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施設【超伝導量子回路試作施設】 装置一覧（28件）
| 施設名 | 装置名称／手法 | 仕様 | 用途 |
|---|---|---|---|
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | i線ステッパ | 本装置は、レチクル上に描画されたパターンを超高圧水銀灯で照明し、縮小投影レンズを通してウェハ上に結像させ、焼き付けます。また、ウェハステージをステップ・アンド・リピートさせながら露光するので、ウェハ全面への露光が可能になります。 ・形式：NSR-2205i12D ・露光光源：i線（波長365nm) ・解像度：350nm L&S ・開口数N.A：最大0.63、0.63～0.5で可変 ・縮小倍率：1/5倍 ・1ショットの露光範囲：22mm角 又は 17.96(横)×25.2(縦)mm、 但し、φ31.11mm以内 ・露光マスク：6インチレチクル ・アライメント精度：55nm以下 ・露光可能なウェハサイズ：3インチ、4インチ、6インチ ・標準的な露光時間（ウェハ、レチクルのセットから露光終了まで）：10分程度/ウェハ 但し、上記はアライメントがオートでなされ、エラーが発生しない場合。 |
i線を用いてウェハー上に微細なパターンを形成する |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | CMP-1号機 | スラリーを滴下しながら研摩パッドでウェハ表面を研磨することでウェハ表面を平坦化する装置。ウェハ着脱はマニュアル操作。研摩条件はコンピュータ制御。研摩レシピ登録可能。3 inchウェハの場合、別装置でウェハ表裏両面の後洗浄が可能。 ・型式：Presi Mecapol E312 ・装置形態：研摩テーブル x 1 + ウェハ保持用アーム x 1 ・研摩テーブル回転数制御可能。 ・ウェハ回転方向・回転数制御可能。 ・ウェハ保持アーム：揺動可能。 ・ウェハ圧制御可能。 ・N2ガスによるウェハ背面圧制御可能。 ・スラリー自動滴下装置有。滴下速度制御可能。 ・基板サイズ：Φ3 inch および4 inch ウェハ ・通常、中性のコロイダルシリカスラリーを使用。平均粒径100 nm ・主に研摩している材料：SiO2 ・SiO2の研摩速度: 20-30 nm/min |
ウェハー上に形成された凹凸を平坦化するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | 段差計 | 型名：P-16 | ウェハー上に形成したパターンの段差を測定するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | NbNジョセフソン素子作製装置 | 交流高電圧によりN2(またはAr)プラズマを発生させて成膜材料へ衝突させることにより、基板へNbN(またはNb)の超伝導薄膜をスパッタします。 TiN(またはTi)の常伝導膜との組み合わせでSNS型のジョセフソン接合を作製できます。 PCにより自動で逐次多層成膜することができます。 真空システムと基板搬送は手動操作です。 ・型式:EVP-30751 ・装置形態:スパッタチャンバー x 1 + ロードロック室 ・スパッタ源:6 inchRFマグネトロン x 3式 ・スパッタ電源:RF電源 最大出力600 W ・基板サイズ:Φ3 inchウェハ、Φ2 inchウェハ ・基板加熱機構:故障中(修理予定なし) ・基板冷却機構:なし ・イオンビームで基板クリーニング可能。 ・ターゲット-基板間距離:40 ～ 80 mm (ユーザー変更不可) ・到達真空度:1.4 x 10-4 Pa以下 ・使用ガス:Ar、N2 ・PCによる自動成膜(Webによる遠隔モニタ機能有) ・成膜可能材料:NbN、Nb、Ti、TiN、Al (Alは暫定のため予告なく変更の可能性あり) ・成膜時間:NbN 76 nm/min 例)SNSジョセフソン接合の積層膜に2時間 |
ウェハー上にNb,Ti,Alとその窒化膜をスパッタ成膜するために使用する |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | ウェハー洗浄装置 | 本装置は、希フッ酸によるSiの自然酸化膜のエッチングとオゾン水によるSi酸化プロセスの繰り返しにより、Siウェハー表面・裏面を同時に洗浄する、スピンタイプのウェハー洗浄装置です。回転保持機構部にフィンタイプチャックを採用、通常のウエハーのほか、反りのある薄物ウエハーに対しても安定した回転能力を保持。更にハンギング方式でのハンドリングにより高い安定性を実現しています。またロボットアーム、ウェハーキャリアー設置部の段取り替えにより複数のウェハーサイズに対応しています。洗浄中のウエハー裏面への処理液の回り込みが極めて少なく、裏面へのリンス処理も可能です。 ・対応可能ウェハーサイズ:3,4inch(排他使用)。 ・洗浄能力:洗浄後の4inchのSiウェハー上の0.1μmの粒子の数が<10個 ・使用溶液:DHF(0.5-20wt%)、オゾン水(20ppm)。 ・超純水ノズル種類:2流体ノズル、メガソニック。 ・乾燥:窒素ブロー。 |
ウェハ表面を洗浄し清浄表面を得るために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | 有機洗浄装置A | 本装置は、洗浄処理部のウェハステージに人手でウェハをセットすることで、薬液（レジスト剥離液）にて自動的にウェハの表面洗浄処理を行う枚葉式のスピン洗浄装置です。主な用途として反応性イオンエッチング（RIE）後のレジスト剥離、洗浄に用います。下記の各機能をプログラム（レシピ）で設定して、設定レシピに応じた自動洗浄を行うことができます。 ・型式：TWPS-03M ・ウェハ保持：ウェハ裏面のバキュームチャック ・レジスト剥離液：NMP、ノズル吐出又は高圧ジェット吐出 ・薬液温度：通常80℃に設定 ・乾燥：スピン乾燥（3000rpm）＋N2ブロー ・バックブロー：N2ブローによりウェハ裏面への洗浄液の回り込み防止機能有り。 ・洗浄可能なウェハサイズ：3インチのみ、変換ホルダの使用厳禁。 ・洗浄時間：レシピ設定に依存、標準的には15分～30分程度/ウェハ |
ウェハー上のレジストを有機溶液を用いて洗浄する為に使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | マニュアルプローバ | 本装置は、ウェハステージに人手でウェハをセットし、マイクロポジショナー（ニードル）をマニュアルで測定箇所に合わせて測定するマニュアルプローバです。試作途中又は試作後のウェハの2端子、4端子測定が可能です。 ・型式：705B-A ・ウェハ保持：ウェハ裏面のバキュームチャック ・プロービング：マイクロポジショナー、ニードル数：4 ・測定器：デジタルマルチメータ（Keithley 197) ・測定結果はデジタルマルチメータの表示のみ。 ・測定可能なウェハサイズ：3インチ、4インチ、数mm角のチップでも可 ・測定時間：プロービング数に依存 |
ウェハー上の各種膜からなるパターンの抵抗を測定するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | RTA | 型式：AS-One100 ・最大加熱温度：1500度 ・最大昇温率：200度/sec ・最大冷却率：100度/sec ・複数のガス（Ar,O2,N2）フロー可能 ・最大真空度：10-6 Torr ・処理可能なウェハーサイズ：6インチ （ただ、ウェハー面内の温度ムラがある） ・200度程度の高精度低温アニール用サセプター有り |
急速加熱により高速アニールを行い、ウェハー上の膜の改質を行うために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | オートプローバ | 本装置は、ウェハステージに人手でウェハをセットすることで、自動的にプロービング測定を行うセミオートプローバです。試作途中又は試作後のウェハの2端子、4端子測定が可能です。測定レンジの設定もプログラムで自動的に変更して測定します。 ・型式：PCP-102SL ・ウェハ保持：ウェハ裏面のバキュームチャック ・アライメント：オート（画像認識）又はマニュアルでも可 ・プロービング：マイクロポジショナー、ニードル数：4 ・測定箇所は、全てプログラム内に座標指定する。 ・座標データが記入されたExcelデータを読込むことも可 ・測定結果はPCに自動取込み、Excelデータに変換可能 ・測定器：デジタルマルチメータ（Agilent 34410A)又はエレクトロメータ(Advantest R8252) ・測定可能なウェハサイズ：3インチ、但し装置設定を変更すれば8インチまで対応可 ・測定時間：プロービングサイト数によるが、例えば1ウェハ３０００箇所程度の２端子測定は20分程度（100箇所以上/分）。 |
ウェハー上の各種膜からなるパターンの抵抗を測定するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | マルチターゲット(六源)スパッタ装置 | ・最大基板サイズ:4inchウェハ。 ・成膜チャンバーとサンプル搬入用ロードロックの2チャンバー構成。 ・スパッタ方式:DC、RF可能。 ・成膜時の圧力コントロール精度:0.2mTorr以下。 ・成膜可能材料:Nb,Al,SiO2,Ti,W,Au。 ・基板洗浄用逆スパッタ可能。 ・基板洗浄時のバイアス電圧モニタリング可能。 ・分子状酸素による酸化プロセス実行可能。 ・レシピによる全自動成膜が可能。 ・ジョセフソン接合、超伝導転移端検出器、超伝導量子細線検出器作製用の各種材料の成膜に使用している。 ・レシピにより各種材料を用いた多層膜の成膜可能。 |
ウェハー上に各種超伝導・金属膜及びSiO2膜をスパッタ成膜するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | ダイシング装置 | 型式：ディスコ DAD320 目的：ウエハー切断 方式：極薄回転砥石 材料：シリコンウエハー ウエハサイズ：6”φ以下(厚さ0.8mm以下) 典型的プロセス時間：約20分(3”φシリコンウエハー1枚) 特徴：ウエハーはステージ上に真空吸着で固定 |
ウェハーを小片にカットして分けるために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | 反応性イオンエッチング装置Samco-III | この装置は反応性ガス(CF4,SF6,O2)を高周波電界中で活性化し、これにより生じたラジカル●イオンをエッチャントとして利用して材料表面を削るものです。基板に高周波電圧を印加する方式により、加速されたイオンが基板に対して垂直方向に入射してエッチングを進めるのでパターンの微細化に有効です。 ・型式:RIE-10NR ・最大基板サイズ:Φ8inchウェハ ・放電方式:容量結合方式(CCP) ・高周波電界:周波数13.56MHz(水晶発振制御)、最大300W ・電界制御:インピーダンスオートマッチング ・反応ガス:CF4,SF6,O2 ・パージガス:N2 ・基板冷却:水冷 ・エッチング可能材料:Nb,Ta,W,NbN等 |
反応性イオンエッチングにより、ウェハー上に成膜されたSiO2若しくはNb等の超伝導膜にレジストパターンを転写するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | セミオートデベロッパー | 本装置は露光後のレジスト現像を行うセミオートデベロッパーです。本装置は、 従来型のスプレー現像・エッチング処理方式ではパターン倒壊を招くような 極微細かつアスペクト比の高いレジストパターンの現像・エッチングに対応 しています。窒素ガスを使用した2流体ノズルスプレーを備えています。 ・現像液:TMAH2.38%(NMD-W, MF319,MF450等可能) ・乾燥:窒素ブロー ・対応ウェハーサイズ:3,4inch(排他使用) ・現像可能レジスト:PFI-68,26, ZPN1150, NPR9700。 |
露光後のレジストの現像処理を行う。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | TEOS-CVD装置 | PD-270STL-AI 液体ソースTEOS を原料としてSiO2 膜を基板上に形成するプラズマCVD 装置。低温（80度）での成膜も可能。内部応力を膜組成を換えることで、制御可能。屈折率を各種元素をドープする事により変更可能。高アスペクト比（50）構造への成膜も可能。 ・成膜可能な基板サイズ：8インチ ・ウェハー間膜厚均一性：±3%以下 ・基板加熱温度：60～200度 ・RF周波数：13.56MHz ・RF出力：1kW ・ガス導入系：マスフローコントローラー 4系統 ・ガス供給方式：恒温槽による気化ガス直接流量制御方式 ・成膜可能膜厚：10μm以上 ・成膜速度：最大100nm/min以上 ・膜応力：-300-200 MPa ・手動/自動運転モード切替可能 ・登録可能レシピ数：100。 |
ウェハー上に液体ソースを用いたCVDによりSiO2膜を形成するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | イオンミリング装置 | 加速したArイオンを試料に照射して表面をエッチングする装置。純粋に物理的なエッチングなので、貴金属や酸化物などを含めてすべての物質がエッチング可能。その反面、エッチング速度の選択比は通常高くはなく、またエッチング物質再付着の問題もある。イオンソースの直径が大きく有効エッチング面積が広いため、3 inchウェハなら2枚同時エッチングが可能。 ・型式：TDY-1800 ・装置形態：エッチング室 x 1 (ロードロックなし) ・イオンソース：Ion Tech社製16cm RFイオンソース。RFニュートラライザ付き。最大ビーム電流：700 mA。ビーム加速電圧：50-2000 eV。 ・基板保持機構：3 inchウェハは専用ホルダ有。他はツメ型治具で押えて保持。最大基板サイズ：Φ6 inch。基板角度調整可能 (0-90°)。基板回転可能。基板水冷用チラー （温度可変）付き。 ・ターボ分子ポンプで排気。到達真空度：5 x 10-6 Pa以下 ・使用ガス：Ar ・主にエッチングしている材料：Nb, Al, SiO2 ・Alのエッチングレート: 20 nm/min |
Arイオンミリングにより、ウェハー上にレジストパターンを転写するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | Nb-Alジョセフソン接合作製装置[In-situ分析器&オゾン酸化器付] | 直流高電圧によりArプラズマを発生させて成膜材料へ衝突させることにより、基板へ均質緻密な膜をスパッタします。ロードロック室付きなので基板交換を効率よく迅速に行えます。2種類の材料を逐次多層成膜することができます(全自動)。真空システムと基板搬送を含め全自動動作が可能です。 ・型式:M93-0012 ・装置形態:スパッタチャンバー x 2 + 酸化室+ロードロック室 ・スパッタ源:6inchDCマグネトロン x 2式(各スパッタ室に1つ) ・スパッタ電源:DC電源 最大出力1.5kW(各スパッタ源と排他的に接続) ・電力コントロール:アーキング防止機能付き ・RF電源:最大出力500W ・最大基板サイズ:Φ4inchウェハ ・基板保持機構:水冷 ・1つの成膜チャンバー内で逆スパッタ可能。 ・ターゲット-基板間距離:50～200mm ・膜厚分布:±5%以内@100～200nm, Nb成膜時@Φ2inch内 ・到達真空度:5 x 10-6 Pa以下 ・成膜時Ar圧力:0.113～2Pa, コントロール精度:0.013Pa以下 ・使用ガス:Ar, O2,O3 ・レシピによる全自動成膜可能。（外部PC制御可能） ・成膜可能材料:Nb,Al ・各チャンバーに分圧真空計付き。 ・O3を使った表面酸化が可能。 |
ウェハー上に超伝導Nb,Al.Al酸化膜からなる多層膜をスパッタ成膜するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | ナノサーチ顕微鏡 | 型式：ST-4500 光学顕微鏡、走査型レーザー顕微鏡(LSM)，走査型プローブ顕微鏡(SPM)を一台に集約。多様な試料に対応の観察・測定装置。 数十倍から百万倍の超ワイド領域で，ミリからナノまでの観察・測定を本装置のみで実現。各種顕微鏡の切り替えは電動で実施のため、観察対象物を見失うことなく，素早く正確にプローブ顕微鏡で観察が可能。 また、微分干渉スライダ、偏光板も搭載され、明視野、微分干渉、レーザーコンフォーカル、レーザーコンフォーカル微分干渉での測定が可能。 １．レーザー顕微鏡（LSM）部性能 ・レーザー波長：405nmの半導体レーザー ・カラー観察用光源：白色LED ・カラー観察用CCD:200万画素 ・対物レンズ種類：5×、20×、50×、100× ・XYステージ：100×100mm以上の電動ステージ。ステージ台回転機能付き（±40°以上の回転可能） ・最大サンプル高さ：70 mm ・高さ分解能：1 nm ２．走査型プローブ顕微鏡（SPM）性能 ・スキャン範囲：最大30μm×30μm×4μm(X-Y-Z) ・選択可能動作モード：コンタクトモード，ダイナミックモード，位相モード，電流モード，表面電位（KFM）モード ３．データ解析性能 ・LSMデータ解析内容：プロファイル測定、段差測定、面積/体積測定、線粗さ測定、面粗さ測定が可能 ・取得データ：スナップショット、3Dデータ、長寸法ラインデータ ・SPMデータ解析内容：断面形状解析、線粗さ解析、面粗さ解析、形態解析、平均段差測定が可能 ・画像スティッチング枚数：最大625枚 |
ウェハー上の特定箇所の微細な構造を観察するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | ICP型反応性イオンエッチング装置 | 有磁場ICP(Inductively Coupled Plasma)型高密度プラズマエッチング装置。 低パワーでも安定・均一なプラズマが得られ、ダメージの少ないエッチングが可能。 プラズマ密度と基板への入射エネルギーを独立に制御可能。 ロードロック付き。ウェハは自動搬送。枚葉式処理。 タッチパネル制御。エッチングレシピ登録可能。エッチングログ保存機能。 ・型式:ULVAC CE-300I ・装置形態:エッチング室 x 1 + ロードロック室 ・電源:最大出力1000 W(アンテナ部)、300 W(バイアス部) ・最大基板サイズ:Φ3 inchウェハ ・チップ状試料の場合はトレイ処理が可能 ・基板保持機構:静電チャックおよびHeガス冷却機構 ・電極水冷用チラー ・エッチングガス圧: 0.07 ? 13.3 Pa ・到達真空度:5 x 10-4 Pa以下 ・TMPおよびドライポンプで排気 ・使用ガス:SF6、CF4、C4F8、O2 ・エッチング終点検出可能。 ・主にエッチングしている材料:Mo、TiN、NbN、Si ・Moのエッチングレート: 30 nm/min |
反応性イオンエッチングにより、ウェハー上に成膜されたSiO2若しくはNb等の超伝導膜にレジストパターンを転写するために使用する |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | アッシング装置 | 本装置は、一般的なドライエッチング装置であるが、主な使用目的はO2プラズマによるフォトレジスト残渣除去である。 方式：酸素プラズマ 試料：シリコンウエハー 試料サイズ：175mm×200mm以下 典型的プロセス時間：約15分(5分程度のプラズマ処理の場合) 特徴：平行平板電極型(ダイレクトプラズマモード、RIEモード選択可能) |
エッチング等によりダメージを受けたレジストの剥離及びウェハー上に残留した有機物等の除去に使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | CMP-2号機 | スラリーを滴下しながら研摩パッドでウェハ表面を研磨することでウェハ表面を平坦化する装置。ウェハ着脱はマニュアル操作。研摩条件はコンピュータ制御。研摩レシピ登録可能。3 inchウェハの場合、別装置でウェハ表裏両面の後洗浄が可能。 ・型式：TRCP－380SW ・装置形態：研摩テーブル x 1 + ウェハ保持用アーム x 2 ・研摩テーブル回転数制御可能。 ・ウェハ回転方向・回転数制御可能。 ・ウェハ保持アーム：揺動可能。 ・ウェハ圧制御可能。 ・スラリー自動滴下装置有。滴下速度制御可能。 ・基板サイズ：Φ3 inch および4 inch ウェハ ・通常、中性のコロイダルシリカスラリーを使用。平均粒径100 nm ・主に研摩している材料：SiO2 |
ウェハー上に形成された凹凸を平坦化するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | シート抵抗測定装置 | 型式：国際電気アルファ（日立国際電気） VR-120S ・測定可能ウェハーサイズ：76.2-300mm ・ 0.95秒／1点、1分／49点の高速処理 ・浅いイオン注入層、薄い金属膜他の高精度測定 ・内蔵式ノッチ／オリフラ探知機による高位置精度（オプション） ・シート抵抗分布が一目で分かるインテリジェントマッピング ・ Windowsライクな画面で操作性が飛躍的に向上 ・ トレンドチャートなど統計的データ解析機能充実（オプション） |
ウェハー上の膜の抵抗の面内分布を測定するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | 有機洗浄装置B | 本装置は、洗浄処理部のウェハステージに人手でウェハをセットすることで、薬液（レジスト剥離液）にて自動的にウェハの表面洗浄処理を行う枚葉式のスピン洗浄装置です。主な用途として反応性イオンエッチング（RIE）後のレジスト剥離、洗浄に用います。下記の各機能をプログラム（レシピ）で設定して、設定レシピに応じた自動洗浄を行うことができます。 ・型式：TWP-031S ・ウェハ保持：ウェハ裏面のバキュームチャック ・レジスト剥離液：NMP、ノズル吐出又は高圧ジェット吐出 ・薬液温度：通常80℃に設定 ・ブラシスクラブ洗浄：PVA回転ブラシ、搖動可 ・メガソニックシャワー洗浄（超純水） ・乾燥：スピン乾燥（3000rpm）＋N2ブロー ・バックブロー：N2ブローによりウェハ裏面への洗浄液の回り込み防止機能有り。 ・洗浄可能なウェハサイズ：3インチのみ ・洗浄時間：レシピ設定に依存、標準的には10分程度/ウェハ |
ウェハー上のレジストを有機溶液を用いて洗浄する為に使用する |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | ICP型反応性イオンエッチング装置 | 有磁場ICP(Inductively Coupled Plasma)型高密度プラズマエッチング装置。 低パワーでも安定・均一なプラズマが得られ、ダメージの少ないエッチングが可能。 プラズマ密度と基板への入射エネルギーを独立に制御可能。 ロードロック付き。ウェハは自動搬送。枚葉式処理。 タッチパネル制御。エッチングレシピ登録可能。エッチングログ保存機能。 ・型式:ULVAC CE-300I ・装置形態:エッチング室 x 1 + ロードロック室 ・電源:最大出力1000 W(アンテナ部)、300 W(バイアス部) ・最大基板サイズ:Φ3 inchウェハ ・チップ状試料の場合はトレイ処理が可能 ・基板保持機構:静電チャックおよびHeガス冷却機構 ・電極水冷用チラー ・エッチングガス圧: 0.07 ? 13.3 Pa ・到達真空度:5 x 10-4 Pa以下 ・TMPおよびドライポンプで排気 ・使用ガス:SF6、CF4、C4F8、O2 ・エッチング終点検出可能。 ・主にエッチングしている材料:Mo、TiN、NbN、Si ・Moのエッチングレート: 30 nm/min |
反応性イオンエッチングにより、ウェハー上に成膜されたSiO2若しくはNb等の超伝導膜にレジストパターンを転写するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | 反応性イオンエッチング装置Samco-IＩ | 本装置は、プラズマリアクティブイオンエッチング法により高密度エッチングが可能です。主にＳｉＯ２膜のエッチングを目的としています。ロードロック室を装備しているため再現性よくエッチングが出来ます。操作はレシピを作成、登録しタッチパネルによる全自動運転です。 ・型式：SAMCO RIE200L ・主なエッチング材料：SiO2 ・ウエハサイズ：3inchウエハ ・使用ガス：CHF3,O2 ・エッチングレート：SiO2＝18nm/min ・面内均一性：5％以下 ・反応室到達真空度：4×10-5Pa ・基板冷却機構：水冷 ・ウエハトレー：カーボン ・エッチング終点検出：なし |
反応性イオンエッチングにより、ウェハー上に成膜されたSiO2若しくはNb等の超伝導膜にレジストパターンを転写するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | コーターデベロッパー | 本装置は、レシピを作成、登録することにより全自動でレジスト塗布、現像、ベークを行うことが出来ます。薬液は所定の温度、湿度に保たれており安定したレジスト塗布が可能です。 ・レジスト：ネガ、ポジ ・ウエハサイズ：3inchウエハ ・レジスト膜厚：0.7～1.0μm ・ベーク温度：110℃ ・処理時間：約５分 ・薬液温度：２３℃ ・薬液湿度：４５％ ・HMDS処理有り ・基板冷却機構：水冷 ・ウエハエッジ部、裏面リンス機能有り |
ウェハー上にレジスト塗布及び露光後の現像を行う |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | 反応性イオンエッチング装置Samco-I | 本装置は、プラズマリアクティブイオンエッチング法により高密度エッチングが可能です。主にＳｉＯ２膜のエッチングを目的としています。ロードロック室を装備しているため再現性よくエッチングが出来ます。操作はレシピを作成、登録しタッチパネルによる全自動運転です。 ・型式：SAMCO RIE200L ・主なエッチング材料：SiO2 ・ウエハサイズ：3inchウエハ ・使用ガス：CF4,CHF3,O2 ・エッチングレート：SiO2＝18nm/min ・面内均一性：5％以下 ・反応室到達真空度：4×10-5Pa ・基板冷却機構：水冷 ・ウエハトレー：石英 ・エッチング終点検出：なし |
反応性イオンエッチングにより、ウェハー上に成膜されたSiO2若しくはNb等の超伝導膜にレジストパターンを転写するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | Nb/Alジョセフソン接合作製装置[標準型] | 本装置は、ロードロック室、酸化室、ALスパッタ室、Nbスパッタ室の4チャンバーで構成され、真空状態でウエハを搬送させ多層膜を形成するこが可能です。酸化室ではRF逆スパッタにより必要に応じてウエハ表面のクリーニングも出来ます。チャンバー間の移動は自動操作可能です。 ・スパッタ方式：DCスパッタ ・スパッタレート：Nb=78nm/min AL=15nm/min ・ウエハ冷却（酸化室）：22℃ ・酸化ガス：Ar･O2 ・到達真空度：5×10-8Torr ・最大基板サイズ：Φ3inchウェハ ・基板保持機構：水冷 ・ターゲット-基板間距離：50～200mm ・膜厚分布：±5% ・使用ガス：Ar, Ar/O2 ・成膜時間制御用タイマー付き。 ・成膜可能材料：Nb,Al |
ウェハー上に超伝導Nb,Al.Al酸化膜からなる多層膜をスパッタ成膜するために使用する。 |
| 超伝導量子回路試作施設（Qufab） | 絶縁膜作製装置 | 交流高電圧によりArプラズマを発生させて成膜材料へ衝突させることにより、基板へSiO2膜を自動でスパッタします。基板を回転させることによりカバレッジと均一性を改善します。ロードロック室付きなので基板交換を効率よく迅速に行えます。基板搬送は手動操作です。 ・型式：M98-0021 ・装置形態：スパッタチャンバー x 1 + ロードロック室 ・スパッタ源：6inchRFマグネトロン x 1式 ・スパッタ電源：RF電源 最大出力1000W （800Wで使用中） バイススパッタ可能 ・基板サイズ：Φ3inchウェハ、Φ2inchウェハ ・基板加熱機構：なし ・基板冷却機構：あり ・逆スパッタで基板クリーニング可能。 ・ターゲット-基板間距離：40～80mm （ユーザー変更不可） ・到達真空度：1.4 x 10-7 Torr以下 ・使用ガス：Ar ・PCによる自動成膜(Webにより進捗状況を遠隔モニター可能、ただし遠隔操作は不可） ・成膜可能材料：SiO2 ・成膜時間：6nm/min 例）400nm成膜に試料の搬入出も含めて約2時間 |
ウェハー上にSiO2膜をスパッタ成膜するために使用する。 |