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施設【先端ナノ計測施設】 装置一覧(13件)
施設名 | 装置名称/手法 | 仕様 | 用途 |
---|---|---|---|
先端ナノ計測施設(ANCF) | 表面プローブ顕微鏡1 | 原子間力顕微鏡、走査型トンネル顕微鏡 ・型式: JEOL JSPM5400 、E-SWEEP他 ・設置室名: 2-1D棟125室 ・測定機能: AM-AFM、FM-AFM、コンタクトモード、STM、KPFM、EFM ・測定環境: 大気中、液中、真空中(10-5 [Torr])、超高真空(10-10 [Torr]、使用機能に制限あり) ・温度範囲: 室温~ 300 ℃(ヒータのみ、制御なし) ・試料サイズ: 最大300 mmウエハー(測定手法によっては寸法(1mm角等)や厚さの制限有) ・液中リアルタイム測定可能(毎秒10フレーム) 原理(ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修) 原子間力顕微鏡(AFM) http://www.tsc-web.jp/map/pdf/AFM.pdf 走査型トンネル顕微鏡(STM) http://www.tsc-web.jp/map/pdf/STM.pdf |
原子間力顕微鏡、走査型トンネル顕微鏡による表面観察 |
先端ナノ計測施設(ANCF) | ピコ秒可視・近赤外過渡吸収分光装置 | 200 fsの時間分解能、240 ~ 11000 nmの観測波長領域、<0.001の吸収測定精度を有する、過渡吸収分光装置です。 固体中キャリア寿命、界面電荷分離反応の速度・収率、励起子拡散長を評価します。 ●測定モード:透過・正反射・拡散反射型ポンプ‐プローブ法 ●励起光:100 ~ 150 fsパルス、波長240 ~ 2400 nm ●測定雰囲気:室温大気中(特殊環境は要相談) |
過渡吸収分光装置固体中キャリア寿命、界面電荷分離反応の速度・収率、励起子拡散長の測定 |
先端ナノ計測施設(ANCF) | ナノ秒可視・近赤外蛍光寿命計測装置 | 液体、溶液、結晶、フィルムなどの蛍光スペクトルと蛍光寿命を測定する装置。 励起光源にレーザーダイオードを用いており、非常に簡便に計測ができる。 寿命測定は時間相関単一光子計数法を用いており、弱い励起条件での計測が可能である。 温度は常温のみ。 ●時間分解能:約500 ps ●励起波長:405 nm ●測定波長範囲:420 nm~1400 nm |
蛍光スペクトル及び蛍光寿命の測定 |
先端ナノ計測施設(ANCF) | 固体NMR装置(200MHz) | 200MHz、固体、4.7T、広幅測定、固体高分解能測定、二次元測定、緩和時間測定、温度-120~200 ℃ 原理(ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修) 固体核磁気共鳴法(SS-NMR) http://www.tsc-web.jp/map/pdf/SOLID-STATE_NMR.pdf |
固体核磁気共鳴 |
先端ナノ計測施設(ANCF) | 表面プローブ顕微鏡2と前処理装置 | SIIナノテクノロジ S-ImageおよびE-SWEEP ●設置室名: 2-1D棟124室 ●測定機能: AM-AFM、コンタクトモード、STM、KFM、Conductive-AFM ●制御装置: 1台のNanonaviをS-ImageおよびE-SWEEPで切り替えて利用 ●測定環境: 大気中、恒湿度雰囲気(20~70%)、液中、真空中(10E-5[Torr]) ●温度範囲(E-SWEEP): -100 ℃ ~ 300 ℃(ヒータのみ、制御なし) ●試料サイズ: 最大15 mm角程度 前処理装置等 ●標準試料: 探針評価、スケール、段差等 ●研磨機、プラズマクリーナ、白色干渉計、反射分光膜厚計、化学ドラフト 原理(ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修) 原子間力顕微鏡(AFM) http://www.tsc-web.jp/map/pdf/AFM.pdf 走査型トンネル顕微鏡(STM) http://www.tsc-web.jp/map/pdf/STM.pdf |
原子間力顕微鏡、走査型トンネル顕微鏡による表面観察 |
先端ナノ計測施設(ANCF) | ピコ秒可視蛍光寿命計測装置 | この装置は、40 psの時間分解能、時間レンジ1 ~ 100 ns、400 ~ 900 nmの観測波長領域を有する、時間分解蛍光スペクトル測定装置です。 固体中励起子寿命、励起子拡散長、色素分子蛍光寿命を評価できます。 ●形式: C4334-01 ●励起光:150 fsパルス、波長240 ~ 800 nm ●測定雰囲気: 室温大気中(特殊環境は要相談) |
時間分解蛍光スペクトル測定固体中励起子寿命、励起子拡散長、色素分子蛍光寿命の測定 |
先端ナノ計測施設(ANCF) | 超伝導蛍光X線検出器付走査型電子顕微鏡 | 高感度、高分解能の超伝導検出器を搭載した、蛍光X線検出器付走査型電子顕微鏡 電子線で試料上を走査する際に放出される蛍光X線を測定することにより、主に軽元素の分布状態を評価できる。 ①蛍光X線エネルギー範囲:100 eV-2 keV ②エネルギー分解能:~7 eV@400 eV X-ray③計数率:~1 Mcps④走査型電子顕微鏡:HITACHI S-4500⑤加速電圧範囲:200 V-30 kV⑥電子ビームサイズ(最適値):1.5 nm at 15 kV, 4.0 nm at 1 kV⑦ 最大サンプルサイズ:20 mmΦ⑧機械式ヘリウム3 冷凍機を用いて簡単に冷却でき、長時間の測定可能 ≪特徴≫ 1.超伝導エネルギー分散分光検出器を搭載した走査型電子顕微鏡 2.100 ppm以下の微量元素を検出可能 3.特定元素については化学状態分析も可能 4.WDSのエネルギー分解能でSDD並の検出効率を実現、省エネ半導体中のドーバントや 酸化物、磁性体中に含まれる各元素の次元的なナノメータースケールの分布状況を高い スループットで評価 (競合:米Star Cryoelectronics) |
軽元素の分布状態 |
先端ナノ計測施設(ANCF) | 固体NMR装置(600MHz) | 600MHz、固体、14.1T、広幅測定、固体高分解能測定、二次元測定、緩和時間測定、拡散係数測定、測定可能温度 -120~200 ℃ 原理(ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修) 固体核磁気共鳴法(SS-NMR) http://www.tsc-web.jp/map/pdf/SOLID-STATE_NMR.pdf |
固体核磁気共鳴 |
先端ナノ計測施設(ANCF) | 陽電子欠陥測定装置(陽電子プローブマイクロアナライザー[PPMA]) | 電子加速器で発生した低エネルギー高強度陽電子ビームを短パルス化し試料に入射して、陽電子の寿命スペクトルなどを測定することによって、試料(特に薄膜や表面近傍)の原子~ナノレベルの欠陥・空孔を評価する装置。 原子~ナノメートルサイズの原子空孔や空隙の評価が可能。 ●パルスレート: 26 ns以上可変 ●パルス幅:200 ps以下 ●入射エネルギー0.5 keV~30 keV可変 ●ビーム径10 μm~12 mm |
陽電子の寿命スペクトルなどを測定することによって、試料(特に薄膜や表面近傍)の原子~ナノレベルの欠陥・空孔を評価する |
先端ナノ計測施設(ANCF) | ナノ秒可視・近赤外過渡吸収分光装置 | 液体、溶液、結晶、フィルムなどの過渡吸収スペクトルと減衰挙動を測定する装置。 励起光源にYAGレーザーの第2 ~ 3高調波を用いており、様々な測定対象に対応可能である。 従来装置と比べて測定感度が高いことが特徴であり、吸光度変化として0.001程度の計測が可能である。 ●時間分解能: 1 ns程度 ●励起波長: 355、532 nm ●測定波長範囲: 400 nm~1600 nm ●測定雰囲気:-80°C ~ 室温 ~ +100°C |
液体、溶液、結晶、フィルムなどの過渡吸収スペクトルと減衰挙動の測定 |
先端ナノ計測施設(ANCF) | 固体NMR装置(20MHz) | 20MHz、固体、0.47T、プロトン測定、緩和時間測定、磁場勾配法による拡散係数測定、温度-120~200℃ 原理(ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修) 固体核磁気共鳴法(SS-NMR) http://www.tsc-web.jp/map/pdf/SOLID-STATE_NMR.pdf |
固体核磁気共鳴 |
先端ナノ計測施設(ANCF) | 極端紫外光光電子分光装置(EUPS) | 産総研自主開発:レーザー生成プラズマを用いて生成したパルスEUV光を試料を照射した際に放出される光電子のエネルギーを計測することにより、試料最表面(0.5 nm程度)の電子状態を分析する装置。 絶縁物、導体表面からの光電子のエネルギースペクトルのシフトから、試料表面の汚染状態を評価する、世界で唯一の表面分析装置。 ・ナノ秒可視・近赤外蛍光寿命計測装置 ●EUV光子エネルギー:255.17eV ●EUV光子スペクトル幅~0.1eV ●EUVパルス幅:3nsec ●試料上ビーム径:50~100μm ●絶縁薄膜、有機薄膜を帯電させること無く測定可能 測定可能な物理量 ●バンド曲がり ●二次電子スペクトルで真空準位 ●ナノ粒子表面の汚染度 ●電子雲の傾斜角(π、σ電子識別)原理、測定例をEUPSのHP (http://staff.aist.go.jp/t-tomie/EUPS)で紹介 |
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先端ナノ計測施設(ANCF) | 超伝導蛍光収量X線吸収微細構造分析装置(SC-XAFS) | 産総研自主開発:エネルギー分散超伝導検出器を搭載し、母材中の微量軽元素や重い元素のL、M線のX線吸収微細構造測定により、特定の微量元素の原子スケール構造解析を行う。 米ALSに同様の装置があるのみ。 省エネ半導体ドーパント、酸化物、磁性体などの原子配位や電子状態を評価。 ・蛍光X線エネルギー分解能: 10 eV ・エネルギー範囲:100 eV ? 15 keV (1 keV以下は超伝導、以上は半導体) ・光子計数率: 1 Mcps ・液体ヘリウムを使用せず自動冷却(0.3 K) 原理(ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修) X線吸収微細構造法(XAFS) http://www.tsc-web.jp/map/pdf/XAFS.pdf |
X線吸収微細構造法(XAFS)、X線吸収分光法(XAS) |