプルの3次元表面形状の観察・測定が可能なレーザー顕微鏡です。複雑な微細形状の測定に優れ、斜面の観察性に優れています。電動ステージを搭載し、XY軸の移動精度が高いことが特徴です。また、マッピング機能が付いてるので、従来より速く広い範囲の画像取得ができるようになりました。透明膜対応フィルターにより、透明膜の測定にも有効です。 ・ 型式:OLS4100 ・ 倍率;最大17280倍 ・ 高さ測定範囲:10mm ・ 表示分解能:0.001μm ・ フレームピクセル数:4096×4096 ・ モノクロ映像:12bit ・ カラー映像:RGB各8bit、高さ測定用:24bit ・ 光学ズーム:1x～8x ・ 測定:レーザー光波長405nm、最大出力1mW ・ 観測光源:白色LED、検出系:1/1.8インチ200万画素単板CCD ・ 6穴明視野電動レボルバ ・ 微分干渉ユニット:微分干渉スライダ:U-DICR、偏光板ユニット内蔵 ・ 透明膜対応フィルター ・ XYステージ:100mm×100mm電動ステージ ・ 膜厚測定ソフト ・ 粒子測定ソフト ・ エッジ自動検出測定ソフト |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | 短波長レーザー顕微鏡 | 観察対象物に対して前処理が一切不要で、そのままの状態での観察・測定が可能です。 観察視野全てに焦点が合った超深度画像での観察が可能で、短波長レーザと白色光源を併用することで、高解像度と色情報を両立した高精細リアルカラー超深度画像での観察が可能です。 非接触なので様々な対象物に対応するうえ、観察視野全域の3次元データをレーザで取得し、高精度で多彩な3次元解析が可能です。 ・型式:VK-9700 Generation ・倍率:最大18000倍 ・分解能:1 nm(Z方向、高さ) ・高さ測定範囲:7 mm ・表示分解能:0.001 μm ・幅測定表示分解能:0.001 μm ・フレームピクセル数:2048×1536 ・モノクロ映像:14 bit ・カラー映像:RGB各8 bit、高さ測定用:24 bit ・光学ズーム:1x～6x ・測定:レーザ光波長408 nm、最大出力0.9 mW、受光:光電子増倍管 ・観測:100 Wハロゲン光源 ・撮像素子:カラーCCDイメージセンサ キーエンスの短波長レーザー顕微鏡解説ページ http://www.keyence.co.jp/microscope/laser_scope/vk_x/menu/2903/ |
観察 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | クロスセクションポリッシャ(ALD付帯) | 日立ハイテクノロジーズ社製 IM4000[断面ミリングオプション]型 イオンガン(アルゴンビーム照射)と高イオンビーム耐性マスク(金属板)を使用して、走査型電子顕微鏡(SEM)等による試料内部構造の観察や分析のための断面試料を作製することができます。劈開や研磨では加工が難しいような、硬度やミリングレートが異なる構成の複合 材料でも可能となります。また、専用治具へ交換することでフラットミリングを行うこともできます。 イオンガン:冷陰極ペニング型 使用ガス:アルゴン 加速電圧:1～6kV 放電電圧:1.5kV 断面ミリングレート:100～300?m/h (加速電圧6kV時) ※材料により異なる 断面ミリングの最大試料サイズ:20mm(W)×12mm(D)×7mm(H) スイング角度:OFF～±40° |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | 分光エリプソメータ | この装置は、半導体やガラス基板上に成膜した薄膜の膜厚及び組成の同時測定、多層膜の膜厚測定を目的とした装置です。 TFT多層膜、Low-k、High-k材料、低温P-Siなどの評価も可能です。 測定試料上に白色光源(Xeランプ)の照射を行い、各波長(190～830 nm)における反射光の偏光状態を計測し、その情報から位相差、反射振幅比角を計算します。 これらは光の波長・膜厚・物質の光学定数(屈折率、消衰係数)により異なった値を示します。 この演算結果と予想される膜構造、組成の理論モデルを対比させ、測定対象膜の膜厚、組成の算出を行います。 ・型式:UVISEL, M200-FUV-FGMS-HNSTSS ・最大サンプルサイズ:SEMI規格、150 mm径 ・サンプルステージ高さ調整:20 mm ・ストローク測定性能:膜厚、屈折率測定再現性 1 %以内(3σ標準偏差、標準サンプルを使用) ・目盛精度:保証範囲 ±1.0 %以内(約100 nmのNIST又はVLSIを使用) ・入射角度 75 ±0.5° ・ビームサイズビーム成形用のピンホール径:Φ1.0 mm (Φ100 μm, Φ50 μm) ・使用波長範囲:190～830 nm 原理（ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修） http://www.tsc-web.jp/map/pdf/EM_SE.pdf 株式会社堀場製作所の分光エリプソメータ解説ページ http://www.horiba.com/jp/semiconductor/products/product-lines/thin-film-analyzer/details/uvisel-spectroscopic-ellipsometer-from-vuv-to-nir-640/ |
計測 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | ウェハー酸化炉 | この装置は、シリコンウエハー表面の酸化膜形成などの熱処理に用います。 横型の熱処理炉で、試料室内部はドライまたはウェットな酸素ガス雰囲気もしくは、不活性ガス(窒素)雰囲気に制御可能であり、熱処理温度は1200 ℃まで加熱することができます。 また、縦置きホルダーを利用すれば4インチウェハを一度に25枚まで熱処理することもできます。 尚、炉心管の汚染防止のため金属の着いた試料やSi以外の基板は使用禁止とします。 ・型式:MAT-200KS ・ヒーター:カンタルRAC200、220 L×3ゾーン ・常用温度、到達時間:1100 ℃、2時間 ・温度分布:1100 ℃±2 ℃(範囲長さ200 mm) ・炉心管:石英、Φ136 mm×長さ1090 mm ・試料寸法:最大Φ4 インチ × 25 枚(長さ150 mm) ・試料室:ドライ、ウェットな雰囲気制御可能 ・使用ガス:O2、N2 |
加熱 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 走査プローブ顕微鏡SPM1[NanoscopeⅣ_Dimension3100] | この装置では、原子間力顕微鏡(AFM)、磁気力顕微鏡(MFM)測定が可能です。AFMは、基板表面をプローブ探針で走査することにより、表面にある凹凸の変位をピエゾ素子で表面形状の変化として測定します。試料の電気伝導性は絶縁体、半導体、良導体に依らず計測が可能で、計測面範囲は90 μm×90 μmで、高さは6 μm以内です。MFMは探針と試料との間に働く磁気力を検出して、表面の磁気的特性を調べる事ができます。 ●型式:DI 3100 ●試料寸法:150 mm以内(面範囲)、12 mm(高さ範囲) ●試料固定:真空固定、測定範囲:90 μm×90 μm(面範囲)、6 μm以内(高さ範囲) ●測定精度:最大2 %(最大レンジ幅) |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | ラッピングマシン(CMP) | ラッピング | |
| ナノプロセシング施設（NPF） | スピンコーター (リソグラフィ付帯装置) | 薬剤塗布 | |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 磁気特性測定システム(MPMS) | 高感度磁気特性評価装置です。DC磁化測定、AC磁化測定、振動式高感度磁化(RSO)測定が可能です。 ヘリウム再凝縮装置が付設されているため、液体ヘリウムの充填が不要です。 ・測定感度:1×10-8 emu ・温度範囲:2 ～ 350 K ・温度スイープ:最大 10 K / min ・超伝導マグネット:±5 T ・測定機能:DC磁化測定、AC磁化測定、振動式高感度磁化(RSO)測定 日本カンタム・デザイン株式会社のMPMS解説ページ http://www.qd-japan.com/product/material/quantum-magnetic_property_measurement_system.php |
計測 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | プラズマCVD薄膜堆積装置(SiN) | 本装置は液体ソースを用いたプラズマ化学気相成長装置であり、TEOS原料からSiO2を、SN-2原料(液体有機ケイ素化合物)からSi3N4を成膜することができます。RF電源はオートマッチングシステムで制御され、投入パワーは最大300[W]となっています。ステージ加熱機構は抵抗加熱方式となっており、最大350[℃]まで昇温が可能です。 型式 : PD-220NS 電極間隔 : 25mm (上部電極 : Al製、下部電極:SUS製) ステージ加熱機構 : 抵抗加熱方式 (MAX350[℃]) RF電源 : 13.56[MHz]水晶発振 (MAX300[W] ) 導入ガス : C2F6(MAX100sccm)、O2(MAX1000sccm)、TEOS(MAX20sccm)、He(MAX500sccm)、SN-2(MAX10sccm)、N2(MAX1000sccm) 噴出口 : 上部電極一体式シャワー状マニホールド 排気系 : ターボ分子ポンプ+ロータリーポンプ、メカニカルブースターポンプ+ドライポンプ オートプレッシャーコントローラー:コンダクタンス可変型 有効成膜範囲:φ220mm |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | マッフル炉 | 加熱 | |
| ナノプロセシング施設（NPF） | UVクリーナー (リソグラフィ付帯装置) | UV（紫外線）を用いたドライ洗浄装置。 ・UVランプ:110W x 1 (peak wavelength 253.7 nm , 184.9 nm) ・試料ステージ温調機能:室温～300 ℃・オゾン発生器 サムコ社のUVクリーナー解説ページ http://www.samco.co.jp/aboutus/primer/2011/03/post_4.php |
洗浄 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 低真空走査電子顕微鏡 | 低真空モードにおいて、熱電子線源から生じた電子線を試料に照射し、試料表面から反射した電子線を画像データとして読み込み、表面形状を観察します。このモードでの真空度は1 ～ 270 Paで、分解能は5.0 nmです。高真空モードにおいては試料表面から発生した2次電子の発生量を輝度の信号に変換することでその表面形状を観察します。到達真空度は0.0015 Paで、分解能は3 nmです。 ●型式:S-3500N ●電子銃:熱電子放出型Wヘアピンフィラメント ●加速電圧:0.3 ～ 30 kV ●分解能:高真空二次電子像:3.0 nm ●低真空反射電子像:5 nm ●試料サイズ:15 ～ 150 mmφ ●低真空モードでの真空度設定:1 ～ 270 Pa ●試料ステージ:五軸モーター駆動 ●可動範囲:100 mm × 50 mm 原理（ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修） http://www.tsc-web.jp/map/pdf/SEM.pdf |
観察 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | ワイヤーボンダー | この装置は、デバイスチップと、それを装着したチップキャリアーを金(アルミ)のワイヤーで電気的に接続するための装置です。 ワイヤーをセットした針を所望の位置に合わせ、針の先端に超音波を発生させることによりワイヤーをボンディングします。接続は顕微鏡で観察しながら行います。 ・型式:7400D ・ワイヤー径:約Φ25 μmの金線、アルミ線 ・ステージ寸法:260 mm(X)×200 mm(Y) ・ボンディング方式:US・TC サーモソニック方式 ・ボンディングツール長:約19 mm ・ボンディングツール径:約Φ1.58 mm ハイソル社のワイヤーボンダー解説ページ http://www.hisol.jp/products/bonder/wire/mgb/b.html |
配線 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | マスクレス露光装置 | 露光パターン発生用の空間光変調器にDMD(Digital Micromirror Device)を用いたマスクレス方式の露光装置です。 フォトマスクを使用せずに、CADデータ(GDSII形式)にした任意の形状を基板上のフォトレジストに直接パターニングすることができます。 光源は波長405 nmのLEDです。露光最小画素は□1 μm、最大露光領域は□100 mm、重ね合わせ精度は±1 μmです。 株式会社ナノシステムソリューションズのマスクレス露光装置解説ページ http://www.nanosystem-solutions.com/product/maskless.html |
パターン露光 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | スクライバー (リソグラフィ付帯装置) | 切断 | |
| ナノプロセシング施設（NPF） | コンタクトマスクアライナー(MJB4) | 5種類の露光モードを持ち、サブミクロン域までの露光や高精度なアライメント露光が可能な、コンタクト方式高性能手動マスクアライナです。 基板は4インチウェハまで対応し、破片状の小片基板なども処理できます。 フォトマスクは、ホルダーのガイド位置を変えれば、2.5～5インチマスクまで取り付けることが可能です。 ・基板サイズ:2インチ～4インチ、不定形小片～100 mm ・解像度 :約800 nm(バキュームコンタクト使用時) ・波長 :g線・照度 :約40 mW/cm2 ・露光モード:プロキシミティ、ソフトコンタクト、ハードコンタクト、ソフトバキュームコンタクト、バキュームコンタクト ・露光領域 :2.5～5インチ対応マスクホルダー 最大40 mm□ ・4インチ,5インチ対応マスクホルダー 最大75 mmφ |
パターン露光 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | アルゴンミリング装置 | イオンガンで発生させたArイオンビームを試料に照射することで、エッチングを行います。 反応性イオンエッチング(RIE)装置などに比べ、雰囲気が一桁低い圧力(10-2 Pa台)でエッチングの処理が行えます。 ・型式:3-IBE ・ビーム直径: Φ3 cm ・ビーム加速電圧:500, 300 V ・イオン電流密度:1 cm2 あたり1 mA(但し、入射角度0°の時) ・試料室の真空度: ～3 × 10-2 Pa ・パージガス: 窒素ガス |
加工 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | ダイシングソー | この装置は、シリコンウエハーを希望する大きさに切断するものです。 ウエハーは試料台の上にバキューム固定します。 切断する大きさを各方向(x軸、y軸、z軸)の移動パラメータとして設定しておけば切断作業は自動的に行われます。 ワークサイズは220 mm (x)×160 mm (y)です。 切断は円形の刃(ブレード)を高速回転させて加工します。 この装置では、多段カットも可能です。 ブレードを交換することで石英などのSi以外の薄板も切断できます。 ・型式:DAD522 ・最大ワーク寸法:152.4 mm ・切削可能範囲:220 mm (x)×160 mm (y) ・x方向送り速度:毎秒0.3～300 mm ・y方向位置決め精度:0.005 mm ・z方向有効ストローク:26.7 mm |
切断 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | イオンコーター (FIB付帯) | 走査電子顕微鏡観察において、導電性のない試料を観察する際の帯電障害(チャージアップ)を防止するために、Ptあるいはカーボンコーティングをするための装置です。 ・型式:E-1030 ・放電方式:ダイオード放電マグネトロン形(電場・磁場直交形) ・電極形状:対向平行円板(マグネット埋込み) ・電圧:電圧DC 0.4 kV(固定) ・電流:電流DC 0～35 mA(リミット回路付き) ・コーティングレート:最大 毎分6.5 nm (Pt) ・試料サイズ:最大直径:55 mm、最大高さ:20 mm |
成膜 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 物理特性測定装置(PPMS) | 高感度物理特性評価装置。直流抵抗測定(DC)、Hall抵抗測定等が可能です。ヘリウム再凝縮装置が付設されているため、液体ヘリウムの充填が不要です。 ●型番:MODEL6000 ●測定可能温度範囲:1.9～400 K ●温度可変速度:0.01K/分～6K/分 ●超伝導マグネット:±14 T(通常は7 Tまででご利用ください。7 T以上でのご利用をご希望の場合はご相談ください。) ●測定機能:直流抵抗測定(DC)、Hall抵抗測定 その他の測定機能についてはお問い合わせください。 |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | スパッタ成膜装置（芝浦） | 高周波励起によりArプラズマを発生させて成膜材料へ衝突させることにより、基板へ均質緻密な膜をスパッタします。 ロードロック室付なので基板交換を効率良く迅速に行えます。 3種までの材料を逐次多重成膜することが出来ます(手動)。 強磁場を発生させる特別な磁石を組み込んだカソードも1台組み込んであり、強磁性材料に対しても高レートの成膜を可能としています。 真空システムと基板搬送は自動化してあり、操作パネル上で手軽に操作出来ます。 ・型式:CFS-4EP-LL ・スパッタ源:3インチマグネトロン×3式 ・スパッタ電源:高周波自動調整 最大出力500 W ・ロードロック室付・基板テーブル:回転機構付、逆スパッタ ・加熱可、Φ200 mm ・ターゲット-基板間:85 mm ・加熱温度:最大300 ℃ ・膜厚分布:±5%以内@膜厚2 ～3 k?、SiO2成膜時、Φ170 mm内 ・到達真空度:2×10-4 Pa ・反応ガス:Ar, O2, N2 ・成膜時ガス圧:0.2 ～1 Pa 芝浦メカトロニクスのスパッタ装置解説ページ http://www.shibaura.co.jp/products/vacuum/v_01.html |
成膜 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 電界放出形走査電子顕微鏡[S4500_FE-SEM] (2F) | 細く絞った電子線による試料表面の走査によって対象物から放出される二次電子信号を検出することで、表面の凹凸や材質の違いなどを像として表示し、微細加工部の形状などを観察・評価します。特殊な電子銃により電子線を試料表面で細く収束し、非常に微細な構造を表示できます。試料を傾けることにより、三次元形状を把握することも可能です。 ●型式:S-4500 ●電子銃:冷陰極電界放出型電子銃 ●加速電圧:0.5～30 kV ●分解能:1.5 nm (加速電圧15 kV, WD = 4 mm) ●試料ステージ制御:5軸モーター制御 ●可動範囲:X,Y:0～25 mm、Y:0～25 mm、Z:3～28 mm、R:360°、T:-5～45° ●試料サイズ:～50 mmΦ ●検出器:2次電子検出器(2系統)、エネルギー分散型X線検出器 |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | ヘリウムイオン顕微鏡 | ●型番: ORION Plus ●分解能:0.35nm(エッジコントラスト) ●加速エネルギ:10kV ? 35kV ●検出器:二次電子、反射イオン、ルミネッセンス ●付属機器:ガスインジェクションシステム(W, Pt) ヘリウムイオン顕微鏡は冷却イオン源尖端1原子から電界イオン化したヘリウムイオンビームを加速した後、試料表面へ照射し発生する二次電子を用いてSEMと同様に二次電子像を得る装置です。単一光源の利点として焦点深度が深く、SEMに比べ二次電子のエネルギーが低く平均自由工程が1nmと非常に短い(SEM:5~10nm)ためSEMでは得られない極表面形状・構造に敏感な像を高い材料コントラスト差で得ることが可能です。 観察条件では電子に比べヘリウムイオンは試料の内部深くまで入りますので単位体積当たりの試料への負荷エネルギがSEMより3桁以上小さく、熱ダメージに弱い有機材料、バイオ材料(細胞など)などの観察に有利です。また観察時にヘリウムイオン照射で正に帯電した試料表面を電子線照射で中和することできるため絶縁体試料の観察にも有効です。 ヘリウムイオン照射を強くすることにより、グラフェンなど二次元膜の格子欠陥形成による材料物性・機能制御、デバイス試作のための10nm以下のナノ加工なども可能です。ルミネッセンスによる材料評価や電位、温度を制御した状態での評価、加工も実験的に可能となっています。 |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | イオンコーター(SEM付帯) | 集束イオンビーム加工観察において、熱伝導性のない試料の昇華や融解による形状変形 及び熱改質の防止、試料の表面へのイオン注入による汚染(orイオンビーム入射による表面改質)の防止、電気伝導性のない試料の加工や観察への帯電障害(チャージアップ)を防止するため、Ptコーティングを行う装置です。 ●放電方式:ダイオード放電マグネトロン形(電場・磁場直交形) ●電極形状:対向平行円板(マグネット埋込み) ●電圧:最高電圧DC 0.4 kV ●電流:最大電流DC 40 mA ●コーティングレート: Pt 毎分15 nm以上 (参考値) ●試料サイズ:最大直径:60 mm、最大高さ:20 mm |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | 単波長エリプソメータ | 主に薄膜の膜厚や光学定数の測定に利用する装置です。サンプル表面に光を入射させ、その反射光の偏光状態を計測することにより膜厚や光学定数の算出を行います。代表的な利用方法はシリコンウエハ上に成膜したSiO2膜の膜厚測定で、非破壊・非接触で比較的簡便に膜厚(SiO2膜が透明で光吸収が無いと仮定した場合)を計測することが可能です。 ? 型式:DHA-XA2M ? 光源:He-Neレーザ(632.8nm)、LD830(830nm) ? ステージサイズ:4インチウエハ(直径100mm) ? 入射角度:55°~75° |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | 反応性イオンエッチング装置 (RIE) | この装置は、反応性ガス(SF6, CF4, O2)を高周波電界中で活性化し、これにより生じたラジカルイオンをエッチング用粒子として使用して材料表面を削るものです。 基板に高周波電圧を印加する方式により、加速されたイオンが基板に対して垂直方向に入射してエッチングを進めるのでパターンの微細化に有効です。 Φ8インチウェハーまで対応が可能です。 ・型式:RIE-200L ・高周波電界:周波数13.56 MHz(水晶発振制御)、最大300 W ・電界制御:インピーダンスオートマッチング ・電極:セミ無遮蔽型電極、上部Al電極、下部SUS電極電極 ・試料台寸法:寸法Φ240 mm, 電極間隔55 mm ・反応ガス:SF6, CF4, O2 ・パージガス:窒素ガス サムコ株式会社のRIE-200L解説ページ http://www.samco.co.jp/products/list/03_etching/01_rie/rie-200lc.php |
エッチング |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 全焦点顕微鏡 | 本装置は、産業技術総合研究所とフォトロンの共同開発による製品です。 ピント操作をすることなく、被写界深度100 μm の超深度全焦点映像による観察を行うことができます。 全焦点映像は、ピエゾの駆動により対物レンズを上下させ、異なる深度でのスキャン画像30枚を取得します。 さらに、同時に対象物の高低情報を取得することができます。 撮像ユニット部 ・画素サイズ:16 μm x 16 μm ・撮像解像度:512X512画素 ・撮像フレームレート:1,000FPS アクチュエータ部 ・作動距離:最大100 μm ・駆動周波数:最大15 Hz ・各種対物レンズ 取付 ・交換可能 プロセッサ部 ・最大合成枚数:1996枚 ・合成画面出力速度:30枚/秒 ・高低情報画面出力速度:30枚/秒 顕微鏡部 ・照明:落射透過兼用 ・色温度変換フィルタと減光フィルタ ・対物レンズ 10X/20X/50X |
観察 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 高速電子ビーム描画装置(エリオニクス) | 本装置は細く絞った電子ビームをレジストを塗布した基板に照射し、微細な加工(描画)を行うための装置です。加速電圧が130kVであるため非常に微細なパターン(5 nm)を描画することができます。クロック周波数が100 MHzであるため、高速描画が可能です。描画エリアは8インチサイズですが、12インチウエハーをセットすることが可能です。 〇型番:ELS-F130AN 〇電 子 銃 ZrO/W熱電界放射型 〇加 速 電 圧 130kV, 100kV, 50kV, 25kV 〇最小ビーム径 1.7nm (@ 130kV) 〇最小描画線幅 5nm (@ 130kV) 〇最大スキャンクロック 100MHz 〇ビーム電流強度 5pA～100nA 〇フィールドサイズ □100μm、□250μm、□500μm □1000μm (100kV以下) □1500μm(50kV以下) □3000μm (25kV以下) 〇ビームポジション 1,000,000×1,000,000 (20bit DAC) 〇位置決め分解能 0.1nm 〇つなぎ精度 ±10nm 〇重ねあわせ精度 ±15nm 〇描画可能エリア 210mm×210mm 〇最大試料サイズ 12インチΦウェハー又は9インチ□マスク |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | 化合物半導体エッチング装置(ICP-RIE) | 放電形式に誘導結合(Inductively Coupled Plasma:ICP)方式を採用し、各種材料の超微細加工を高速で行うことを目的とした反応性イオンエッチング装置です。本装置は、独自のトルネード型コイル電極の採用により、均一な高密度プラズマを発生させることが可能です。主に化合物半導体および各種金属膜などの高精度の異方性エッチングが可能です。 ●型式: RIE-400iPS ●放電方式: 誘導結合式プラズマ(ICP) ●試料サイズ: 4インチウェハまで対応 ●試料導入方式: ロードロック式 ●ICP高周波電源: 最大500W 、13.56MHz ●バイアス高周波電源: 最大300W、13.56MHz ●使用ガス: Cl2、BCl3、HBr、Ar、O2、CF4 |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | 顕微フーリエ変換赤外分光装置(FT-IR) | 赤外分光法を利用し、試料の定性・定量解析を行うフーリエ変換装置です。 レーザーラマン同様、コンフォーカル機能を搭載した光学顕微鏡システムとの組み合わせにより、高分解能な微小領域解析が可能となっています。 またレーザーラマンとの相補的な評価により、より高度な定性分析が可能です。 ・型式: Nicolet6700、Continuum ・測定波長範囲:350 ? 12500 cm-1、600 ? 11700 cm-1(顕微使用時)・最高分解能:0.09 cm-1 ・オートステージ機能搭載 サーモフィッシャーサイエンティフィック社の赤外顕微鏡解説ページ http://www.thermoscientific.jp/ft-ir-raman/nicolet-continuum.html |
計測 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 原子層堆積装置[FlexAL] | 本装置は原子層堆積法（Atomic Layer Deposition：ALD）を利用して原子層レベルで膜厚を制御して平坦で緻密な薄膜を形成する装置です。 CVD法やPLD法と比較してアスペクト比の高い構造物に均一な膜を成膜することが可能です。 ・型式 FlexAL ・基板ホルダー 2”,3”,4”,6”,8”Φ ウエハ □60 mm、□40 mm、□30 mm、 □20 mm、□15 mm、□10 mm の切り出しチップ 不定形基板（8”Φ以内） ・成膜可能材料及び原料 Al2O3、AlN（TMA：高純度トリメチルアルミニウム） HfO2、HfN（TEMAH：高純度テトラエチルメチルアミノハフニウム） Ru（高純度ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム） SiO2、SiON （TDMAS：高純度トリスジメチルアミノシラン） Ta2O5、Ta3N5、TaN（高純度ｔ－ブチルイミノトリス（メイルエチルアミノ）タンタル） TiN（TDMAT：高純度テトラキスジメチルアミノチタン） TiO2（TTIP：高純度チタンテトライソプロポキシド） ZnO（DEZn：高純度ジエチル亜鉛） ・チャンバー到達真空度 2.0 x 10-5 Pa オックスフォード・インストゥルメンツ株式会社のFlexAL解説ページ オックスフォード・インストゥルメンツ株式会社のALD法解説ページ ALD法の解説ページ（ALD japan） |
金属薄膜、半導体薄膜、誘電体薄膜の成膜 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 微小部蛍光X線分析装置(XRF) | 型式：SEA5120A ・分析元素:Na～U、Si(Li)半導体検出器(LN2冷却)、RhX線管励起、上部垂直照射 ・コリメータ:φ0.1;1;2.5 mm、最大試料サイズ:80 x 80 x 35 (mm)、試料形態:固形;薄膜、雰囲気:大気;真空 ・定性、バルク分析(FP法、検量線法)、薄膜分析(FP法、検量線法)、元素マッピング、レポート作成ソフト 原理（ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修） 微小部蛍光X線分析装置(XRF) http://www.tsc-web.jp/map/pdf/XRF.pdf 日立ハイテクの蛍光X線分析装置回折ページ http://www.hitachi-hitec-science.com/products/xrf/xrf_analysis.html |
計測 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 高分解能電界放出電子顕微鏡(FE-SEM) | この装置は、細く絞った電子線で試料表面を2次元的に走査し、その際に出てくる2次電子信号から、表面の凹凸や材質の違いなどを像として表示します。 微細加工された部分の形状などを観察評価するために用います。 電子線を試料表面で細く収束し、非常に微細な構造を観察するために特殊な電子銃を用いています。 試料を傾けながら像を観察することにより、3次元的な形状を把握することもできます。 ・型式:S-4800 ・電子銃:冷陰極電界放出型電子銃 ・加速電圧:0.5～30 kV ・分解能:1.0 nm(加速電圧15 kV, WD = 4 mm) ・試料ステージ制御:5軸モーター制御 ・可動範囲:X,Y:0～110 mm、Z:1.5～40 mm、R:360°、T:-5～70° ・試料サイズ:15～150 mmΦ ・検出器:2次電子検出器(2系統)、エネルギー分散型X線検出器 原理（ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修） http://www.tsc-web.jp/map/pdf/SEM.pdf |
観察 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 走査プローブ顕微鏡2(SPM2)[SPM-9600・9700] | 試料表面を微小な探針で走査し、表面の三次元形状をスピーディに観察する装置です。 分かり易いインターフェイスの採用やソフトウェアの自動化機能により、SPM初心者の方でも容易に測定が可能です。 ・型式:SPM-9600 ・試料最大形状:φ24 mm × 8 mm ・試料固定:マグネットによる固定 ・スキャナ走査範囲:125 um × 125 um × 7 um ・分解能:水平 0.2 nm、垂直 0.01 nm ・測定モード:ダイナミック、コンタクト、位相、電流、表面電位(KFM) 島津製作所のSPM解説ページ http://www.an.shimadzu.co.jp/surface/spm/spm/index.htm 島津製作所 SPM資料室 http://www.an.shimadzu.co.jp/surface/spm/sol/faq/faq1.htm |
観察 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | レーザー顕微鏡 | この装置は、試料にレーザー光を当て、高さの違いにより生じる反射光量の変化から立体形状を測定します。 CCDカメラで撮影した映像をテレビモニターで観察しながら測定します。 視野範囲内の任意に指定した二点を結ぶ直線上の断面形状を求めるプロファイル測定を始めとした形状解析が可能です。 また、専用の解析アプリケーションを使えば更に詳細な解析が可能です。 ・製造元:キーエンス ・型式:VK-8500 ・測定用レーザー光源:He-Neレーザー ・試料ステージストローク:70 mm(x,y)、28 mm(Z) ・高さ測定範囲:7 mm ・高さ方向最小測定分解能:0.01 μm ・高さ方向繰り返し測定精度:0.03 μm |
観察 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | デバイスパラメータ評価装置 | この装置は、プローバーシステムと半導体パラメータアナライザーから構成されています。 ダイオードやFETなど様々なデバイスの電気伝導特性の測定と解析を行うことができます。 ・型式:4156C(半導体パラメータアナライザー) ・最小電流レンジと測定分解能:±10 pAレンジ(電圧 0～±100 V)、1 fA ・最大電流レンジと測定分解能:±100 mAレンジ(電圧 0～±20 V)、100 nA ・最小電圧レンジと測定分解能:±2 Vレンジ(電流 0～±100 mA)、2 μV ・最大電圧レンジと測定分解能:±100 V、レンジ(電流 0～±20 mA)、100 μV Agilent Technologiesの半導体パラメータアナライザー解説ページ http://www.home.agilent.com/agilent/techSupport.jspx?pid=153517&pageMode=MN&lc=jpn&cc=JP |
計測 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | X線回折装置(XRD) | 試料形状やそれぞれの測定目的に応じて適切な光学系を容易に切り替え構築出来る高精度の粉末X線回折装置です。 集中法、平行ビーム法切替入射光学系“クロスビームオプティクス”を搭載し、集中法、平行ビーム法や薄膜測定光学系を僅かな手差しスリットの交換と測定プログラムの切り替えだけで簡単に設定することができます。 更に、3軸を有する薄膜試料台およびインプレーン測定機構を活用して擬似極点、逆格子マップあるいは薄膜面内回折測定なども行えます。 通常光学系は薄膜測定用に設定されています。 ・型式:Ultima X ・ゴニオメータ:試料水平型、インプレーン測定機構付 ・試料台:薄膜用[4軸(Rx, Ry, Z, Φ)最大試料サイズ100 mm×10 mm]、小角透過法用試料台、6試料自動交換試料台 ・光学系:平行ビーム法、集中法、人工多層膜放物面モノクロメータ、チャンネルカット2結晶モノクロメータ、湾曲結晶モノクロメータ ・X線発生装置:封入管型 ・定格最大出力:3 kW ・データ解析ソフトウエア:反射率、小角粒径 ・空孔径、逆格子マップ ・極点、定性分析、回折パターン総合解析 株式会社リガクの粉末X線回折装置解説ページ http://www.rigaku.co.jp/products/p/xdpd0001/ 測定原理（ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修のリーフレット） X線回折法 X線ロッキングカーブ回折法 |
構造解析 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 四探針プローブ抵抗測定装置 | 4探針プローブ (プローブは試料に応じて交換して使用する) 型式 K-89PS40μR, K-89PS150μR 材質 タングステンカーバイト 針間 1mm 針先R 40μmR, 150μmR 針圧 約800g, 約200g 測定架台 最大試料寸法: 135mm□ Z軸移動 40mm ラックピニオン式 針圧調整 ウエイト加減方式 デジタルソースメータ(抜粋) 最大印加電圧 ±210V, 電流 ±1.05A(MAX 21V), ±1.05mA(MAX 210V) 最小設定分解能 5μV(200mVレンジ), 50 pA(1μAレンジ) ※シート抵抗測定時は、2つの探針に定電流を流し、他の2つの探針に生じる電圧を計測し、V/I×係数 でシート抵抗を求めます。薄膜用(150μmR)とバルク(40μmR)の専用プローブがあります。自動計測プログラムを用いると定電流の極性を変えて電圧計測オフセットをキャンセルしながら計測しながら電流を自動スキャンするため簡単に有効な測定結果が得られる電流を見つけることができます。 |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | 多目的エッチング装置 | 放電形式に誘導結合(Inductively Coupled Plasma:ICP)方式を採用し、各種材料の超微細加工を高速で行うことを目的とした研究開発用のロードロック式エッチング装置です。 本装置では、独自のトルネード型コイル電極の採用により、安定した高密度プラズマを効率よく発生させ、シリコンおよび各種金属薄膜、化合物半導体などの高精度の異方性エッチングが可能です。 ・放電方式:誘導結合式プラズマ(ICP) ・試料サイズ:4インチウェハまで対応 ・試料導入方式:ロードロック式 ・試料温度制御:-25 ～ 200 ℃(熱媒温度) ・高周波出力:500 W , 13.56 MHz、オートマッチング方式 ・ガス制御:最大8系統、バルブおよびマスフローコントローラーによる流量制御方式 |
エッチング |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 電子ビーム描画装置 | 細く絞った電子線を基板表面に照射し、微細な加工(描画)を行うための装置です。 その分解能は電子線のビーム径に依存します。 電子線をスポット照射させる加工方法である為、加工時間は、微細かつ加工領域が大きくなるほど長くなります。 試料は最大6インチ基板まで扱えます。 電子線走査範囲は一辺が100 μm～1 mmの正方形で、描画方式により若干異なりますが、画素数を4000～60000ドットの範囲内から選択できます。 ・型式:CABL-9410TFNA ・電子銃:熱電界放射型ZrO,Wエミッタ ・最小スポット直径:ガウス分布2 nmΦ(加速電圧50 kV) ・描画可能な最小線幅:10 nm(レジスト膜厚100 nmのとき) ・走査方式:ベクター走査、ラスター走査 ・走査領域:最大1 mm□ ・つなぎ合わせ描画領域:最大150 mm□ ・つなぎ合わせ精度:50 nm以下 ・重ね合わせ精度:50 nm以下 ・試料寸法:最大6インチΦ×4.6 mm(高さ) 株式会社クレステックのCABLシリーズ解説ページ http://www.crestec8.co.jp/japaneseF/prod/elec/ |
パターン露光 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | ナノプローバ(N-6000SS) | ・プローブユニット ユニット数:6本(探針数) 微動範囲:5um(X,Y軸) 粗動範囲:5mm(X,Y軸) 駆動方式:ピエゾ素子使用 ・試料ステージ 試料サイズ:15mm×15mm、厚さ1mm以下 可動範囲:15mm×15mm以上 加熱・冷却機能付(ステージ温度:-40～150℃) ・電子光学系 電子銃:冷陰極電界放出型電子顕微鏡 加速電圧:0.5～5kV (※EBACモード:最大30kV) イメージシフト:±30um以上(1kV、WD=5mm) ・デバイスアナライザ 型式:B1500(Agilent製) モジュール:B1520A MFCMU [1KHz～5MHz CV機能] B1517A HRSMU [100mA/42V 電流/電圧出力、1fA/0.5uV電流/電圧測定分解能] ・付加機能 EBAC(Electron Beam Absorbed Current) 半導体デバイスの配線・電極やナノカーボン材料他の新材料に直接プローブを接触させ、それらの電気特性を評価するプローバです。 冷陰極電界放出型走査電子顕微鏡(FE-SEM)搭載のため、高倍率観察下でのプロービングが可能です。 またプローブユニットは6本対応となっており、様々な測定ニーズに合わせて使用出ます。 |
成膜 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | プラズマCVD装置 | 本装置は液体ソースを用いたプラズマ化学気相成長装置であり、テトラエトキシシラン(TEOS)を原料として酸化シリコン膜を成膜することができます。 RF電源はオートマッチングシステムで制御され、投入パワーは最大300 Wとなっています。 ステージ加熱機構は抵抗加熱方式となっており、最大400 ℃まで昇温が可能です。 ・電極間隔: 25 mm(上部電極:Al製、下部電極:SUS製) ・ステージ加熱機構:抵抗加熱方式(MAX400 ℃) ・RF電源: 13.56 MHz水晶発振(MAX300 W ソリッドステート方式) ・導入ガス: C2F6 (MAX100 sccm),O2 (MAX1000 sccm),TEOS (MAX30 sccm) ・ガス噴出口:上部電極一体式シャワー状マニホールド ・排気系: ロータリーポンプ+メカニカルブースターポンプ ・オートプレッシャーコントローラー: コンダクタンス可変型 ・有効成膜範囲: φ220 mm |
成膜 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 集束イオンビーム加工観察装置(FIB) | この装置はガリウムイオンビームを集束・走査することで特定の微小領域を微細加工するものです。 2次電子像を観察しながら断面試料やTEM試料等を作製することが可能です。 タングステン膜の形成も可能であり、ガリウムイオンビームを走査して任意の場所にタングステン配線やタングステン保護膜を形成することができます。 そのほか任意形状の加工やビーム電流可変により試料に合わせた加工・観察が可能です。 ・型式:FB-2100 ・イオン源:ガリウム液体金属イオン源 ・加速電圧:10 ～ 40 keV ・像分解能:6 nm ・ビーム径:1.3 μm, 600 nm, 300 nm, 160 nm, 80 nm, 40 nm, 10 nm 原理（ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修） http://www.tsc-web.jp/map/pdf/FIB.pdf 日立ハイテクの集束イオンビーム加工観察装置解説ページ http://www.hitachi-hitec.com/science/fib/fb2200.html |
加工、観察 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 電子ビーム真空蒸着装置 | 高真空中で金属や化合物などの成膜材料へ電子ビームを照射し、発生した蒸発物を基板上に付着堆積させることにより成膜します。成膜シ-クェンスを組むことにより、自動的8種までの材料の多層膜を作製することができます。高沸点材料や熱伝導率の高い材料では、ソースからの輻射熱が多くなり、条件によっては100 ℃を超えるため、非耐熱性基板では注意を要します。 ●蒸着方式:電子ビーム加熱蒸発、180°配向型、6 kW電子銃 ●蒸発源:8連装 ●クルーシブル容量:10 ml ●基板ホルダ:最大基板サイズ100 mm×100 mm×20 mm、傾斜ホルダ、冷却機構付(最低温度130 K) ●蒸発源―基板間:300 mm ●試料導入:ロードロック自動搬送 ●真空排気システム:到達圧力3×10^-6 Pa以下、オイルフリー、自動排気 ●成膜:水晶振動子膜厚モニタによる自動制御 ●膜厚分布:10 %以内@Φ75mm |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | RF-DCスパッタ堆積装置(芝浦) | 直流または高周波励起によりArプラズマを発生させ、ターゲット材へ衝突させることにより、 基板へ均質緻密な膜をスパッタします。カソードは3つあり、3種類までの材料を同一バッチで成膜することが出来ます。 ロードロック式なので基板交換を迅速に行えます。真空システムと基板搬送は自動化してあり、操作パネルで手軽に操作出来ます。 【NPF025】スパッタ成膜装置(芝浦)と同型ですが、排気ポンプ能力が大きく、短時間に高真空が実現できます。また操作が簡単な直流スパッタが利用できます。 基板加熱なし、常磁場カソードのみの装着です。 ●型式:CFS-4EP-LL、i-Miller ●スパッタ源 : 3インチマグネトロン×3式 ●スパッタ方式 : 直流スパッタ、高周波スパッタ ●基板テーブル : 回転機構付、逆スパッタ可能、Φ200 mm ●ターゲット-基板間距離 : 82 mm ●基板加熱 : なし ●膜厚分布 : ±5%以内@膜厚～600nm(SiO2、Φ170 mm) ●到達真空度 : 10-5 Pa台 ●スパッタガス : Ar、O2、N2 ●成膜時ガス圧(標準): 0.5Pa ●常備ターゲット : Au、Pt、Ti、Cr、Ta、W、Cu、Al、SiO2、TiN |
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| 先端バイオ計測施設（BIO） | 構成糖分析システム | 粉体もしくは溶液に存在する多糖を加水分解し、単糖組成を解析 | 構成糖分析 |
| 先端バイオ計測施設（BIO） | 細胞内相互作用解析システム | 2プレートを最小セットとして解析。96穴の各場所のサンプル配置は任意で決定可能 | 相互作用解析用溶液自動分注および混合 |
| 先端バイオ計測施設（BIO） | 糖鎖プロファイル解析システム | レクチンアレイでは96種のレクチンとの反応パターンを取得できる。糖鎖アレイでは98種の糖鎖への結合特異性を解析できる。１スライドで7種類のサンプルの解析が可能。 | 各種生体試料中の糖鎖プロファイリング、及び糖結合タンパク質の糖鎖結合特異性解析 |
| 先端バイオ計測施設（BIO） | 植物転写因子相互作用解析システム | 興味あるDNAまたはタンパク質と相互作用するシロイヌナズナ、イネの転写因子を網羅的・ハイスループットに探索できる。96穴プレート4枚から成るライブラリーを自動的にスクリーニングする。 | 植物転写因子を対象とした改良型酵母ワン・ツーハイブリッドスクリーニング |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | マニュアルプローバ | 試料サイズ：8インチウェハ マニュアルプロービングによる、試作デバイスの電気特性計測評価。 |
評価装置（後工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 小口径スパッタ | 試料サイズ：4インチウェハ標準 バッチ式。マグネトロンスパッタによるウェハへの各種金属膜および酸化膜の形成 |
ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | フーリエ変換赤外分光装置 | 試料サイズ：8インチ標準 赤外スペクトル測定波数：4000～500cm-1 顕微測定径：最小10ミクロン SOI膜厚測定、PSG.BPSG分析機能 |
評価装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | レーザードップラー測定器 | 試料サイズ：最大12インチ 測定振動周波数：1~20MHz 最小測定スポット径：約φ１μm |
評価装置（後工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 自動光学顕微鏡 | 試料サイズ：8インチ標準 基本機能：最大1000倍、自動搬送、外観検査モジュール、光学カメラ付き |
評価装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 小型ナノインプリント装置 | 試料サイズ：最大25mm角 機能：熱ナノインプリントによる微細パターン加工 最高温度：600℃ 最大荷重：200kgf（試料サイズにより制限有り） |
加工装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | レーザ描画装置 | 描画エリア：最大125mm×125mm 機能：レーザー描画によるマスクレスパターン露光 最小描画サイズ：L/S 1.5ミクロン 描画速度：50mm2/min |
リソグラフィ装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 4"フォトリソグラフィー設備 | 試料サイズ： 4インチウェハ 機能：ウェハへのマスクアライメント、1：1転写露光、裏面アライメント対応 |
リソグラフィ装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 4"酸化炉 | ウェハ寸法：４インチウェハ 機能：Siウェハへの熱酸化膜形成、バッチ式、横型チューブ仕様、ウェット酸化、ドライ酸化 酸化温度：最高1100℃ |
ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 化学ドラフト | 化学薬品によるウェハの手動洗浄、ウェットエッチングプロセス、等が可能な局所排気装置。作業部間口1800mm | ウエットプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 4"スパッタ装置 | 試料サイズ： 4インチウェハ ロードロックチャンバ付きバッチ式。マグネトロンスパッタによるウェハへの各種金属膜形成 |
ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 4”Si深掘りドライエッチング装置 | 試料サイズ： 4インチウェハ フッ素系ガスのICP高密度プラズマによるドライエッチング。ボッシュプロセス深堀り加工 |
ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 電界放射形SEM | 試料サイズ：最大4インチウェハ 機能：電界放射型電子源による高倍率走査型電子顕微鏡観察観察 |
評価装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | イオンミリング装置 | 試料サイズ： 8インチウェハ 不活性ガスの高密度イオンビームによる、物理的ドライエッチング。 |
ドライエッチング装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 有機ドラフト | ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：ウェハの手動有機洗浄作業と有機溶剤含有塗布剤スピンコーティングが可能な局所排気装置、作業面幅1800mm | ウエットプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 赤外線顕微鏡 | ウェハ寸法：8インチ、機能：赤外線光源による顕微観察、画像処理機能付属 | 評価装置（後工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | ウェハスピン洗浄装置 | 試料サイズ： 8，12インチウェハ ウェットエッチング液による枚葉処理スピン洗浄･乾燥、洗浄プロセス：アンモニア/過酸化水素水、塩酸/過酸化水素水、希釈フッ酸による洗浄と超純水リンス洗浄、ウェットアンローダー付属。 |
ウエットプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 大面積ナノインプリント装置 | 試料サイズ： 200mm角以下 熱および光ナノインプリントによる微細パターン形成 加工温度：200℃ 最大圧力：5MPa |
加工装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | IPAベーパー乾燥機 | ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：ウェハを5枚バッチ処理でIPAベーパー雰囲気に晒して水分を除去･乾燥、特徴：ウェハスピン洗浄装置及び異方性ウェットエッチング装置と共通のウェハカセットを使用 | ウエットプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | パリレンコータ | 試料サイズ：最大100mm | 加工装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 異方性ウェットエッチング装置 | ウェハ寸法：8インチウェハ 機能：恒温薬品槽へのウェハディッピングによるシリコン異方性エッチング、超純水リンス洗浄、5枚バッチ全自動搬送処理、ウェハ処理槽内搖動による均一エッチング エッチング液：TMAH |
ウエットプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 電子ビーム/抵抗蒸着装置 | ウェハ寸法：8、12インチウェハ、機能：電子ビーム及び抵抗加熱方式真空蒸着、8インチ3枚バッチ、12インチ枚葉処理、成膜速度例：30－60nm/分 | 実装装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | マスク露光装置 | 試料サイズ： 8インチウェハ 機能：ウェハへのマスクアライメント 1：1転写露光、ラージギャップ、高段差露光、裏面アライメント対応 露光モード：バキューム/ハードコンタクト/プロキシミティ露光 アライメント精度：±0.5μm以内 標準レジスト厚さ：1μm、10μm |
リソグラフィ装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | マスクレス露光装置 | 試料サイズ： 最大500mm角、12，8インチウェハ、その他任意形状 レーザ光源とDLP（MEMSミラー）によるパターン直描露光 最小線幅：1μm |
リソグラフィ装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | チップtoウェハ接合装置 | チップサイズ： 3-20 mm 角 ウェハ(基板)サイズ： 12インチウェハ以下 ウェハ及び基板上へのフリップチップ接合。 接合温度：60-450℃ アライメント精度：±0.5μm |
実装装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | i-線ステッパ | 試料サイズ： 8インチウェハ ｉ-線(紫外線)によるレチクルパターンの1/5縮小投影露光 最小解像線幅：0.35μm 使用レチクル：6インチ角 標準レジスト厚さ：１μm |
リソグラフィ装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 熱処理装置 | ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：真空及びN2ガス雰囲気での熱処理、10枚バッチ処理、横型、真空チューブ仕様、最大加熱温度：600℃ | 実装装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | X線CT評価装置 | 試料サイズ： 8，12インチウェハ，チップ形状 X線CTスキャン顕微鏡観察 チップホルダ 観察エリア：最大8インチ、 最高分解能：1μm |
評価装置（後工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 光学顕微鏡 | 試料サイズ：最大12インチウェハ | 評価装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 光表面処理装置 | ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：エキシマランプによるDeepUV 光照射 | 実装装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | Si酸化膜プラズマCVD装置 | 試料サイズ： 8，12インチウェハ TEOSプラズマCVDによるSi酸化膜低温形成、成膜温度：150-200℃ |
ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | ウェハtoウェハ接合装置 | 試料サイズ： 4，6，8インチウェハ ウェハtoウェハの低温接合（陽極接合、プラズマ活性化接合、金属熱圧着） プラズマ活性化チャンバ 接合チャンバ内アライメント機能 アライメント精度：±0.5μm 接合温度：60-250℃、 最大加圧力：20000N |
実装装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | スパッタ | 試料サイズ： 8インチウェハ 3チャンバ構成マグネトロンスパッタによるウェハへの各種金属膜、絶縁膜形成、ターゲットへのDC/RF電圧選択印加可能 |
ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | ダイシェアテスタ | 試料サイズ：最大100mm、最大荷重 2,000N | 評価装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | エリプソメーター | ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：自動エリプソメトリー、膜厚測定精度：±1nm/100nm厚さ | 評価装置（前工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 酸化炉 | ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：Siウェハへの熱酸化膜形成、25枚バッチのカセット･ツー･カセットウェハ搬送処理、縦型チューブ仕様、水素ガス燃焼による水蒸気利用ウェット酸化とドライ酸化、酸化温度：最高1150℃ | ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 光学顕微鏡 | 試料サイズ：最大12インチウェハ | 評価装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | アニール炉 | ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：Siウェハの雰囲気中アニール処理、25枚バッチのカセット･ツー･カセットウェハ搬送処理、縦型チューブ仕様、アニール温度：最高1150℃ | ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 大面積コーターディベロッパ | 試料サイズ：最大500mm角 | リソグラフィ装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 光学顕微鏡 | 試料サイズ：最大12インチウェハ | 評価装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 12ウェハ常温接合装置 | ウェハ寸法：4、6、8、12インチ、機能：ウェハ/ウェハ常温接合（表面活性化接合）、最大接合荷重：200kN、アライメント精度：±1μm | 実装装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | Si窒化膜減圧CVD装置 | ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：減圧CVDによるSiウェハへの窒化膜形成、25枚バッチのカセット･ツー･カセットウェハ搬送処理、縦型チューブ仕様、内部応力制御成膜可能 | ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 測長SEM | ウェハ寸法：8インチ、片面鏡面研摩ウェハ対応、 機能：走査型電子顕微鏡による寸法測定、測長範囲：0.1－2.0μm、 解像分解能：3nm、観察倍率：1000－300000倍 |
評価装置（後工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 金属膜ドライエッチング装置 | ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：ハロゲン系ガスのICP高密度プラズマによる難加工金属膜のドライエッチング加工、ウェハの腐食防止アッシング加工、カセット･ツー･カセット搬送処理、エッチング終点判定機能 | ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 8Si深掘ドライエッチング装置 | 試料サイズ： 8インチウェハ フッ素系ガスのICP高密度プラズマによるドライエッチング加工、ボッシュプロセス深堀り加工、カセット･ツー･カセット搬送処理 プラズマ発光分光検出 ウェハエッジ保護機能付属 |
ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 膜厚測定器 | ウェハ寸法：8、12インチウェハ、機能：反射分光方式非接触膜厚測定、分光曲線フィッティングによる屈折率及び膜厚測定、測定エリア：8インチ径以内、測定膜厚：10nm－40μm、繰り返し精度：0.1% | 評価装置（前工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | アッシャー | ウェハ寸法：8、12インチウェハ、機能：ウェハの酸素プラズマアッシング、2バッチ処理可能 | ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | レジストスプレーコータ | 試料サイズ：300mm | リソグラフィ装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | ポリSi減圧CVD装置 | ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：減圧CVDによるSiウェハへのリンドープ･ポリシリコン膜形成、25枚バッチのカセット･ツー･カセットウェハ搬送処理、縦型チューブ仕様 | ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 分析SEM | ウェハ寸法：4、6、8、12インチウェハ、機能：走査型電子顕微鏡による表面観察、元素分析、結晶解析ユニット、チップ観察ホルダ付属、観察倍率：30－300000倍 | 評価装置（後工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 段差測定器 | ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：触針式ウェハ表面形状評価、表面プロファイル及びストレスマッピング機能、先端角20度の鋭角スタイラス付属、測定レンジ：5－300μm、再現性：最小レンジで1nmσ | 評価装置（前工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 赤外線レーザ顕微鏡 | ウェハ寸法：最大12インチウェハ、機能：赤外線レーザによる共焦点顕微観察、各種表面プロファイル分析 | 評価装置（前工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | Si酸化膜ドライエッチング装置 | 試料サイズ： 8インチウェハ フッ素系ガスによるICPドライエッチング、Si酸化膜・Si窒化膜の非ボッシュプロセスによるエッチング加工 カセット･ツー･カセット搬送処理 エッチング終点判定機能 |
ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | シート抵抗プローバー | ウェハ寸法：最大8インチウェハ、機能：セミオート4探針抵抗率／シート抵抗測定、測定範囲：1m-10MΩ/□、測定精度：±1%以下 | 評価装置（前工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 犠牲層ドライエッチング装置 | 試料サイズ： 4，6，8インチウェハ フッ酸ベーパーによるSi酸化膜犠牲層のドライエッチング 終点判定機能付属 |
ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | ウェハディップ洗浄装置 | ウェハ寸法：8、12インチウェハ、機能：ウェットエッチング液による5枚バッチ処理ディップ洗浄･スピン乾燥、前処理用汎用無機ドラフト付属、洗浄プロセス：硫酸/過酸化水素水、希釈フッ酸による洗浄と超純水リンス洗浄 | ウエットプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 12Si深掘ドライエッチング装置 | 試料サイズ： 12インチウェハ ボッシュプロセス深堀り加工、カセット･ツー･カセット搬送処理、プラズマ発光分光検出機能付属 |
ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 無機ドラフト | 間口1200mm | ウェットプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | ブレードダイサー | 試料サイズ： 最大12インチウェハ ダイヤモンドブレードによるウェハ切断、ステージ分解能：0.1μm 送り速度：0.1－600mm/s |
加工装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 超音波顕微鏡 | ウェハ寸法：12インチ以下、機能：接合されたウエハなどの内部欠陥（ボイド、クラック、剥離など）の観測 | 評価装置（後工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | ウェハ塵埃検査装置 | ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：ウェハ面上の塵埃数測定、ステージ移動によるマッピング及び粒子径分布ヒストグラム表示、カセット･ツー･カセット搬送処理、検出粒子径：0.079－5.0μm | 評価装置（前工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 反応性イオンエッチング装置 | ウェハ寸法：８インチ以下、機能：ハロゲン系ガスによるSi酸化膜のドライエッチング、酸素プラズマによるアッシング | 加工装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 光学検査顕微鏡 | ウェハ寸法：4、6、8インチウェハ、機能：光学顕微鏡観察 によるウェハ自動欠陥検査、測定エリア：最大8インチ、最小検出欠 陥寸法：2μm |
評価装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 干渉型表面形状評価装置 | ウェハ寸法：最大8インチウェハ、機能：白色干渉型非接触表面プロファイル測定、垂直分解能：0.1nm | 評価装置（前工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | レーザステルスダイサー | 試料サイズ： 最大8インチウェハ レーザによる低ダメージ・ドライ切断、カセット・ツー・カセット搬送処理、ステージ分解能：0.1μm |
加工装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 薄膜応力評価装置 | ウェハ寸法：8インチ以下、機能：レーザ光によるウェハ反り量の非接触計測、内部応力値への換算評価 | 評価装置（後工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | レーザ顕微鏡 | ウェハ寸法：最大12インチウェハ、機能：可視光線レーザによる共焦点顕微観察、各種表面プロファイル分析、光源波長：405nm | 評価装置（前工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | レジスト塗布現像装置 | ウェハ寸法：8インチ 機能：レジスト塗布、アルカリ現像液、HMDS処理、ベーク処理、カセット･ツー･カセット自動搬送処理 |
リソグラフィ装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | テスタープローバー | ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：プローブカードによる大気中でのウェハレベル電気的特性評価、セミオートウェハ搬送処理、容量計測・周波数解析機能、音響加振機能付属 | 評価装置（後工程） |
| スーパークリーンルーム（SCR） | ArF液浸レジスト塗布現像装置 | 用途： 超高解像度リソグラフィ 特徴： ArF レーザ光（波長193nm）の液浸露光と3層レジストにより、最小線幅45nm のリソグラフィが可能な、SCR を代表する装置 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： L01-104 |
露光装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | ArF液浸露光装置 | 用途： 超高解像度リソグラフィ 特徴： ArF レーザ光（波長193nm）の液浸露光と3層レジストにより、最小線幅45nm のリソグラフィが可能な、SCR を代表する装置 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： L01-103 |
露光装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | KrFレジスト塗布現像装置 | 用途： 高解像度リソグラフィ 特徴： KrFレーザ光（波長248nm）の露光により最小線幅200nm程度までのリソグラフィに使用 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M01-08 |
露光装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | KrF露光装置 | 用途： 高解像度リソグラフィ 特徴： KrFレーザ光（波長248nm）の露光により最小線幅200nm程度までのリソグラフィに使用 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M01-10 |
露光装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | i線レジスト塗布現像装置 | 用途： 裏面アラインメント露光、厚膜レジスト露光 特徴： 3次元実装に必要となる、厚膜レジストの露光や、IRを使用した両面の位置合わせが可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： U01-102 |
露光装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | IRアラインメント付i線露光装置 | 用途： 裏面アラインメント露光、厚膜レジスト露光 特徴： 3次元実装に必要となる、厚膜レジストの露光や、IRを使用した両面の位置合わせが可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： U01-101 |
露光装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | レジスト塗布現像装置 | 用途： 300mmウエハにレジストを塗布、露光後のウエハをTMAHで現像する 特徴： 一般的なレジスト塗布現像装置 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M01-04 |
露光装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | プラズマCVD装置 | 用途： プラズマ成膜装置（Cuライン） 特徴： Low-k、SiCN成膜 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： B03-07 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | プラズマCVD装置 | 用途： プラズマ成膜装置（Cuライン） 特徴： a-Si、TEOS、SiO2成膜 対応基板：φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M03-06 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | プラズマCVD装置 | 用途： プラズマ成膜装置（Cuライン） 特徴： SiO2、SiN成膜 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： B03-06 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | プラズマCVD装置 | 用途： プラズマ成膜装置（メタルライン） 特徴： SiO2、SiN成膜 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： F03-103 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 高密度プラズマCVD装置 | 用途： プラズマ成膜装置（HDP-CVD、Non-Metal、Metalライン） 特徴： バイアス印加による埋め込みSiO2成膜 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M03-01 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 高密度プラズマCVD装置 | 用途： プラズマ成膜装置（HDP-CVD、Cuライン） 特徴： バイアス印加による埋め込みSiO2、SiN成膜 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P03-101 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | High-k ALD装置 | 用途： High-k（Al2O3、HfO2）成膜 特徴： 成膜方法は電子層堆積方式、酸化剤は水またはオゾン 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M03-14 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | メタルCVD装置 | 用途： W ビア形成 特徴： 化学気相成長法により有機金属を原料にして金属薄膜を堆積、凹凸のあるパターン面に対して、Ｗなどの均一な膜厚の金属膜を形成可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M06-04 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 窒化膜LP-CVD装置 | 用途： SiN成膜 特徴： 化学気相成長法によりシリコン窒化膜を堆積する装置 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： F03-07 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 酸化膜LP-CVD(TEOS)装置 | 用途： TEOS SiO2成膜 特徴： 化学気相成長法により、TEOS（テトラエトキシシラン）を原料にしてシリコン酸化膜などを堆積する装置 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M03-03 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | Doped-Si LP-CVD装置 | 用途： a-Si、poly-Si、doped poly-Si成膜 特徴： プロセスガスの切替えにより、Bドープ、Pドープ、ノンドープのSi成膜が可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P03-103 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | プラズマCVD装置 | 用途： プラズマ成膜（Cuライン） 特徴： a-Si、SiO2、SiON、SiN成膜 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： U03-101B |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | バリアシードスパッタ装置 | 用途： バリア層、シード層形成 特徴： Cuめっき配線層のためのバリア層（Ta, TaN）、シード層（Cu）成膜に利用 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： B06-101 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 新材料スパッタ装置 | 用途： スパッタ成膜 特徴： 各種メタル、あるいは化合物のスパッタが可能、DC、RFいずれも可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： F06-101 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | メタルスパッタ装置 | 用途： スパッタ成膜 特徴： DCスパッタリング法によりメタルターゲットを原料にメタル薄膜を堆積 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M06-03 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | メタルスパッタ装置 | 用途： スパッタ成膜 特徴： DCスパッタリング法によりメタルターゲットを原料にメタル薄膜を堆積、RFも一部可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M06-07 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | Cuメッキ装置 | 用途： Cuダマシンプロセス 特徴： Cu配線のため、バリア/シード層形成後に電解めっきを行う 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： B06-102 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | Poly-Siエッチング装置 | 用途： Siエッチング 特徴： Poly-Siゲート等のSiのエッチングを行う装置 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M02-04 |
エッチング装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | メタルエッチング装置 | 用途： メタルエッチング 特徴： Al、その他メタル系エッチング装置、またアッシングチャンバーにてパッシベーション（後処理）が可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M02-05 |
エッチング装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | Low-k/メタルエッチング装置 | 用途： エッチング 特徴： 酸化膜等のエッチング用 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： B02-101 |
エッチング装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 酸化膜エッチング装置 | 用途： 前工程コンタクトホール形成等 特徴： 酸化膜/窒化膜に強い異方性エッチングを行うことができ、コンタクトホールやサイドウォール形成に利用される 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M02-01 |
エッチング装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 酸化膜エッチング装置 | 用途： ハードマスクエッチング等 特徴： 酸化膜等のドライエッチング装置 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M02-10 |
エッチング装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | Low-kエッチング装置 | 用途： 後工程コンタクトホール形成等 特徴： 酸化膜等の異方性エッチングを行うことができ、コンタクトホール形成に利用される 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： B02-01 |
エッチング装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 新材料エッチング装置 | 用途： 新材料エッチング全般 特徴： 酸化膜、Poly-Si及び金属膜等の異方性エッチングを行うことができ、最小LS 45nmの加工に利用される 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： F02-101 |
エッチング装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | アッシング装置 | 用途： Cu工程アッシング 特徴： O2ガス系又はH2ガス系でアッシングできるチャンバーを選択可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： B02-03 |
アッシング装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | アッシング装置 | 用途： 前工程アッシング 特徴： ダウンストリームタイプアッシングとして利用される 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M02-07 |
アッシング装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | アッシング装置 | 用途： 前工程アッシング 特徴： High dose impla後のアッシングに利用される 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P02-105 |
アッシング装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 高エネルギー中電流イオン注入装置 | 用途： 高エネルギー中電流のイオン注入 特徴： イオン種はP、BF2、Bなど 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M05-03 |
イオン注入装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 低エネルギー高電流イオン注入装置 | 用途： 低エネルギー高電流イオン注入 特徴： SCRでは注入エネルギーにより2台の装置を使い分けており、本機は50keV以下の低エネルギー条件で使用 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： F05-101 |
イオン注入装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | RTA/RTP装置 | 用途： RTP、熱酸化（薄膜）及びアニール 特徴： 急速加熱によるO2を使用した酸化、N2を使用したアニールが可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M03-101 |
熱処理装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | ゲート酸窒化RTO/RTP装置 | 用途： ゲート酸化・窒化 特徴： マイクロ波でプラズマ生成、ウエハ温度400℃ 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M04-02 |
熱処理装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 縦型アニール装置 | 用途： Cuリフロー 特徴： バッチ処理装置、H2（3％）/N2（97％）又はN2（100％）雰囲気でリフロー可 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： B04-01 |
熱処理装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 縦型酸化炉 | 用途： 熱酸化膜成膜 特徴： 一般的な熱酸化膜成膜用 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M04-101 |
熱処理装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | バッチ式洗浄装置 | 用途： 拡散前洗浄、パーティクル除去、成膜前洗浄 特徴： バッチ式洗浄（SPM、SC-1） 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M07-15 |
洗浄装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 酸化膜ウェットエッチング装置 | 用途： 酸化膜エッチ 特徴： バッチ式洗浄（DHF、BHF） 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M07-07 |
洗浄装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 窒化膜ウェットエッチング装置 | 用途： 窒化膜エッチング 特徴： バッチ式洗浄（燐酸） 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P07-104 |
洗浄装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | バッチ式スプレー洗浄装置 | 用途： メタル除去 特徴： スプレー式洗浄 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M07-05 |
洗浄装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 枚葉式洗浄装置 | 用途： 表面/裏面スピン洗浄 特徴： 枚葉式でウエットスピン洗浄（DHF、Ｈ2Ｏ2など）を行う 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M07-02 |
洗浄装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 枚葉式洗浄装置 | 用途： 表面/裏面スピン洗浄（Cuエリア） 特徴： 枚葉式でウエットスピン洗浄（DHF、EKC）を行う 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M07-101 |
洗浄装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 枚葉式洗浄装置 | 用途： 表面/裏面スピン洗浄 特徴： 枚葉式でウエットスピン洗浄（DHF、EKC、裏面FPMなど）を行う 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M07-102 |
洗浄装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 枚葉式新材料洗浄装置 | 用途： 表面/裏面スピン洗浄(メタル汚染除去） 特徴： 枚葉式でウエットスピン洗浄（DHF、EKC）を行う 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M07-13 |
洗浄装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | スクラブ洗浄装置 | 用途： 異物除去 特徴： 枚葉式で表面水洗洗浄、裏面ブラシ洗浄 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M07-09 |
洗浄装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | スクラブ洗浄装置 | 用途： 異物除去 特徴： 枚葉式で表面水洗洗浄、裏面ブラシ洗浄 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M07-12 |
洗浄装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | STI、W CMP | 用途： Ox膜, W膜のCMP研磨 特徴： STI形成、Ox膜の平坦化、W-Via埋込などに適用 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号：N07-101 |
CMP装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | CMP装置 | 用途： Cuダマシンプロセス 特徴： Cu配線形成のため、Cuメッキ層とバリア/シード層の研磨を行う 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P07-101 |
CMP装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | Si深掘りエッチング装置 | 用途： TSVエッチング 特徴： Bosch法により極めてアスペクト比の高い深掘りが可能で、貫通配線（TSV）の形成等に使用される 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： B02-101D |
3D実装装置（中間工程） |
| スーパークリーンルーム（SCR） | プラズマCVD装置 | 用途： プラズマ成膜、SA-CVD（カバレッジ）（Cuライン） 特徴： SA-TEOS、PE-TEOS成膜 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： U03-101A |
3D実装装置（中間工程） |
| スーパークリーンルーム（SCR） | Cuめっき装置 | 用途： Cu TSVプロセス 特徴： Cu TSVのため、バリア/シード層形成後に電解めっきを行う 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： U06-101 |
3D実装装置（中間工程） |
| スーパークリーンルーム（SCR） | Oxide CMP装置 | 用途： Ox、SiのCMP研磨 特徴： ウェハ貼り合せ加工前のウェハ表面研磨用、酸化膜またはシリコンを任意の膜厚に研磨し表面状態を整える 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： U07-101 |
3D実装装置（中間工程） |
| スーパークリーンルーム（SCR） | ウェハ接合装置 | 用途： ウェハ接合装置 特徴： 高精度なアライメント技術を用いた12インチ専用3次元ウェハ接合装置 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： U12-102 |
3D実装装置（中間工程） |
| スーパークリーンルーム（SCR） | ウェハエッジトリミング装置 | 用途： 接合ウエハエッジ部薄層化 特徴： 2枚のウエハを接合後、片側エッジ部を薄く加工し、その後別装置でグラインダを行う 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： U07-102 |
3D実装装置（中間工程） |
| スーパークリーンルーム（SCR） | Si裏面研削研磨装 | 用途： 接合ウェハ薄層化 特徴： 2枚のウェハを接合後、片側を薄く加工する 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： U07-103 |
3D実装装置（中間工程） |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 重ね合わせ精度測定装置 | 用途： 重ね合わせ測定 特徴： 下地パターンに対しての重ね合わせ露光時の合わせずれの測定、解析を行う装置 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M08-55 |
重ね測定 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 重ね合わせ精度測定装置 | 用途： 重ね合わせ測定 特徴： 下地パターンに対しての重ね合わせ露光時の合わせずれの測定、解析を行う装置 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P08-116 |
重ね測定 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 分光エリプソ膜厚測定装置 | 用途： 膜厚測定 特徴： 酸化膜、窒化膜等の膜厚測定を行う 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M08-07 |
薄膜解析 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 分光エリプソ膜厚測定装置 | 用途： 膜厚測定 特徴： 酸化膜、窒化膜等の膜厚測定を行う 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M08-101 |
薄膜解析 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 分光エリプソ膜厚測定装置 | 用途： 膜厚測定 特徴： 酸化膜、窒化膜等の膜厚測定を行う 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P08-108 |
薄膜解析 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 分光エリプソ膜厚測定装置 | 用途： 膜厚測定 特徴： 酸化膜、窒化膜等の膜厚測定を行う 対応基板： φ300mm 装置番号： I08-101 |
薄膜解析 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 単色エリプソ膜厚測定装置 | 用途： 膜厚測定 特徴： 632.8nmのレーザーを使用して膜厚測定します 対応基板： φ100mm 装置番号： AF08-12 |
薄膜解析 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 反射分光膜厚測定装置 | 用途： 膜厚測定 特徴： 波長範囲380-1700nm、測定膜厚範囲20nm-250μm 対応基板： φ300mm 装置番号： P08-104 |
薄膜解析 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 蛍光X線膜厚測定装置 | 用途：金属膜厚測定 対応基板： φ300mm 装置番号： M12-08 |
薄膜解析 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | X線回折装置 | 用途： 薄膜材料評価 特徴： In-Planeアーム搭載試料水平配置高精度ゴニオメータを使用したX線回折装置 対応基板： φ300mm、φ200㎜、φ100㎜など 装置番号： F08-04（現在利用提供を中止） |
薄膜解析 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 反り/膜応力自動測定装置 | 用途： 反り・膜応力膜応力測定 特徴： 自動反り膜応力測定装置 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： B12-101 |
反り・応力測定 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 反り/膜応力測定装置 | 用途： 反り・膜応力膜応力測定 特徴： 手動反り膜応力測定装置 対応基板： φ300mm 装置番号： M08-12 |
反り・応力測定 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | パーティクル検査装置 | 用途： パーティクル測定 特徴： ウェハ表面に付着した最小42nmまでの異物を検出し、分布・座標を出力することが可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P08-105 |
パーティクル検査 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | パーティクル検査装置 | 用途： パーティクル測定 特徴： ウェハ表面に付着した最小42nmまでの異物を検出し、分布・座標を出力することが可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P08-106 |
パーティクル検査 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 全反射蛍光X線分析装置 | 用途： ウエハ表面の汚染分析用蛍光エックス線分析装置 特徴： 3種類のビームを用いて全反射蛍光エックス線の測定をSDD検出器により実施 対応基板： φ300mm 装置番号： P08-107 注意：プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
金属汚染検査 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 自動濃縮装置 | 用途： ウェハ表面の金属汚染分析 特徴： HF蒸気によりウェハ表面の金属汚染を濃縮する 対応基板： φ300mm 装置番号： P08-109 注意：プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
金属汚染検査 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | ICP-MS 質量分析装置 | 用途： サンプルの汚染分析 特徴： 自動濃縮装置で回収したHF中の汚染元素分析を高感度に行う（ウェハ汚染測定以外の分析は対応不可） 装置番号： P08-113 注意：プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
質量分析 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | シート抵抗測定装置 | 用途： 金属膜のシート抵抗測定 特徴： 4端子法による抵抗値測定 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M08-10 |
抵抗測定 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | シート抵抗測定装置 | 用途： 金属膜のシート抵抗測定 特徴： 4端子法による抵抗値測定 対応基板： φ300mm 装置番号： M08-25 |
抵抗測定 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | シート抵抗測定装置 | 用途： 金属膜のシート抵抗測定 特徴： 4端子法による抵抗値測定 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P08-102 |
抵抗測定 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 測長SEM装置 | 用途： リソグラフィ後パターン検査 特徴： フォトリソ後のレジストパターンの測長を行う走査型電子顕微鏡 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： I08-110 |
SEM観察 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 測長SEM装置 | 用途： リソグラフィ後パターン検査 特徴： フォトリソ後のレジストパターンあるいは加工後の加工形状の測長を行う走査型電子顕微鏡 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： L08-103 |
SEM観察 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 測長SEM装置 | 用途： リソグラフィ後パターン検査 特徴： フォトリソ後のレジストパターンあるいは加工後の加工形状の測長を行う走査型電子顕微鏡 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P08-101 |
SEM観察 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 測長SEM装置 | 用途： リソグラフィ後パターン検査 特徴： フォトリソ後のレジストパターンあるいは加工後の加工形状の測長を行う走査型電子顕微鏡 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P08-103 |
SEM観察 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | レビューSEM | 用途： SEM観察 特徴： 表面傾斜15°までのSEM観察と、欠陥検査機からの情報による欠陥レビュー・EDX分析が可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P08-115 |
SEM観察 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 光学顕微鏡 | 用途： 光学顕微鏡観察 特徴： ウェハ表面の検査に使用され、暗視野・明視野での観察が可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M08-40 |
光学顕微鏡 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 光学顕微鏡 | 用途： 光学顕微鏡観察 特徴： ウェハ表面の検査に使用され、暗視野・明視野での観察が可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M08-50 |
光学顕微鏡 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 光学顕微鏡 | 用途： 光学顕微鏡観察 特徴： ウェハ表面の検査に使用され、暗視野・明視野での観察が可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M12-101 |
光学顕微鏡 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 光学顕微鏡 | 用途： 光学顕微鏡観察 特徴： ウェハ表面の検査に使用され、暗視野・明視野での観察が可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M12-102 |
光学顕微鏡 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 超音波顕微鏡 | 用途： 接合ウェハの接合状態評価 特徴： 接合ボイド観察に利用される 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P08-110 注意：プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
3D実装評価装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 高精度微細形状測定機 | 用途： ウェハの表面形状評価 特徴： 表面凹凸や面粗さ観察に利用される 対応基板： φ300mm 装置番号： P08-111 注意：プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
3D実装評価装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 赤外線顕微鏡システム | 用途： 接合ウェハの接合状態評価 特徴： 接合アラインメント評価に利用される 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P08-112 注意：プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
3D実装評価装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 赤外線拡大鏡 | 用途： 接合ウェハの接合状態評価 特徴： 接合強度評価に利用される 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P08-114 注意：プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
3D実装評価装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | ヘリウムイオン顕微鏡 | 用途： 高解像度観察、超微細加工 特徴： He+イオンによる観察で、電子顕微鏡と比べて深い焦点深度や、e-ビームを併用した電荷中和が可能 対応基板： 小片基板 装置番号： J04-106 |
高分解観察 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | FIB装置 | 用途： デバイス断面評価用試料加工、観察 特徴： Ga+イオンビームによるSTEM観察試料の作成及び観察に利用される 対応基板： 小片基板 装置番号： B08-02-01 注意：プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
FIB加工/STEM |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 走査透過電子顕微鏡 | 用途： デバイス断面評価、元素分析等 特徴： FIBと併用して、試作したデバイスの断面観察や不良解析に利用される 対応基板： 小片基板 装置番号： AF08-402 注意：プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
FIB加工/STEM |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 走査透過電子顕微鏡 | 用途： デバイス断面評価、元素分析等 特徴： FIBと併用して、試作したデバイスの断面観察や不良解析に利用される 対応基板： 小片基板 装置番号： B08-02 注意：プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
FIB加工/STEM |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 走査電子顕微鏡 | 用途： 微細素子・材料の観察評価 特徴： FE-SEM、100倍～500K倍観察、45°tilt可、EDX分析装置も装備 対応基板： 小片基板 装置番号： J03-117 注意：プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
断面SEM |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 走査電子顕微鏡 | 用途： 断面観察 特徴： フォトリソ後のレジストパターンや加工後のウエハーを破断し、レジストパターンや加工パターンの断面形状を確認するSEM 対応基板： 小片基板 装置番号： M08-04 注意：プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
断面SEM |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 走査電子顕微鏡 | 用途： 断面観察 特徴： フォトリソ後のレジストパターンや加工後のウエハーを破断し、レジストパターンや加工パターンの断面形状を確認するSEM 対応基板： 小片基板 装置番号： B08-12 注意：プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
断面SEM |
| スーパークリーンルーム（SCR） | X線光電子分光分析装置 | 用途： 試料表面に存在する元素と原子価、結合状態を分析する装置 特徴： 単色Al Kα線を用いたXPSスペクトル測定が可能 対応基板： 小片基板 装置番号： AF08-14 |
分析 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | IR-OBIRCH解析装置 | 用途： 故障個所特定装置 特徴： 近赤外レーザー光を使用したOBIRCH解析によりICチップ内部のショート、リーク、高抵抗等の不良箇所の絞り込みに利用 対応基板： φ300mm 装置番号： B10-06 |
分析 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 昇温脱離ガス分析装置 | 用途： TDSガスの質量分析装置 特徴： 真空中で材料や試料を昇温加熱した際に、表面から発生するガスの同定(定性分析)や発生するガスの試験間比較(半定量分析)が可能 対応基板： 小片基板 装置番号： J03-116（現在装置トラブルのため利用提供を中止） |
分析 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 赤外分光分析装置 | 用途： フーリエ変換赤外分光光度計 特徴： 赤外光の吸収スペクトル測定を行う 対応基板： 小片基板 装置番号： J03-114 |
分析 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | フルオートプローバ | 用途： 電気特性評価 特徴： ウェハの状態で電気特性の自動計測・マッピングが可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： J03-118 |
電気特性評価 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | テスター | 用途： 半導体パラメーターの電気測定 特徴： 高速、高精度測定、またマルチチャンネルSMUにより並列測定が可能 装置番号： J03-118 |
電気特性評価 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | フルオートプローバ | 用途： 電気特性評価 特徴： ウェハの状態で電気特性の自動計測・マッピングが可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M08-42 |
電気特性評価 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | テスター | 用途： 電気特性評価 特徴： SMU（8チャンネル)、4284A、3458A、81116Aにより4探針抵抗測定、MOSトランジスタ、キャパシタ、フラッシュ等の電気的特性の測定、48ピンプローブカードによりデバイス切り替え測定が可能 装置番号： M10-01 |
電気特性評価 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | フルオートプローバ | 用途： 電気特性評価 特徴： ウェハの状態で電気特性の自動計測・マッピングが可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M10-05 |
電気特性評価 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | テスター | 用途： 電気特性評価 特徴：SMU（6チャンネル)、High Speed CMU、3458Aにより四探針抵抗測定、MOSトランジスタ、キャパシタ等の電気的特性の測定、48ピンプローブカードによりデバイス切り替え測定が可能 装置番号： M10-05 |
電気特性評価 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | セミオートプローバ | 用途： 電気特性評価 特徴： セミオートプローバー、ウェハの状態で電気特性の自動計測・マッピング、温度依存性測定が可能 対応基板： φ300mm 装置番号： F10-01 |
電気特性評価 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | テスター | 用途： 電気特性評価 特徴： 半導体パラメータ・アナライザ4156C、LCRメータ4284A、インピーダンス・アナライザ4294Aで構成、Cacade S-300と接続して測定 装置番号： F10-01 |
電気特性評価 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | セミオートプローバ | 用途： 電気特性評価 特徴： セミオートプローバー、ウェハの状態で電気特性の自動計測・マッピングが可能 対応基板： φ300mm 装置番号： M10-04 |
電気特性評価 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | テスター | 用途： 電気特性評価 特徴： 4156CによるMOSトランジスタ、パルス印可、4284AによるCV特性、インピーダンス測定が可能、スイッチングマトリックスによりプローブと計測器接続を自動変更可能 装置番号： M08-47 |
電気特性評価 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 水銀プローバ | 用途： 膜特性評価 特徴： 水銀を用いて、電極形成無しに薄膜の特性をキャパシタンス - 電圧（CV）法と電流 - 電圧（IV）法で測定可能（IV法は故障中） 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： J03-115 |
電気特性評価 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 露光シミュレータ | 用途： 露光条件、パターンの最適化 特徴： 主に液浸ArFリソグラフィを最適化するために使用する 装置番号： SIM-01 注意：プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
シミュレータ |