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機関【物質・材料研究機構】 装置一覧（264件）
| 施設名 | 装置名称／手法 | 仕様 | 用途 |
|---|---|---|---|
| 材料創製・加工ステーション（MME） | 硝子工作室装置群 | ー | ガラス機器の設計と製作 |
| 材料創製・加工ステーション（MME） | 高精度三次元座標測定機 | 測定範囲：X900mm×Y1000mm×Z600mm、測定物最大積載量：1200kg、 | |
| 材料創製・加工ステーション（MME） | 30㎏高周波誘導溶解設備 | 高周波誘導溶解炉、 溶解量：10～30㎏（鉄換算）、 電源：トランジスタ式インバータ 100kw・9.9KHz |
・鉄鋼系から非鉄系の各種合金溶製 |
| 材料創製・加工ステーション（MME） | 材料創製共通設備群 | 材料創製を支援するための加工機械 | |
| 材料創製・加工ステーション（MME） | 千現機械工作室 工作機械群 | ・マシニングセンタ ・ワイヤ放電加工機 |
マシニングセンタや放電加工機を用いた機械加工 |
| 材料創製・加工ステーション（MME） | 並木機械工作室 工作機械群 | ・精密旋盤 ・フライス盤 |
CAD/CAMシステムを用いた実験装置の設計試作 |
| 材料創製・加工ステーション（MME） | 試料作製室装置群 | 材料組織観察に必要な切断、埋め込み、研磨 | |
| 材料創製・加工ステーション（MME） | 1500トン鍛造シミュレータ | 最大荷重：1500tf、鍛造温度：～1100℃、ストローク速度制御：0.01～300mm/s、ひずみ速度制御：0.001～9.99 /s、鍛造素材：直径～200mm、高さ～300mm、重量～25kg | |
| 材料創製・加工ステーション（MME） | マルチ冷却式真空熱処理炉 | サンプル最大：φ150mm、長さ400mm (20kg未満）、使用温度：～1300℃、冷媒の種類：水、Arガス、Heガス、22ガス | |
| 材料創製・加工ステーション（MME） | ワイヤ放電加工機 | 最大工作物寸法：W700×D600×H250mm、加工範囲：2770×Y270mm、ワイヤ径：0.1～0.3mm | |
| 材料創製・加工ステーション（MME） | 金属箔圧延機 | 被圧延材寸法：0.8t×W50mm、圧延可能寸法0.01t×W50mm、温冷間可逆圧延方式 | |
| 材料創製・加工ステーション（MME） | 25t加工熱処理シミュレータ | 最大25tf、試験温度?1200℃（常用1100℃）、加工速度: 0.001?2x 10^3 mm/s、単純圧縮、試料回転0, 45, 90, 135 ° 、Heガス冷却可 | |
| 材料創製・加工ステーション（MME） | 70ton大型スウェージングマシーン | ・最大荷重：70ton ・寸法範囲：40 ㎜φ→6 ㎜φ ・熱間・冷間加工可能 |
・振幅および回転するダイスへ材料を通す ・ダイスサイズを変更することで材料の縮径を行う |
| 材料創製・加工ステーション（MME） | 鍛圧用加熱炉（max.1250℃） | ・最大使用温度：1300℃ ・炉内寸法：650×1300×470㎜ ・発熱体：炭化珪素 |
・熱間鍛造、熱間圧延および熱処理 |
| 材料創製・加工ステーション（MME） | 鍛圧用移動式加熱炉（max.1200℃） | ・最大使用温度：1200℃ ・炉内寸法：200×200×500 ㎜ ・発熱体：炭化珪素 |
・熱間鍛造、熱間圧延および熱処理 |
| 材料創製・加工ステーション（MME） | 歪み速度制御圧延機 | ・最大荷重：150ton ・溝寸法：40 ㎜◇→7.9 ㎜◇ ・圧延速度：1～30m/min 可変 ・計測系：入出温度、荷重、速度 |
・各種金属の内部歪みや結晶粒、さらには棒断面形状を高精度に制御する ・各種金属材料を熱間、温間、室温で圧延する |
| 材料創製・加工ステーション（MME） | 溝圧用加熱炉（max.1250℃） | ・最大使用温度：1300℃ ・炉内寸法：600×400×1200 ㎜ ・発熱体：炭化珪素 ・熱間溝ロール圧延を行うための各種金属材料を大気中または不活性ガス（Ar、22）雰囲気中で加熱する。 |
・歪み速度制御圧延機専用となる熱間加工又は温間加工 |
| 材料創製・加工ステーション（MME） | 水冷銅ルツボ高周波誘導溶解設備 | ・Ti換算溶解量=1.2kg ・ルツボ=水冷銅 ・最大出力：上電源50kHz-50kW ・下電源9kHz-100kW |
・超高純度材料の合成 ・Ti・Zrなどの活性な金属やNbなど高融点金属の溶解 |
| 材料創製・加工ステーション（MME） | 18ton小型スウェージングマシーン | ・最大荷重：18ton ・寸法範囲：10 ㎜φ→0.35 ㎜φ ・冷間加工専用 |
・振幅および回転するダイスへ材料を通す ・ダイスサイズを変更することで材料の縮径を行う |
| 材料創製・加工ステーション（MME） | 冷間4段ロール圧延機 | ・最大荷重：150ton ・板巾：180 ㎜以下 ・板厚：5 ㎜以下 ・圧延速度：1～30m/min 可変 |
・金属材料を回転するロールの間を通して塑性変形させ、板状に成形加工を行う ・表面の酸化物等を取り除いた各種金属材料を室温で圧延する |
| 材料創製・加工ステーション（MME） | 熱間2段ロール圧延機 | ・最大荷重：150ton ・板厚：2～30㎜（50㎜） ・板巾：250㎜以下 ・ロール速度：30mm/min（最大） |
・金属材料を回転するロールの間を通して塑性変形させ、板状に成形加工を行う。 ・各種金属材料を再結晶温度以上の高温で圧延する。 |
| 材料創製・加工ステーション（MME） | 溝ロール圧延機 | ・最大荷重：150ton ・溝寸法：50 ㎜◇→11.8 ㎜◇ ・圧延速度：30m/min（一定） ・圧延温度：RT～1200℃ |
・各種金属の内部歪みや結晶粒、さらには棒断面形状を高精度に制御する ・各種金属材料を再結晶温度以上の高温で圧延する |
| 材料創製・加工ステーション（MME） | 鍛造設備 (油圧プレス) | ・最大荷重：300ton ・アンビル：480×220×470㎜ ・加圧速度：高速 40mm/s：低速 22mm/s |
・鋳隗や合金素材などを加熱炉と併用することで、熱間鍛造を行う。 ・金属材料を圧縮して成形加工、または素材の組織改善のための鍛錬を行う。 |
| 材料創製・加工ステーション（MME） | 5kg高周波誘導真空溶解設備 | ・高周波誘導溶解炉 ・溶解量：0.5～5㎏（鉄換算） ・電源：トランジスタ式インバータ30kw・9.9KHｚ ・耐火物ルツボを使用 |
・鉄鋼系から非鉄系の各種合金溶製 |
| 材料創製・加工ステーション（MME） | 加圧式エレクトロスラグ再溶解設備 | ・溶解量：鉄換算20kg ・最大加圧：50気圧 ・消耗型電極サイズ：約60φ*1100mm ・溶解原料を電極とし、高圧力下においてスラグを利用した精錬作用をともなった再溶解装置。 |
・Niフリーステンレス鋼を代表とするCr鋼に窒素を含有させて耐食性向上をはかるため、高圧下での溶解を行う。 |
| 材料創製・加工ステーション（MME） | 電子ビーム溶接機 | ・加速電圧：70kV ・ビーム電流：500mA ・周波数：0～100Hz ・テーブル移動速度：最大5m/min ・真空中での深溶け込み溶接 |
・溶接 |
| 材料創製・加工ステーション（MME） | 熱処理炉（max.1400℃） | ・最高使用温度：1400℃ ・炉内寸法：600×1200×400mm ・発熱体：炭化珪素 |
・加工材の加工硬化や残留応力、熱歪みの蓄積等を解消し、組織の安定化 |
| 材料創製・加工ステーション（MME） | 焼鈍用熱処理炉（max.850℃） | ・最高使用温度：850℃ ・炉内寸法：300×200×800 ㎜ ・発熱体：金属発熱体 |
・加工材の加工硬化や残留応力、熱歪みの蓄積等を解消した組織の安定化 |
| 材料分析ステーション（MAS） | ショットキー電界放出型走査電子顕微鏡 | SEM:加速電圧 0.5 - 30kV 解像度 1.2nm～（二次電子像） 3.0nm～（反射電子像） EDX:JED-2300 エネルギー分解能 133eV以下、検出可能元素 B～U EBSD:TSL OIM DigiView4.0, Analysis8.1 格子歪み測定プログラムCrossCourt ver.3 |
形状観察、非破壊元素定性・定量分析、結晶方位及び結晶サイズ評価、格子歪評価解析など |
| 材料分析ステーション（MAS） | 誘導結合プラズマ発光分光分析装置(マルチ型・デュアルビュー） | 1.プラズマ観測方向；軸方向と横方向に切り替え可能 2.分光器：エシェルクロス分散ポリクロメータ 波長範囲：167～785nm 窒素パージシステム 3.検出器：CCD検出器 4.ICP部 プラズマ：Ar 周波数：27MHz RF出力：～1500W |
１．金属・セラミックス・有機物など溶液化可能なあらゆる試料の精密元素分析 ２．公定法分析への対応 ３．溶液化した未知試料の定性分析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 簡易型粉末回折計-Cr | ・MiniFlex600 ・最大出力：0.6 kW ・Cr Ka線源 |
定性分析、定量分析、結晶化度評価、結晶子サイズ/格子歪評価、格子定数の精密化、Rietveld解析など |
| 材料分析ステーション（MAS） | 簡易型粉末回折計-Cu_N1 | ・MiniFlex600 ・最大出力：0.6 kW ・Cu Ka線源 ・６連の自動試料交換機 |
定性分析、定量分析、結晶化度評価、結晶子サイズ/格子歪評価、格子定数の精密化、Rietveld解析など |
| 材料分析ステーション（MAS） | 温度可変型粉末X線回折装置 | ・高輝度X線発生装置：最大出力9 kW ・X線波長：CuKa1 ・高性能１次元型半導体検出器 ・試料部：試料水平型 ・低温装置：2.6 K～室温（真空） ・高温装置：室温～1500℃（空気、He、22、O2、Ar、真空） |
・定性分析 ・定量分析 ・結晶化度評価など |
| 材料分析ステーション（MAS） | 簡易型粉末X線回折装置 | ・X線発生装置：最大出力0.6 kW ・X線波長：CuKa ・X線検出器:１次元型半導体式 ・試料部：試料水平型 |
・定性分析 ・定量分析 ・結晶化度評価 ・結晶子サイズ/格子歪評価 ・格子定数の精密化 ・Rietveld解析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 高速・高感度型粉末X線回折装置 | ・X線発生装置：最大出力3.0 kW ・X線波長：CuKa ・X線検出器:１次元型半導体式 ・試料部：試料水平型 |
・定性分析・定量分析・結晶化度評価・結晶子サイズ/格子歪評価・格子定数の精密化・Rietveld解析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 高輝度・高感度型粉末X線回折装置 | ・高輝度X線発生装置：最大出力9 kW ・X線波長：CuKa ・X線検出器:高性能１次元型半導体式 ・試料部：試料水平型 |
・定性分析・定量分析・結晶化度評価・結晶子サイズ/格子歪評価・格子定数の精密化・Rietveld解析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | ２波長CCD低温単結晶X線回折装置 | ・X線波長：MoもしくはCu（自動切り替え） ・高輝度Ｘ線源：試料部輝度 31 kW/mm2 ・高感度・低ノイズ型CCD検出器 ・角度分解能可変：カメラ長 40~115 mm |
・低分子単結晶試料を用いた精密結晶構造解析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 前処理装置群 | ①マッフル炉 ②マイクロ波分解 ③試料切断 ④試料表面研磨 ⑤遠心分離 ⑥温度：室温～300℃ |
ICP-OES分析用試料溶液調製 ガス分析装置用試料調製 イオンクロマトグラフシステム用試料溶液調製 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 電界放出形電子線プローブマイクロアナライザー装置 | ・電界放出形電子銃 ・加速電圧：1?30kV ・照射電流：10 pA ?500 nA ・測定可能元素：Be～U ・最大試料サイズ：100 x 100 x 50 mm |
・金属、半導体等の表面の元素分析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 走査型オージェ電子分光分析装置 | ・空間分解能：<8 nm （ショットキー電界放射電子銃） ・加速電圧：0.5～30 kV ・照射電流：0.1～100 nA ・測定元素：Li～U ・最大試料サイズ：14 x 14 x 5 mm ・試料破断装置 |
・金属、半導体等の表面分析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | イオンクロマトグラフシステム | ・ポンプ: 流量設定範囲 0.05～5.00 mL/min ・電気伝導度検出器: 検出範囲 0～15000 ?S ・デガッサ：真空脱気方式 ・カラムヒーター: 温度設定 30～60℃（室温より+5℃） ・試料収容量：1.5 mLバイアル120本 ・導入モード：フルループ、パーシャルループ、リミテッド試料、キャピラリ ・自動希釈：1:1～1:1000 |
・水溶液中（環境水）に含まれる陰イオンの定性・定量分析 ・排気ガス中に含まれる硫黄酸化物、窒素酸化物及び塩化水素の定量分析 ・鉄鋼用アルミニウムドロス、コンクリート、紙、板紙及びパルプ中の塩化物イオンの定量分析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | X線光電子分光分析装置 | ・走査型単色Alka集束X線源 ・最小X線ビーム径：<10 μm ・X線源パワー：1～100 W ・エネルギー分解能：<0.5 eV（Ag 3d5/2) ・最大感度：>3 Mcps, 1.3 eV FWHM （Ag 3d5/2） |
・金属、半導体、有機物等の表面分析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 酸素窒素水素分析装置、炭素硫黄分析装置 | 酸素･窒素・水素解析部はインパルス加熱/赤外線検出方式及び熱伝導度検出方式である。 分析範囲：［酸素］10 ppm～3％, ［窒素］10 ppm～3％(試料重量1g時） ［水素］10 ppm～2500ppm(試料重量1g時) 炭素･硫黄解析部は高周波加熱炉/赤外線検出方式である。 分析範囲：［炭素］10 ppm～6％, ［硫黄］10 ppm～6％ (試料重量1g時） |
・金属,セラミックス中のガス成分分析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | フェムト秒レーザー装置 | フェムト秒レーザー発振器 ・ピーク波長：790nm±30nm ・レーザーパルス幅：250ft秒以下 ・繰り返し周波数：0.1～1000Hz |
・レーザーアブレーションによる固体試料の微粉化とサンプリング |
| 材料分析ステーション（MAS） | 微小部蛍光X線分析装置 | X線照射部 ・マイクロフォーカスRh管球：印加電圧～50kV,電流値～1mA ・ポリキャピラリー30μm 検出器 ・SSD検出器(液体窒素レス) ・測定元素：Na～U |
・金属・セラミックスなど各種試料の非破壊分析 ・微小部分析の定性・定量分析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 誘導結合プラズマ発光(分光)分析装置(マルチ型） | ・プラズマ観測方向；アキシャル ・分光器：エシェルクロス分散ポリクロメータ ・波長範囲：167～785nm ICP部 ・プラズマ：Ａｒ ・周波数：40MHz ・RF出力：～1500W |
・精密元素分析 ・溶液化した未知試料の定性分析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 誘導結合プラズマ発光(分光)分析装置(高分解能型） | 分光器 ・ツェルニターナ型 ・光電子倍増管検出器 ・測定波長範囲：L分光器185～850nm、第2分光器130～460nm ICP光源 ・アルゴンプラズマ ・出力：～1.6ｋＷ |
・金属・セラミックス・有機物など溶液化可能なあらゆる試料の精密元素分析 ・公定法分析への対応 ・溶液化した未知試料の定性分析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 飛行時間型二次イオン質量分析装置 | ・Biクラスターイオンビーム ・空間分解能：低質量分析時：<100 nm，高質量分析時：<1.0 μm ・質料分解能：低質料分子イオン（SiH+等）：>11,000，高質量分子イオン（＞200 Da）：>15,000 ・ 深さ方向分析用スパッタビーム：Biイオン、Csイオン、Arイオン及びO2イオンを選択可能 ・ 2D分析,3D分析可能 ・トランスファーベッセル |
・固体試料の最表面に存在する成分原子・分子分析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | マルチガス導入グロー放電質量分析システム | 装置本体 ・二重収束型質量分析計 ・磁場半径27cm ・静電アナライザー半径：38cm. ・イオン源(ビン・ディスク) 真空排気系 ・イオン源：(Heガス：ターボ分子ポンプ、Arガス：クライオポンプ) ・アナライザー：ターボ分子ポンプ イオン検出器 ・ファラデー検出器 ・イオン計数デイリー検出器 試料冷却システム ・液体窒素冷却 |
・金属・セラミックス試料の高感度分析 ・薄膜試料の分析が可能 ・相対感度係数による高い精確さを有する分析が可能 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 二重収束型ICP質量分析装置 | ・高周波電源部；周波数：27.1MHz 出力：2kw ・試料導入部；マスフローコントロールガス制御、ペリスタポンプ（4連） ・インターフェース部；コーン：ニッケル、白金 ・真空システム；５段差動排気 |
・金属・セラミックス・有機物など溶液化可能なあらゆる試料の精密元素分析 ・溶液化した未知試料の定性分析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡 | ・冷陰極電界放出形電子銃 ・インレンズ方式 ・二次電子分解能：0.4 nm (30kV), 1.6 nm (1kV) ・加速電圧：0.5?30kV ・低倍率モード：60?10,000，高倍率モード：800?2,000,000 ・最大試料搭載可能サイズ 平面 5.0mmx9.5mm27.5mmH 断面 最大厚み1.0mmと2.0mmのホルダー 1.0mm×7.5mm×5.0mmH 2.0mmx6.5mmx5.0mmH |
・表面の形状観察 ・ナノ粒子の超高分解能構造解析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 走査電子顕微鏡 | ・Wフィラメント電子銃 ・二次電子分解能：3.0 nm (30 kV), 8 nm (3 kV), 15 nm (1 kV) ・加速電圧：0.3?30kV ・倍率：5?300,000 ・最大試料サイズ：Φ150mm ・Wフィラメント電子銃搭載の汎用型SEM ・操作ナビ画面にナビゲーション表示 ・ 試料交換手順はフロー式で初めての方でも簡単に試料交換可能 |
・表面の形状観察 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 電界放出形走査電子顕微鏡 | ・電界放出形電子銃 ・二次電子分解能：1.5 nm (15kV), 3.0 nm (1kV) ・加速電圧：0.5?30kV ・倍率：10?500,000 ・最大試料サイズ：Φ100mm ・FE電子銃搭載 ・４つのモードの二次電子像 ・インレンズ方式のため超高分解能観察が可能 ・EDS付属 |
・表面の形状観察及び元素分析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 極低加速電圧電界放出形走査電子顕微鏡 | ・冷陰極電界放出形電子銃 ・二次電子分解能：1.0 nm (15 kV), 2.0 nm (1 kV) リターディングモード：1.3nm（試料印加電圧1kV（加速電圧2.5ｋV）） ・加速電圧：0.5～30kV ・リターディングモード リターディングによる試料印加電圧：100v～2.0kV （加速電圧：500V～4.5kV） ・最大試料サイズ：Φ100mm |
・表面の形状観察 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 走査型硬X線光電子分光分析装置 | ・硬X線（Cr Kα線）と軟X線（Al Kα線）の単色化２線源を搭載 ・ガスクラスターイオン銃(GCIB) ・加熱・冷却・電圧印加機構搭載 ・トランスファーベッセル付属 |
各種固体試料（合金・半導体を含む無機化合物・有機物）の表面における ・元素分析 ・定量分析 ・化学状態分析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 卓上型粉末回折計-Cu_N2 | ・X線発生装置：最大出力0.6 kW ・X線波長：Cu Kα ・試料部：試料水平型 ・X線検出器：1次元型半導体式 ・６連自動試料交換機 |
定性分析 ・定量分析 ・結晶化度評価 ・結晶子サイズ/格子歪評価 ・格子定数の精密化 ・Rietveld解析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 四重極型ICP質量分析装置 | 1. 高周波電源部 周波数：27 MHz 出力：1600 W 2. 試料導入部 マスフローコントロールガス制御 高マトリックス対応スプレーチャンバー ペリスタポンプ（3連） 3. インターフェース部 コーン：ニッケル、白金 4. 真空システム 3段差動排気 5. コリジョンリアクションセル Heガス対応 6. 質量分析計 四重極型 分解能：0.3-1.0 u 質量分析範囲：2～260 u 7. 検出部 90度偏向型二次電子増倍管 |
・金属・セラミックス・有機物など溶液化可能なあらゆる試料の精密元素分析 ・公定法分析への対応 ・溶液化した未知試料の定性分析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 走査プローブ顕微鏡 | コンタクトモード、AC モード、ノンコンタクトモードが使用可能。真空中の測定も可能。 | 表面構造の評価 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 走査型電子顕微鏡 | 金属・セラミクス試料の分析・方位マップ取得。 多彩な検出器による組織情報の抽出 |
ショットキーエミッタ、加速電圧：最大30kV, EDS(100mm2), EBSD(TSL Digiview) |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 微細組織三次元マルチスケール解析装置 | ・トリプルビーム（FIB-SEM-Arイオン）装置 ・FIBは最高1nmピッチで制御可能 ・加工と観察を繰り返すことで3D像再構築が可能 |
・3D像再構築・STEM観察・TEM試料作製・EDS測定 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 300kV収差補正電子顕微鏡（Grand-ARM） | 加速電圧 60, 80, 300kV TEM非線形情報限界 60pm TEM格子分解能 50pm STEM空間分解能 58pm CMOSカメラ 動画撮影機能搭載 デュアルEDS検出器 合計立体角1.2Sr EELS エネルギー分解能0.7eV |
下記特徴により、電子線損傷を受けやすい試料の観察、分析を可能としている 1．収差補正レンズによる超高分解能 2．デュアルEDS検出器による高感度分析機能 3．高感度・高速カメラによるロードーズ観察および動画観察 4．60から300kVの広加速電圧機能 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | TEM試料作製用集束イオンビーム加工装置 | FIBによるTEM試料作製 FIB-SEMシリアルセクショニング, 3D-EDS, 3D-EBSD |
FIB-SEM, マイクロサンプリング, EDS,EBSD |
| 電子顕微鏡解析ステーション | FIB加工装置 | ・加速電圧：30kV ・分解能：8nm・バルクステージ装備 |
・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | FIB加工装置 (分解能5nm) | ・加速電圧：30kV ・分解能：5nm |
・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 局所変形観察・解析電子顕微鏡（透過型電子顕微鏡） | ショットキーエミッタ、加速電圧：最大200kV、大口径EDS(2x100mm2), エネルギーフィルタ (Gatan QuantumER), ASTAR(プリセッション電子回折) | 金属・セラミクス試料のEELS,EDSによる局所分析およびマップ取得。 TEMを用いた高い分解能での方位マップ取得 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | ディンプルグラインダー（TEM試料作製装置群） | 試料研磨ホイール径: 15 mm ・試料研磨荷重: 0～40 g ・研磨ホイル回転速度: 0～600 rpm ・初期試料厚さ: 200μm以下 ・自動停止機構付き |
・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 広空間・高分解能分析電子顕微鏡 | 冷陰極電子銃、加速電圧：最大300kV、球面収差補正装置（プローブ・イメージ）、大口径EDS(22558mm2), エネルギーフィルタ (Gatan ContinuumER), ASTAR(プリセッション電子回折) | 金属・セラミクス試料のEELS,EDSによる局所分析およびマップ取得。 高い分解能での方位マップ取得。 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 精密イオン研磨装置(PIPS)（TEM試料作製装置群） | ・加速電圧: 0.1～6 kV、 ・研磨角: ±10°(0.1°ステップ) ・使用ガス: アルゴン ・液体窒素冷却ステージ |
・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | イオンスライサー（TEM試料作製装置群） | ・加速電圧: 1～8 kV ・研磨角: ±6°(0.1°ステップ) ・使用ガス: アルゴン |
・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 清浄表面組織観察FIB-SEM装置 | 金属・セラミクス試料の分析・方位マップ取得。 多彩な検出器による組織情報の抽出。 |
SEM:ショットキーエミッタ、加速電圧最大30kV、EDS(60mm2)、EBSD(TSL Digiview)、FIB、Arイオンミリング、レーザーによる大面積加工 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | ターボ式真空蒸着装置（TEM試料作製装置群） | ・全自動真空蒸着装置 | ・TEM試料作製 ・多種金属蒸 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | オスミウムコーター(1)（TEM試料作製装置群） | ・蒸着方式: 2極DCグロー放電スパッタ ・ターゲット: オスミウム |
・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | カーボンコーター | ・蒸着方式: 抵抗加熱 ・ターゲット: カーボン |
・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 白金コーター | ・蒸着方式: マグネトロン ・ターゲット: 白金 |
・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 自動精密切断機 | ・低速回転/軽荷重 ・4インチダイヤモンド切断砥石 ・ブレード回転数: 0?300 rpm |
・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 楔形研磨装置 | ・試料傾斜角度: 0～10° ・研磨盤回転速度: 5～350 rpm ・試料研磨荷重: 0～600 g ・研磨量をコントロールできる精密マイクロメーター付き |
・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 精密コーティングシステム | ・加速電圧: 1～10 kV ・使用ガス: アルゴン ・蒸着方式: イオンビームスパッタ ・ターゲット: カーボン、クロム、プラチナ、金パラジウム |
・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 平面研磨装置 | ・試料研磨 | ・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 金コーター | ・Auコート | ・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 超音波ディスクカッター | ・試料切断 | ・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 精密イオン研磨装置(PIPS Ⅱ)(TEM試料作製装置群) | ・0.1～8kV 加速電圧 ・冷却ステージ ・PIPS Ⅱ |
・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 集束イオンビーム加工装置 | ・加速電圧：30ｋV ・マイクロサンプリング機能付属 |
・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | TEM試料作製補助装置群（TEM試料作製装置群） | ・光学顕微鏡 ・t-ブタノール凍結乾燥装置：真空度；4Pa、試料台温度調節；5-50℃ ・卓上多本架遠心機：遠心分離 ・振とう器 ・ホットプレート |
・TEM試料チェック ・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 電子線トモグラフィー解析システム | ・3次元画像データ解析 | ・TEM解析 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | ウルトラミクロトーム | ・クライオチャンバー | ・TEM試料作製 ・超薄切片作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 200kV透過電子顕微鏡 | ・加速電圧：200kV ・点分解能：0.25nm ・格子分解能：0.14nm ・LaB6電子銃を搭載 ・TEMとEDS (点分析） ・CCDカメラ (Gatan Orius200D) 装備 |
・TEM解析 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 200kV電界放出形透過電子顕微鏡 | ・TEM、STEM、EELS、EDS（点・線分析、元素マッピング)、NBD、CBED ・3次元像観察用試料ホルダー及び再構成ソフト |
・TEM解析 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 冷陰極電界放出形電子顕微鏡 | ・加速電圧：300kV ・分解能0.2nm |
・分析TEM |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 冷陰極電界放出形ローレンツ電子顕微鏡 | ・加速電圧：300kV ・液体He冷却 ・磁場印加 |
・ローレンツEM |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 単原子分析電子顕微鏡 | ・加速電圧80kV－300kV ・分解能70pm@300kV ・エネルギー分解能80meV@80kV ・ダブルコレクター モノクロメータ |
・超高分解能TEM/STEM |
| 電子顕微鏡解析ステーション | HRTEM解析システム | ・TEM画像処理 ・FFT ・結晶モデリングおよび像計算 |
・HRTEMシミュレーション |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 300kV電界放出形電子顕微鏡 | ・加速電圧：300kV ・点分解能：0.17nm ・格子分解能：0.1nm |
・TEM解析 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 200kV電界放出形透過電子顕微鏡 | ||
| 電子顕微鏡解析ステーション | 実動環境対応物理分析電子顕微鏡 | ・加速電圧：200kV ・点分解能：0.11nm ・格子分解能：0.07nm |
・TEM解析 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 100kV透過電子顕微鏡 | ・加速電圧 100kV | ・TEM解析 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | ピックアップシステム | ・大気中でのサンプリング, ガラスプローブ | ・TEM試料作製 ・TEMsample preparation |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 実動環境対応電子線ホログラフィー電子顕微鏡 | ・照射レンズ系、結像レンズ系のそれぞれに収差補正機能を搭載 ・超高分解能（0.08 nm）を実現 ・冷陰極電子銃による低加速高分解能STEM ・加速電圧: 60, 80, 200 kV |
・TEM解析 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | デュアルビーム加工観察装置 | ・FIB ：Acc.Volt. 1～40 kV, max.current 50 nA ・SEM :Acc. Volt. 0.5～30 kV, resolution 1 nm@15kV |
・集束イオンビーム(FIB)加工・走査型電子顕微鏡観察(SEM)・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 走査電子顕微鏡 | ・加速電圧：30kV ・分解能：1.2nm@30kV ・分解能：3nm＠1kV |
・SEM解析 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 精密イオン研磨装置（セラミックス試料作製装置群） | ・イオンビームエネルギー: 0.1～8 keV ・試料冷却が可能 ・観察用デジタルズームカメラ付属 |
透過型電子顕微鏡観察用試料の作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | マルチコーター（セラミックス試料作製装置群） | ・蒸着 ・イオンスパッタ ・親水処理 |
・カーボン蒸着 ・金属スパッタ |
| 電子顕微鏡解析ステーション | ホットプレート（セラミックス試料作製装置群） | ・デジタルホットプレート ・最高温度400℃ |
試料の加熱 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | ディンプルグラインダ（セラミックス試料作製装置群） | ・研磨ホイール経: 15 mm ・研磨荷重: 0～40 g ・自動停止機構付属 |
試料の研磨 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 標準形デジタルインジケータ（セラミックス試料作製装置群） | ゼロセット機能 | 試料の厚さ計測 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 卓上研磨機（セラミックス試料作製装置群） | 研磨回転数: 50～500 rpm | 試料の研磨 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 小型精密切断器（セラミックス試料作製装置群） | 50mmダイヤモンド回転刃 | 試料の切断 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 2軸傾斜バイアス印加・加熱TEM試料ホルダー | ・バイアス電圧：最高150V ・加熱：最高1300℃ |
・デバイス動作その場TEM観察 ・加熱その場観察TEM |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 2軸傾斜液体窒素冷却TEM試料ホルダー | 冷却温度：-160℃ 傾斜：二軸傾斜 |
・ソフトマテリアルなど熱ダメージに弱い試料のTEM観察 ・低温相での観察が必要な試料のTEM観察 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | FIB/SEM精密微細加工装置 | 1. SIM像分解能5nm（@30kV）、最大電流65nA 2. SEM像分解能1.5nm（@1kV）、最大電流26nA 3. E-beam: 350V～30 kV、I-Beam: : 500V～30 kV 4. 試料ステージ: XY150 mm、Z10 mm、T: -9°～+57°、R: 360° 5. Ptデポ 6. サンプルリフトアウトシステム |
・集束イオンビーム(FIB)加工 ・走査型電子顕微鏡(SEM)観察 ・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | FIB加工装置 | ・加速電圧：30kV ・分解能：6nm |
・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 無損傷電子顕微鏡試料薄片化装置 | ・イオン：アルゴン ・イオンエネルギー：50～2000eV 可変 ・イオン電流：1mA/cm2 ・イオンビームサイズ：2μm |
透過電子顕微鏡観察用薄膜試料の作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 200kV透過電子顕微鏡 | ・加速電圧200kV ・CCDカメラ |
・TEM解析 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | DPC解析システム | 出力：STEM-位相差(DPC)像、STEM-位相像、位相Field Vector Map | 4D-STEMによる電場・磁場構造の解析 |
| ＮＭＲステーション | 500MHz固体汎用NMRシステム | ・磁場：11.75 T (固定) (1H:500MHz相当) ・ボア径：89 mm（室温） ・永久電流モードで常時運転 ・磁場均一度：2.6×10-6/20mm DSV |
・広幅固体NMR測定 ・高分解能固体NMR測定 |
| ＮＭＲステーション | 500MHz固体高分解能NMRシステム | ・磁場：11.75 T (固定) (1H:500MHz相当) ・ボア径：89 mm (室温) ・永久電流モードで常時運転 ・磁場均一度：2.6×10-6/20 mm DSV ・試料温度可変(-150℃～+250℃) |
・高分解能固体NMR測定 |
| ＮＭＲステーション | 800MHz固体高分解能NMRシステム | ・磁場：18.79 T (固定) (1H:800MHz相当) ・ボア径：54 mm (室温) ・永久電流モードで常時運転 ・磁場均一度：2.6×10-6/20 mm DSV ・1mmφCPMAS, 3.2mmφCPMAS, MQMAS, Low-γ核MAS |
・高分解能固体NMR測定 |
| 低温応用ステーション | 高磁場下材料・プロセス観測・制御装置 | ・磁場発生系 ・中心磁場: 13 T ・室温ボア径: 100 mm ・回転角度: 鉛直から水平までの任意角度 |
・磁場を用いた弱磁性物質の材料プロセス制御とその場観察 |
| 低温応用ステーション | 冷凍機伝導冷却型10T超伝導マグネット装置-Ⅱ | ・中心磁場 : 10 T ・室温ボア径 : 100 mm ・縦・横置き ・ 回転角 : ボア鉛直～水平の90度以上 ・ 4.2K, 77K, 室温 ・室温ボア径 : 100mm ・4K-GM冷凍機ユニット付属 |
・磁場中配向制御 |
| 低温応用ステーション | 大口径超伝導マグネット | 超伝導マグネット ・磁場：14 T ・ボア径：340 mm（室温） |
・超伝導線など物質の強磁場下での特性評価 ・金属、ポリマーなどの磁場中での凝固 |
| 低温応用ステーション | 試料振動型磁化測定装置(VSM) | ・中心磁場：12T ・最大磁場 : ±11.5 T ・測定温度 : 4-300 K ・測定可能磁化範囲 : 10-4-10 emu ・試料寸法 : 最大5mm角程度 ・磁場掃引速度 : 1.0 T/min ・振動周波数 : 55 Hz ・振動幅 : 1.5-0.1 mm |
・磁化測定 |
| 低温応用ステーション | 20Tマグネット・希釈冷凍機システム | ・提供磁場 : 20 T ・口径 : 52 mm ・希釈冷凍機付 ・磁場均一度 : 10-4/10 mmDSV ・試料空間径 : 20 mm ・希釈冷凍による30mKの極低温下での測定。 |
・交流磁化 ・磁気トルク ・電気抵抗測定 |
| 低温応用ステーション | 冷凍機伝導冷却型12T超伝導マグネット装置 | ・提供磁場 : 12 T ・口径 : 100 mm ・回転角：ボア鉛直から水平の90度以上 ・4.2Kクライオスタット ・磁場均一度 : 1.5*10-2/40mmDSV ・磁場掃引速度 : 10 T/ 30 min ・4K-GM冷凍機ユニット付属 |
・磁場中結晶成長 ・配向制御 ・光散乱実験等 |
| 低温応用ステーション | 大口径17Tマグネット | ・最大磁場：17T ・口径：129mm（コールドボア） |
・高温超伝導コイル試験 ・超伝導線材試験 ・物性測定 |
| 低温応用ステーション | 20Tマグネット・ヘリウム3冷凍機システム | ・最高磁場 : 20 T ・口径 : 25 mm ・ヘリウム3インサート付き ・試料空間 : 20 mm ・磁場均一度 : 10-3/10 mmDSV |
・交流磁化 ・磁気トルク ・電気抵抗測定 |
| 低温応用ステーション | 15T超伝導スプリットマグネット装置 | ・中心磁場：15T ・ヘルムホルツ型 ・クリア径：44mm ・クリアスプリット：34mm |
・臨界電流測定、 ・磁気抵抗測定等 |
| 低温応用ステーション | 18T汎用超伝導マグネット装置 | ・中心磁場：18T ・ボア径：52mm ・4.2 K / 温度可変クライオスタット |
・臨界電流測定、 ・磁気抵抗測定等 |
| 低温応用ステーション | 17Tマグネット・ヘリウム4VTIシステム | ・提供磁場 : 17 T ・口径 : 52 mm ヘリウム4インサート ・試料空間径 : 37 mm ・磁場均一度 : 1*10-3/10 mmDSV |
・磁気トルク ・角度依存磁気抵抗測定 |
| 低温応用ステーション | 強磁場光学測定システム | パルス磁場 ・中心磁場 : 40 T ・口径：30 mm ・パルス幅1msec ・1分間隔で磁場発生可 定常磁場 ・中心磁場 : 15 T ・口径：52 mm ・ヘリウム4温度可変クライオスタット(試料空間42mm) ・磁場均一度：2×10-4/10mmDSV |
・輸送現象 光物性測定等 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 水蒸気プラズマ洗浄装置 | ・高周波出力：50-250W ・反応ガス：H2O,O2 ・自動運転プログラム ・試料サイズ：最大φ8インチ ・水蒸気プラズマによる還元、洗浄、樹脂接合、親水化処理が可能 ・酸素ガスを添加することにより、還元雰囲気でのアッシングが可能 |
・金属酸化膜の還元 ・有機汚れの洗浄 ・レジストアッシング ・親水化処理 - Reduction - Surface cleaning - Resist ashing - Hydrophilization |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 顕微式自動膜厚測定システム | 光源：重水素ハロゲンランプ 波長：190-1100nm 測定膜厚範囲：5nm以下～30um 試料サイズ：最大φ8インチ その他：自動マッピング、顕微式、遠隔利用可能 |
反射分光による薄膜評価 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | ６連自動蒸着装置 | 蒸着方式：電子銃型 ターゲット：Ti, Au, Al, Ni, Pt, 他 到達真空度：10-4Pa台 TS間距離：500mm 試料サイズ：最大φ8インチ その他：ロードロック式自動蒸着、水冷式資料ステージ |
リフトオフ向け金属薄膜形成 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 多機能型原子層堆積装置 | 成膜方式：Thermal ALD, Plasma ALD 原料：TMA, TDMAT, BDEAS, 他 酸化膜：H2O, O3, O2 窒化膜：N2, NH3 試料サイズ：最大φ8インチ その他：ロードロック式 |
絶縁膜・パッシベーション膜形成 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 赤外線ランプ加熱装置 | 加熱方式：放物面反射赤外線ランプによる上部片面加熱方式 プロセス温度：1200℃以下 昇温速度：10℃/秒以下 プロセスガス：Ar, N2, Ar;H2(3%) 試料サイズ：最大φ6インチ |
小片～φ6インチの急速アニール |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | ICP原子層エッチング装置 | 誘導結合型プラズマ励起 プロセスガス：CL2, BCL3, SF6, Ar, O2, N2 最大試料寸法：φ6インチ |
1. 半導体材料等の原子層エッチング 2. 金属・半導体材料等のICPエッチング |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 3次元測定レーザー顕微鏡 | ・光源 405nm半導体レーザー ・分解能 XY：0.12um／Z：0.01um ・繰り返し性 XY：3σ=0.02um,／Z：1σ=0.012um（対物レンズ100倍時） ・観察モード 観察モード ・試料サイズ 100mm角以下 |
・非接触3次元形状観察、計測 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 液体窒素プローバーシステム | ・測定温度：７７K～５００K ・プローブ数：４本 ・試料サイズ：最大20mm |
・電気特性評価 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | ワイヤーボンダー(1) | ・ボンディング方式：超音波/超音波熱圧着ウェッジボンド方式 ・ボンディングウェッジ 45度、90度 ・ワイヤー材質 金線、アルミ線 ・ワークホルダー温度 300度以下 ・試料サイズ 最大50mm角基板，DIPパッケージ |
・微細加工（電気測定） ・チップキャリアへのボンディング |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 室温プローバーシステム | ・プローブ 同軸プローブ ・マニピュレータ 4基 ・I-V測定端子 4ユニット ・C-V測定端子 1ユニット ・試料サイズ 最大φ4インチ |
・I-V/C-V特性評価 ・微細加工（電気測定） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | イオンスパッタ | ・成膜材料：白金、カーボン ・試料サイズ：最大φ60mm |
・SEM，FIB-SEMの前処理 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 走査電子顕微鏡 | ・電子銃 ZrO/W 電界放射型 ・加速電圧 0.1-30kV ・2次電子像分解能 1.0nm （ノーマル：15kV） 1.4nm （リターディング：1.0kV） |
・微細加工（評価・計測） ・ナノ加工・構造・材料の観察・計測 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 多元スパッタ装置(i-miller) | ・スパッタ方式：サイドスパッタ方式（DC，RF，同時スパッタ，逆スパッタ） | ・微細加工（成膜） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | ダイシングソー | ・切削刃 ダイヤモンドブレード ・切削範囲 XY：162mm以下 ・スピンドル回転数 3000-40000rpm ・顕微鏡 モニタ上倍率27倍／270倍電動切替 ・試料サイズ 最大φ6インチ |
・微細加工（切削・研磨） ・シリコン／石英／サファイア基板の小片化 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 酸化膜ドライエッチング装置（フッ素系ガス ICP-RIE） | ・プラズマ励起方式 誘導結合型 ・電源出力 ICP出力：最大3kW／バイアス出力：最大1kW ・プロセスガス CHF3，C2F6，C4F8，SF6，Ar，O2，He ・試料ステージ温度 -10～+40度 ・試料サイズ 最大φ6インチ ・その他 SiO2エッチングレート：0.5um/min以上，終点検出機能装備 |
・微細加工（エッチング） ・SiC，SiN，SiO2や各種酸化膜の高速エッチング |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | シリコン深堀エッチング装置 | ・プラズマ励起方式 誘導結合型 ・電源出力 電源出力 ・プロセスガス SF6，C4F8，Ar，O2 ・試料ステージ温度 室温 ・試料サイズ 最大φ3インチ |
・微細加工（エッチング） ・MEMS等，シリコン深堀エッチング |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 化合物ドライエッチング装置（塩素系ガス ICP-RIE） | ・プラズマ励起方式 誘導結合型 ・電源出力 ICP出力：最大1kW／バイアス出力：最大300W ・プロセスガス Cl2，BCl3，Ar，O2，22 ・試料ステージ温度 200度以下 ・試料サイズ 最大φ3インチ |
・微細加工（エッチング） ・化合物半導体・金属薄膜のドライエッチング |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 多目的ドライエッチング装置（フッ素系ガスCCP-RIE） | ・プラズマ励起方式 平行平板型 ・電源出力 最大300W ・プロセスガス CHF3，CF4，SF6，Ar，O2，22 ・試料ステージ温度 室温 ・試料サイズ 最大φ8インチ |
・微細加工（エッチング） ・多種材料のドライエッチング |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | プラズマCVD装置 | ・プラズマ方式 平行平板型 ・電源出力 30-300W ・原料 TEOS ・成膜温度 400度以下 ・試料サイズ 最大φ8インチ |
・微細加工（成膜） ・高品質SiO2薄膜形成 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | ウエハＲＴＡ装置 | ・加熱方式 赤外線ランプ加熱方式 ・プロセス温度 1250度以下 ・昇温速度 150度／秒以下＠Siウエハ、40度／秒以下＠SiCサセプタ ・プロセスガス 22, Ar, Ar+H2(3%), O2 ・試料サイズ 最大φ6インチ |
・小片～φ6インチの急速アニール |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 高圧ジェットリフトオフ装置 | ・レジスト膨潤 80℃ NMP溶液 ・レジスト剥離 高圧ジェットNMP溶液 ・リンス IPA, 純水 ・乾燥 スピン乾燥、22ブロー ・試料サイズ 最大φ6インチ |
・微細加工（成膜） ・リフトオフ、レジスト剥離 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 125kV電子ビーム描画装置 | ・電子銃 ZrO/W熱電界放射型 ・最大加速電圧 125kV (25kVステップで可変) ・フィールドつなぎ精度 < 25nm (600umフィールド） ・重ね合わせ精度 < 30nm(600umフィールド） ・試料サイズ 最大φ6インチ |
・微細加工（リソグラフィ） ・高速高精細ナノパターニング |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 12連電子銃型蒸着装置 | ・蒸着方式 電子銃型×1式 ・到達真空度 1.0e-5 Pa ・TS間距離 500mm ・試料サイズ 最大φ6インチ ・その他 水冷式試料ステージ |
・微細加工（成膜） ・リフトオフ向け金属薄膜形成 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | ＵＶオゾンクリーナー | ・光源：紫外線ランプ（184.9nm＆253.7nm） ・ステージ温度：室温～300℃ ・試料サイズ：最大φ8インチ |
・基板洗浄 ・表面改質 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 全自動スパッタ装置 | ・スパッタ方式 DC/RFマグネトロンスパッタ，反応性／2元同時／逆スパッタ可能 ・電源出力 最大500W ・カソード φ4インチ×4式 ・プロセスガス Ar，O2，22 ・試料サイズ 最大φ6インチ：試料ステージ水冷／加熱可 （最大300度） |
・微細加工（成膜） ・金属・絶縁薄膜形成 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 高速マスクレス露光装置 | ・光源 405nm LED（h線） ・照度 1W/cm2 ・位置決め精度 ±100nm以下 ・重ね合わせ精度 ±100nm以下 ・試料サイズ 最大8インチ角 |
・微細加工（リソグラフィ） ・高速高精度マスクレスパターニング |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 薄膜応力測定装置 | ・測定方式：レーザースキャン方式(670nm&750nm半導体レーザー） ・測定範囲：1~4000MPa（1σ） ・試料サイズ：φ3インチ, φ6インチ, φ8インチ ・その他：3Dマッピング機能 |
・薄膜応力測定 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 自動エリプソメーター | ・光源：632nm He-Neレーザー ・ビーム径：0.8mm ・試料サイズ：最大φ6インチ |
・絶縁膜評価 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 触針式プロファイラ Stylus Profiler | ・分解能：1Å（6.5μmレンジ） ・走査距離：55mm ・触圧範囲：0.03-15mg ・試料サイズ：最大φ8インチ ・その他：自動ステージ、3Dマップ・粗さ・ストレス測定 |
触針による表面形状計測 ・段差測定、粗さ測定、3Dマッピング、ストレス測定 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 高解像度レーザーリソグラフィ装置 | ・光源：375nm 半導体レーザー (70mW) ・描画モード：ラスタースキャン描画、ベクターモード描画 ・解像モード：0.3μm, 0.6μm, 0.8μm, 1.0μm ・最大試料サイズ：8インチ角 ・その他：グレースケール描画、重ね合わせ描画 |
・サブミクロン以上の任意パターン形成 ・3次元パターン造形 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 高速広域走査型プローブ顕微鏡 | ・測定モード：形状測定、メカニカル測定、電気測定、磁気測定、等 ・走査範囲：90μm ・ステージ可動範囲：200mm角 ・試料サイズ：最大φ8インチ |
・ナノ構造の計測・評価 ・材料の観察・特性評価 ・ナノレベルの粗さ・段差測定 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | 紫外可視近赤外分光光度計V-770 | ・波長範囲：190～3200nm ・バンド幅：0.4～10nm可変 ・測光範囲：±3Abs ・測定対象：液体、粉体、フィルム |
透過率測定 反射率測定 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | 高速高精細電子ビーム描画装置 | 加速電圧：100kV 基板サイズ：最大8インチ フィールドサイズ：1mm ビーム電流：100pA～10nA |
微細加工（リソグラフィ） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | 蛍光分光計（Fluorolog-3） | ・波長分解能 1.5nm ・波長範囲は、600-1400nm ・高感度光電子増倍管(PMT)検出器 |
試料から発生する蛍光を測定 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | XRD（薄膜） | ・薄膜測定 ・小角散乱測定 |
・微細構造の分析 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | XRD（粉末） | ・粉末測定 ・フォーカスビーム、パラレルビーム ・キャピラリーホルダー ・高温チャンバー |
・微細構造の分析 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | 走査プローブ顕微鏡 | 【測定モード】 Contact AFM , Tapping AFM , MFM, Electro chemical , STM , Liquid-phase AFM. 【Scanner】 17?/1.3? |
・微細構造の観察 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | AFM（原子間力顕微鏡） | ・測定モード：コンタクトAFM、タッピングAFM、摩擦力顕微鏡 ・走査範囲：水平100 x 100 um ・最大試料サイズ： 6インチφ ・付加機能：I-V測定及びマッピング |
・微細加工（評価・計測） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | 表面段差計 | ・垂直分解能：0.1 nm ・最大垂直測定幅：262 µm ・測定長さ：50 µm～30 mm |
・微細加工（評価・計測） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | FE-SEM（SU8230）＋EDX | ・冷陰極電界放出電子銃 ・分解能：0.8 nm (15 kV) , 1.1 nm (1 kV) ・付加機能：EDX、反射電子検出器、簡易STEM(明.暗視野) |
・微細加工（評価・計測） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | FE-SEM(S-4800)+EDX | ・加速電圧:0.5～30kV , ・最大倍率:800k , ・検出器:SE/BSE |
・微細構造の観察および分析 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | FE-SEM(SU8000)+EDX | ・加速電圧: 0.5～5kV , ・最大倍率:800k , ・加速電圧:SE/BSE |
・微細構造の観察および分析 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | ミニSEM+EDX | ・反射電子観察 ・最大倍率: 50000 |
・微細構造の観察および分析 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | 透過電子顕微鏡 | 加速電圧：200kV 分解能：0.1nm スポットサイズ：0.2nm 【付加機能】 ・ EDX ・STEM ・STEM-EELS ・Ion cleaner |
・微細構造の観察および分析 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | カラーレーザー顕微鏡 | 【測定項目】 Surface roughness, Height, Thickness of transparent film |
・微細構造の観察 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | ワイヤーボンダー(2) | ・ボンディング方式：超音波ウエッジ・ウエッジ技法 ・ワイヤ：0.007～0.002インチ径のアルミ又は金ワイヤワークピースの加熱が可能 |
・微細加工（電気測定） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | 室温プローバー | ・サンプルサイズ：最大4 inch Φ ・マニピュレーター：4本 ・半導体パラメータアナライザ：IV 4系統, CV 1系統 ・試料台加熱機能 |
・微細加工（電気測定） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | 低温プローバー | ・温度範囲：8～300 K ・サンプルサイズ：最大4 inch Φ ・マニピュレーター：4本 ・半導体パラメータアナライザ：4系統 ・高速パルスI-V測定 |
・微細加工（電気測定） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | 多連電子ビーム蒸着装置 | ・蒸発源：材料ハース10個 ・T-S距離：700mm ・基板サイズ：最大φ6インチ |
・微細加工（成膜） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | FIB-SEMダブルビーム装置 | ・イオン源 Ga液体金属 ・FIB加速電圧 1-30kV ・電子銃 ZrO/W熱電界放射型 |
・微細加工（エッチング） ・TEM試料作製，イオン照射による直接加工 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | レーザー露光装置 | ・光源 405nm半導体レーザー（h線） ・照度 300mW/cm2 ・位置決め精度 ±1um以下 ・重ね合わせ精度 ±1um以下 ・試料サイズ 最大4インチ角 |
・微細加工（リソグラフィ） ・マスクレスマイクロパターニング |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | スパッタ 1号機 | ・電源：DC×２、RF×１ ・基板サイズ：最大6inchφ ・プロセスガス：Ar、O2、22 ・基板加熱：設定300℃ ・逆スパッタ可 |
・微細加工（成膜） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | スパッタ 2号機 | ・電源：DC×２、RF×１ ・基板サイズ：最大6inchφ ・プロセスガス：Ar、O2、22 ・基板加熱：設定300℃ ・逆スパッタ可 |
・微細加工（成膜） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | 原子層堆積装置(2) | ・原料ソース：3源 ・基板サイズ：最大6inchφ ・基板温度：室温～300℃ |
・微細加工（成膜） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | コンタクトアライナー | ・光源：i線、h線、g線 ・マスク寸法：102mm角～152mm角、 ・基板寸法：76mm径以下 ・露光最小線幅：0.75?m ・位置決め精度：0.5?m(表面側) |
・微細加工（リソグラフィ） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | ドライエッチング装置 | ・エッチングガス：Ar、O2、SF6、Cl2、 BCl3、｛CF4、CHF3、C4F8のうち一つ｝ ・圧力：0.07～13.3 Pa ・プラズマ電力：最大1kW ・バイアス電力：最大300W ・基板寸法：最大152 mmφ |
・微細加工（エッチング） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | プラズマアッシャー(2) | ・高周波出力：最大600W ・プロセスガス：O2 |
・微細加工（エッチング） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | エキシマクリーナー | ・光源：172nmエキシマ紫外線ランプ ・ステージ温度：室温～200℃ ・試料サイズ：最大φ4インチ |
・基板洗浄 ・表面改質 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | ダイシング装置 | ・ブレード種：Si用及びAl2O3切断用ブレード ・ウェハサイズ：最大φ６インチ ・切断位置決め精度：5μm以内（CCDカメラによる位置指定） |
・微細加工（切削・研磨） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | RTA（赤外線急速アニール炉：6inch） | ・温度範囲：室温～1000℃ ・加熱方式：赤外ゴールドイメージ炉、９ゾーン制御 ・加熱性能：最大 10℃/s ・プロセスガス：22, Ar+H2(3%), Ar, O2, 真空置換機能あり ・試料台材質・サイズ：SiCコートグラファイト、６インチφ |
・微細加工（熱処理） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | 分光エリプソメーター | ・波長範囲：250～1000 nm ・補償子：回転式 ・入射角：自動制御、45～90° |
・微細加工（評価・計測） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | 熱分析装置(TG/DTA+DSC) | ・温度範囲 : r.t. ～ 750°C, ・雰囲気： 22, Ar or Air |
・熱計測および物性評価 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | ゼータ電位＆粒径測定装置 | ・粒径： 0.6nm～8μm ・ゼータ電位： -200～+200mV |
・微粒子の物性評価 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | 蛍光分光計 | ・発光波長: 200 - 750nm, ・励起波長:200 - 750nm, ・温度範囲:0 -100°C, ・試料: liquid, powder, film |
・光学特性の評価 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | 卓上電子顕微鏡(TM4000PlusII) | ・倍率：10倍 ~10万倍 ・加速電圧 : 5 kV、10 kV、15 kV、20 kV ・画像信号 : 反射電子, 二次電子 ・真空モード：導電体（反射電子のみ）、標準、帯電軽減 |
・有機材料・生物由来材料の観察 ・複合材料の観察 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | 安全キャビネット | バイオハザード対応 | 遺伝子組換え実験 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | クリーンベンチ | 吹出し風速0.40～0.20m/s | 細胞の無菌操作 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | CO2インキュベーター | 室温+5℃～55℃ | 細胞の培養 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | NMR | ・共鳴周波数400MHz ・溶液サンプル専用 |
分子構造推定 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | 細胞分離分析システム | 細胞・粒子の蛍光による分離・分析 ・ セルソーター - 搭載レーザー：405、488、561、638 (nm)、 - チャンネル数：1×前方散乱光（FSC)、 - 1×側方散乱光（BSC)、 - 6×蛍光検出（FL) ・セルアナライザー - 搭載レーザー：488nm/638nm、 - 分光方式：プリズムアレイ分光法、 - 蛍光スペクトル測定範囲：500nm－800nm（32チャンネル）、 - 検出可能粒子サイズ：0.5～40μm（ビーズ） |
・材料、細胞相互作用 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | マイクロアレイスキャナー | ・サンプル：standard microscope slide ・走査範囲 ma262×71.5mm Excitation 532 nm and 635 nm ・Emission filters Optimized for Cy3 and Cy5 |
・マイクロアレイ解析のデータ読み取り |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | グローブボックス | ・材料調製（嫌気条件下での化学反応の実施に用いる。） | |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | 卓上超遠心分離機 | ・TLA100.3 ロータ、最大100000rpm | ・材料調製 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | 超遠心分離機 | SW28.1ロータ、最大28000ｒｐｍ | 材料調製 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | FPLC | ・流量設定範囲 0.1～20mL/min | ・生体分子材料調製 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | LC-MS/MS (Q-Exactive) | ・質量分析装置 サーモ製Q-Exactive 四重極Orbitrap方式 ・LC ブルカーマイクロム 製ADVANCE UHPLC ・タンパク質同定用ソフトウェア MASCOT |
・材料の分子レベル解析 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | LC-MS/MS | ・測定波長範囲：165～1100nm | ・材料の分子レベル解析 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | 表面プラズモン解析装置 | ・測定分子量レンジ：180Da以上 | ・分子、材料相互作用観察 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | プレートリーダー | ・光源：UVキセノンフラッシュランプ ・検出器(吸光)：フォトダイオード(230-1000nm) ・検出器(蛍光)：光電子増倍管(230-850nm) ・波長選択：モノクロメーター ・プレートフォーマット：6ウェル、12ウェル、24ウェル、48ウェル、96ウェル、384ウェル |
タンパク/DNA/RNA定量、ELISA、比色アッセイ、細胞毒性評価、GFP検出、FRET等 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | リアルタイムPCR | ・温度制御範囲:40℃～98℃(1℃刻み設定可 | ・細胞・材料相互作用観察 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | 卓上電子顕微鏡 | ・倍率 15倍～30,000倍 ・観察モード 通常モード、帯電軽減モード |
・材料表面観察 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | 共焦点レーザー走査型蛍光顕微鏡 | ・対物レンズ タンデム仕様（高速／高解像）10260ｘ40ｘ63ｘ ・高速モード撮影時 秒/250コマ撮影 ・高解像モード撮影時 8000×8000撮影が可能 ・励起光源： 405nm, 458nm, 476nm, 488nm, 514nm, 543nm, 633nm |
・細胞・材料の蛍光観察 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | レーザーマイクロダイセクションシステム | ・電動正立顕微鏡 ダイオードUVレーザー(355nm) ・対物レンズ 1.25ｘ6.3250ｘ.20ｘ40ｘ ・観察法 明視野、10ｘ以上は位相差・微分干渉対応 |
・材料・組織相互作用の解析 ・顕微鏡下での生体組織のカッティング |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | GPC | 1～2,499μl/min | ・材料計測 ・高分子化合物の分子量測定 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | リサイクル分取GPC | 流量範囲：0.01～9.9mL/min | ・分子材料解析 （合成化合物の分析、精製分離） ・高分子化合物の分取 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | GPC | ・送液ユニット：LC-40D (流量範囲0.0001～5mL/min) ・オートサンプラー：SIL-40 ・カラムオーブン：CTO-40C (室温-10～100℃) ・PDA検出器：SPD-40 (波長範囲190～700nm) ・RI検出器：Shodex RI-501 |
高分子の相対分子量測定および定量分析 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | フーリエ変換赤外分光光度計 | ・スペクトル範囲 7800～200cm－１ ・スペクトル範囲 7800～350cm－１（アタッチメントにより異なる） ・分離能 最高0.25cm-1 ・SN比 最大60000:1 |
・材料の分子レベル解析 （分子構造の決定、物質の同定に用いる） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | 電気炉 | ・使用温度範囲 500～1500℃ | ・材料調製 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | 凍結乾燥機 | ・トラップ温度 -80℃ ・除湿量 3L |
・材料調製 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | プラズマクリーナー | ・高周波出力 100～300W | ・材料調製 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | スプレードライヤー | ・大風量 35m3/h | ・材料調製 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | 分光光度計 | ・波長範囲 190～1100nm ・スペクトルバンド幅 1.5nm |
・材料特性計測 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | 蛍光分光光度計（低温測定付属）（分子材料分光分析装置群） | ・感度 水のラマン光S/N800以上S/2250以上 ・励起波長 350nm ・測定波長範囲 200～750nm |
・材料特性計測 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | 接触角測定装置(材料分析装置群） | ・測定角度範囲 0～180° | ・材料表面計測 ・静的接触角と動的接触角測定 ・表面清浄性，濡れの検査 ・表面処理，コーティング ・接着性 ・ボンディング品質の評価 ・表面自由エネルギー分析 ・表面張力測定 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | 動的光散乱光度計（ダイナミック光散乱光度計）（ナノ材料分析装置群） | ・粒径測定範囲 1.4nm～7μm ・重量平均分子量の測定範囲 300～2×107Ｍw ・光源 He-Neレーザー（632.8nm）固体ブルーレーザー（488nm） |
・材料計測 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | 強度物性測定器(材料分析装置群） | ・テストベッド寸法 280ｍｍ x 395mm ・テストベッド高さ 660mm ・キーボード寸法 220mm×433mm ・支点間距離 最大:60mm |
・材料特性計測 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | レーザー回折式粒度分布測定装置（ナノ材料分析装置群） | ・測定範囲 0.03μm～1000μm ・光源 半導体レーザ（波長680nm) ・その他 湿式測定、乾式測定、高濃度サンプル測定など多様な測定対象と幅広い測定目的に対応。 |
・材料計測 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | レーザーゼータ電位計（ナノ材料分析装置群） | ・光学系 レーザードップラー法 | ・粒子材料特性計測 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | 円二色性分光器 | ・質量分析装置：四重極イオントラップ方式 ・LC： nano LC ・タンパク質の同定 |
・高分子構造推定 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | 液中原子間力顕微鏡 | 【AFM測定】 ・測定環境：大気中、液中 ・走査範囲：水平100µm、垂直15µm ・動作モード：コンタクトモード、タッピングモード、フォースカーブマッピングモード、粘弾性測定、MFM観察 【直上顕微鏡】 ・観察倍率：10倍 【倒立顕微鏡】 ・観察法：明視野、位相差、蛍光 ・対物レンズ：10倍、40倍 【その他】 ・温度制御：室温～+60℃まで |
AFM測定、蛍光顕微鏡観察、細胞の観察、粘弾性測定 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | 多角度光散乱検出器 MALS | ・検出器数：8 ・分子量測定範囲：200～300MDa(タンパク)、200～10MDa(直鎖高分子) ・回転半径測定範囲：10～300nm 【特徴】 ・標準品を必要としない分子量の絶対測定法。 ・バッチ測定、フロー測定の両方に対応。 ・超音波洗浄器によりセル内の汚れ付着を防止し、安定したデータ測定を実現。 |
高分子の絶対分子量測定 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （ナノバイオ）（NIMS-ARIM材料評価分野） | ラマン顕微鏡 | ・レーザー波長：532nm及び785nm ・波数分解能：0.3cm-1 ・空間分解能：水平0.25µm、垂直1µm ・対物レンズ：5倍、20倍、50倍、63倍(水浸)、100倍 ・温度制御：-196～600℃ 【特徴】 ・ラインレーザー照射による高速ラマンイメージング。 ・繋ぎ目のない連続した広い波数範囲のスペクトル測定。 ・共焦点機構による高い空間分解能。 |
ラマンスペクトル測定、ラマインイメージング |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | スーパードライルーム | メーカー名：新菱冷熱工業 型式：特型 |
小型電池試作、電池特性評価、プロセス評価、光学分析など |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | 小型電池試作装置群 | 真空乾燥,電池の集電体とタブを溶接,電解液の注液等 | |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | FTIR（フーリエ変換赤外分光装置） | メーカー名：Thermo Scientific 型式：Nicolet iS50 |
物質の分子構造や未知試料の定性・定量分析 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | レーザーラマン顕微鏡 | メーカー名：Nanophoton 型式：RamanTouch-VIS-NIR |
化学結合の種類と質の同定、結晶化の程度、結晶格子の歪みなどの測定 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | 高速分光エリプソメータ | メーカー名：J.A. WooLLAM 型式：M-2000X |
試料構造、光学定数、バンドギャップ、合金組成、相構造の測定 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | ガス透過率測定装置 | メーカー名：GL Sciences 型式：GTME 2520 |
フィルムやフィルム素材のガス透過率測定 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | TG/MS（熱重量測定質量分析装置） | メーカー名：TA Instruments 型式：Discovery |
熱負荷による材料の重量変化と放出されるガス種を同時に測定する。 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | コンパクトSEM | メーカー名：Agilent 型式：8500 |
試料の表面や構造の観察 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | レーザー顕微鏡 | メーカー名：KEYENCE 型式：VK-X200 |
形状、粗さ状態の観察及び定量分析。３次元表示。 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | 粘度計 | メーカー名：AntonPaar 型式：Lovis2000ME |
相対粘度、動粘度、粘度の測定 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | 充放電試験機 | メーカー名：sai，Espec 型式：580（16ch）+恒温槽 |
試作蓄電池セルの基本性能の評価 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | 高精度電気化学測定システム | メーカー名：Solartron,BioLogic 型式：12608W,SP-200,VSP-300 |
交流インピーダンス、直流分極測定 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | 単粒子測定システム | メーカー名：KEYENCE,BioLogic,Micro Support 型式：特型 |
電池電極は、活物質以外に結着材や導電性付与材等を含む複合材料であるが、活物質だけの基本的電池性能の評価が必要になる場合がある。本システムは、単一の活物質粒子について電気化学特性を測定するシステムである。 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | ICP/MS（誘導結合プラズマ質量分析計） | メーカー名：Agilent 型式：Agilent 7700 ICP-MS |
微量元素の定性分析、定量分析 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | LC/MS（液体クロマトグラフ質量分析計） | メーカー名：Waters 型式：Xevo G2-S QTof |
四重極型MS、飛行時間型MS、UPLC/MS/MS |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | イオンクロマトグラフ | メーカー名：Dionex 型式：ICS-2100 |
液体試料中の各種イオンを定量 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | 酸素・窒素・水素定量分析装置 | メーカー名：HORIBA 型式：EMGA |
試料中の酸素、窒素、水素の定量分析 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | グロー放電発光分析装置（GD-OES） | メーカー名：HORIBA 型式：GD-Profiler 2 |
試料の表面分析/深さ方向分析 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | GC/MS（ガスクロマトグラフ質量分析計） | メーカー名：Agilent 型式：Agilent 5977A GC/MS |
充放電や高温保存等に伴う有機電解液の変質を定量的に調べる。 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | 電池発生ガス分析装置 | メーカー名：JEOL 型式：JMS-700 |
既知物質の同定や未知物質の構造決定 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | XRF（蛍光X線分析装置） | メーカー名：SHIMADZU 型式：LAB CENTER XRF-1800 |
物質の成分分析や構成比率を分析 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | XPS（X線光電子分光装置） | メーカー名：ULVAC-PHI 型式：VersaProbe II |
H、He以外のすべての元素の定性・定量、化学結合状態の分析 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | HAXPES | メーカー名：Omicron Nano Technology、ULVAC-PHI（光源） 型式：特型 |
硬X線源を用いたX線光電子分光 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | XRD（X線回折装置） | メーカー名：Rigaku 型式：SmartLab |
粉末解析、薄膜解析、小角X線散乱 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | 比表面積測定装置 | メーカー名：Micromeritics 型式：3FLEX |
粉体の比表面積、細孔容積の測定 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | 粒子径分布測定装置 | メーカー名：HORIBA 型式：LA-950V2 MF |
粒子の粒度分布 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | 環境制御型SPM | メーカー名：Bruker AXS 型式：MultiMode 8 + グローブボックス（MBrown) |
表面粗さ、機械的特性、電気特性の局所評価 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | TOF-SIMS | メーカー名：ION-TOF 型式：TOF.SIMS5-AD-GCIB |
試料表面の微量な元素、化合物の同定や深さ方向分析、サブミクロン分解能でのイメージング |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | TEM/STEM | メーカー名：JEOL 型式：JEM-ARM200F（HR） |
TEM/STEM観察、EELS測定、EDS測定 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | FIB | メーカー名：JEOL 型式：JIB-4501 |
FIB加工およびSEM観察、SEM/TEM試料作製 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | FIB-SEM | メーカー名：Hitachi High-Tech Science 型式：SMF2000 |
FIB加工およびSEM/STEM観察、3D再構築,EDS測定,SEM/TEM試料作製 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | SEM | メーカー名：JEOL 型式：JSM-7800F |
SEM観察、EDS測定、WDS測定、EBSD測定 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | 走査型オージェ電子分光装置 | メーカー名：ULVAC-PHI 型式：PHI710 |
固体表面の元素・組成分析。化学結合状態の分析 |
| 蓄電池基盤プラットフォーム | クロスセクションポリッシャ（CP） | メーカー名：JEOL 型式：IB-09020CP |
大気非曝露での断面SEM観察用試料作製 |