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施設【材料分析ステーション】 装置一覧（30件）
| 施設名 | 装置名称／手法 | 仕様 | 用途 |
|---|---|---|---|
| 材料分析ステーション（MAS） | ショットキー電界放出型走査電子顕微鏡 | SEM:加速電圧 0.5 - 30kV 解像度 1.2nm～（二次電子像） 3.0nm～（反射電子像） EDX:JED-2300 エネルギー分解能 133eV以下、検出可能元素 B～U EBSD:TSL OIM DigiView4.0, Analysis8.1 格子歪み測定プログラムCrossCourt ver.3 |
形状観察、非破壊元素定性・定量分析、結晶方位及び結晶サイズ評価、格子歪評価解析など |
| 材料分析ステーション（MAS） | 誘導結合プラズマ発光分光分析装置(マルチ型・デュアルビュー） | 1.プラズマ観測方向；軸方向と横方向に切り替え可能 2.分光器：エシェルクロス分散ポリクロメータ 波長範囲：167～785nm 窒素パージシステム 3.検出器：CCD検出器 4.ICP部 プラズマ：Ar 周波数：27MHz RF出力：～1500W |
１．金属・セラミックス・有機物など溶液化可能なあらゆる試料の精密元素分析 ２．公定法分析への対応 ３．溶液化した未知試料の定性分析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 簡易型粉末回折計-Cr | ・MiniFlex600 ・最大出力：0.6 kW ・Cr Ka線源 |
定性分析、定量分析、結晶化度評価、結晶子サイズ/格子歪評価、格子定数の精密化、Rietveld解析など |
| 材料分析ステーション（MAS） | 簡易型粉末回折計-Cu_N1 | ・MiniFlex600 ・最大出力：0.6 kW ・Cu Ka線源 ・６連の自動試料交換機 |
定性分析、定量分析、結晶化度評価、結晶子サイズ/格子歪評価、格子定数の精密化、Rietveld解析など |
| 材料分析ステーション（MAS） | 温度可変型粉末X線回折装置 | ・高輝度X線発生装置：最大出力9 kW ・X線波長：CuKa1 ・高性能１次元型半導体検出器 ・試料部：試料水平型 ・低温装置：2.6 K～室温（真空） ・高温装置：室温～1500℃（空気、He、22、O2、Ar、真空） |
・定性分析 ・定量分析 ・結晶化度評価など |
| 材料分析ステーション（MAS） | 簡易型粉末X線回折装置 | ・X線発生装置：最大出力0.6 kW ・X線波長：CuKa ・X線検出器:１次元型半導体式 ・試料部：試料水平型 |
・定性分析 ・定量分析 ・結晶化度評価 ・結晶子サイズ/格子歪評価 ・格子定数の精密化 ・Rietveld解析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 高速・高感度型粉末X線回折装置 | ・X線発生装置：最大出力3.0 kW ・X線波長：CuKa ・X線検出器:１次元型半導体式 ・試料部：試料水平型 |
・定性分析・定量分析・結晶化度評価・結晶子サイズ/格子歪評価・格子定数の精密化・Rietveld解析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 高輝度・高感度型粉末X線回折装置 | ・高輝度X線発生装置：最大出力9 kW ・X線波長：CuKa ・X線検出器:高性能１次元型半導体式 ・試料部：試料水平型 |
・定性分析・定量分析・結晶化度評価・結晶子サイズ/格子歪評価・格子定数の精密化・Rietveld解析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | ２波長CCD低温単結晶X線回折装置 | ・X線波長：MoもしくはCu（自動切り替え） ・高輝度Ｘ線源：試料部輝度 31 kW/mm2 ・高感度・低ノイズ型CCD検出器 ・角度分解能可変：カメラ長 40~115 mm |
・低分子単結晶試料を用いた精密結晶構造解析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 前処理装置群 | ①マッフル炉 ②マイクロ波分解 ③試料切断 ④試料表面研磨 ⑤遠心分離 ⑥温度：室温～300℃ |
ICP-OES分析用試料溶液調製 ガス分析装置用試料調製 イオンクロマトグラフシステム用試料溶液調製 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 電界放出形電子線プローブマイクロアナライザー装置 | ・電界放出形電子銃 ・加速電圧：1?30kV ・照射電流：10 pA ?500 nA ・測定可能元素：Be～U ・最大試料サイズ：100 x 100 x 50 mm |
・金属、半導体等の表面の元素分析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 走査型オージェ電子分光分析装置 | ・空間分解能：<8 nm （ショットキー電界放射電子銃） ・加速電圧：0.5～30 kV ・照射電流：0.1～100 nA ・測定元素：Li～U ・最大試料サイズ：14 x 14 x 5 mm ・試料破断装置 |
・金属、半導体等の表面分析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | イオンクロマトグラフシステム | ・ポンプ: 流量設定範囲 0.05～5.00 mL/min ・電気伝導度検出器: 検出範囲 0～15000 ?S ・デガッサ：真空脱気方式 ・カラムヒーター: 温度設定 30～60℃（室温より+5℃） ・試料収容量：1.5 mLバイアル120本 ・導入モード：フルループ、パーシャルループ、リミテッド試料、キャピラリ ・自動希釈：1:1～1:1000 |
・水溶液中（環境水）に含まれる陰イオンの定性・定量分析 ・排気ガス中に含まれる硫黄酸化物、窒素酸化物及び塩化水素の定量分析 ・鉄鋼用アルミニウムドロス、コンクリート、紙、板紙及びパルプ中の塩化物イオンの定量分析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | X線光電子分光分析装置 | ・走査型単色Alka集束X線源 ・最小X線ビーム径：<10 μm ・X線源パワー：1～100 W ・エネルギー分解能：<0.5 eV（Ag 3d5/2) ・最大感度：>3 Mcps, 1.3 eV FWHM （Ag 3d5/2） |
・金属、半導体、有機物等の表面分析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 酸素窒素水素分析装置、炭素硫黄分析装置 | 酸素･窒素・水素解析部はインパルス加熱/赤外線検出方式及び熱伝導度検出方式である。 分析範囲：［酸素］10 ppm～3％, ［窒素］10 ppm～3％(試料重量1g時） ［水素］10 ppm～2500ppm(試料重量1g時) 炭素･硫黄解析部は高周波加熱炉/赤外線検出方式である。 分析範囲：［炭素］10 ppm～6％, ［硫黄］10 ppm～6％ (試料重量1g時） |
・金属,セラミックス中のガス成分分析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | フェムト秒レーザー装置 | フェムト秒レーザー発振器 ・ピーク波長：790nm±30nm ・レーザーパルス幅：250ft秒以下 ・繰り返し周波数：0.1～1000Hz |
・レーザーアブレーションによる固体試料の微粉化とサンプリング |
| 材料分析ステーション（MAS） | 微小部蛍光X線分析装置 | X線照射部 ・マイクロフォーカスRh管球：印加電圧～50kV,電流値～1mA ・ポリキャピラリー30μm 検出器 ・SSD検出器(液体窒素レス) ・測定元素：Na～U |
・金属・セラミックスなど各種試料の非破壊分析 ・微小部分析の定性・定量分析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 誘導結合プラズマ発光(分光)分析装置(マルチ型） | ・プラズマ観測方向；アキシャル ・分光器：エシェルクロス分散ポリクロメータ ・波長範囲：167～785nm ICP部 ・プラズマ：Ａｒ ・周波数：40MHz ・RF出力：～1500W |
・精密元素分析 ・溶液化した未知試料の定性分析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 誘導結合プラズマ発光(分光)分析装置(高分解能型） | 分光器 ・ツェルニターナ型 ・光電子倍増管検出器 ・測定波長範囲：L分光器185～850nm、第2分光器130～460nm ICP光源 ・アルゴンプラズマ ・出力：～1.6ｋＷ |
・金属・セラミックス・有機物など溶液化可能なあらゆる試料の精密元素分析 ・公定法分析への対応 ・溶液化した未知試料の定性分析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 飛行時間型二次イオン質量分析装置 | ・Biクラスターイオンビーム ・空間分解能：低質量分析時：<100 nm，高質量分析時：<1.0 μm ・質料分解能：低質料分子イオン（SiH+等）：>11,000，高質量分子イオン（＞200 Da）：>15,000 ・ 深さ方向分析用スパッタビーム：Biイオン、Csイオン、Arイオン及びO2イオンを選択可能 ・ 2D分析,3D分析可能 ・トランスファーベッセル |
・固体試料の最表面に存在する成分原子・分子分析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | マルチガス導入グロー放電質量分析システム | 装置本体 ・二重収束型質量分析計 ・磁場半径27cm ・静電アナライザー半径：38cm. ・イオン源(ビン・ディスク) 真空排気系 ・イオン源：(Heガス：ターボ分子ポンプ、Arガス：クライオポンプ) ・アナライザー：ターボ分子ポンプ イオン検出器 ・ファラデー検出器 ・イオン計数デイリー検出器 試料冷却システム ・液体窒素冷却 |
・金属・セラミックス試料の高感度分析 ・薄膜試料の分析が可能 ・相対感度係数による高い精確さを有する分析が可能 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 二重収束型ICP質量分析装置 | ・高周波電源部；周波数：27.1MHz 出力：2kw ・試料導入部；マスフローコントロールガス制御、ペリスタポンプ（4連） ・インターフェース部；コーン：ニッケル、白金 ・真空システム；５段差動排気 |
・金属・セラミックス・有機物など溶液化可能なあらゆる試料の精密元素分析 ・溶液化した未知試料の定性分析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡 | ・冷陰極電界放出形電子銃 ・インレンズ方式 ・二次電子分解能：0.4 nm (30kV), 1.6 nm (1kV) ・加速電圧：0.5?30kV ・低倍率モード：60?10,000，高倍率モード：800?2,000,000 ・最大試料搭載可能サイズ 平面 5.0mmx9.5mm27.5mmH 断面 最大厚み1.0mmと2.0mmのホルダー 1.0mm×7.5mm×5.0mmH 2.0mmx6.5mmx5.0mmH |
・表面の形状観察 ・ナノ粒子の超高分解能構造解析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 走査電子顕微鏡 | ・Wフィラメント電子銃 ・二次電子分解能：3.0 nm (30 kV), 8 nm (3 kV), 15 nm (1 kV) ・加速電圧：0.3?30kV ・倍率：5?300,000 ・最大試料サイズ：Φ150mm ・Wフィラメント電子銃搭載の汎用型SEM ・操作ナビ画面にナビゲーション表示 ・ 試料交換手順はフロー式で初めての方でも簡単に試料交換可能 |
・表面の形状観察 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 電界放出形走査電子顕微鏡 | ・電界放出形電子銃 ・二次電子分解能：1.5 nm (15kV), 3.0 nm (1kV) ・加速電圧：0.5?30kV ・倍率：10?500,000 ・最大試料サイズ：Φ100mm ・FE電子銃搭載 ・４つのモードの二次電子像 ・インレンズ方式のため超高分解能観察が可能 ・EDS付属 |
・表面の形状観察及び元素分析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 極低加速電圧電界放出形走査電子顕微鏡 | ・冷陰極電界放出形電子銃 ・二次電子分解能：1.0 nm (15 kV), 2.0 nm (1 kV) リターディングモード：1.3nm（試料印加電圧1kV（加速電圧2.5ｋV）） ・加速電圧：0.5～30kV ・リターディングモード リターディングによる試料印加電圧：100v～2.0kV （加速電圧：500V～4.5kV） ・最大試料サイズ：Φ100mm |
・表面の形状観察 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 走査型硬X線光電子分光分析装置 | ・硬X線（Cr Kα線）と軟X線（Al Kα線）の単色化２線源を搭載 ・ガスクラスターイオン銃(GCIB) ・加熱・冷却・電圧印加機構搭載 ・トランスファーベッセル付属 |
各種固体試料（合金・半導体を含む無機化合物・有機物）の表面における ・元素分析 ・定量分析 ・化学状態分析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 卓上型粉末回折計-Cu_N2 | ・X線発生装置：最大出力0.6 kW ・X線波長：Cu Kα ・試料部：試料水平型 ・X線検出器：1次元型半導体式 ・６連自動試料交換機 |
定性分析 ・定量分析 ・結晶化度評価 ・結晶子サイズ/格子歪評価 ・格子定数の精密化 ・Rietveld解析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 四重極型ICP質量分析装置 | 1. 高周波電源部 周波数：27 MHz 出力：1600 W 2. 試料導入部 マスフローコントロールガス制御 高マトリックス対応スプレーチャンバー ペリスタポンプ（3連） 3. インターフェース部 コーン：ニッケル、白金 4. 真空システム 3段差動排気 5. コリジョンリアクションセル Heガス対応 6. 質量分析計 四重極型 分解能：0.3-1.0 u 質量分析範囲：2～260 u 7. 検出部 90度偏向型二次電子増倍管 |
・金属・セラミックス・有機物など溶液化可能なあらゆる試料の精密元素分析 ・公定法分析への対応 ・溶液化した未知試料の定性分析 |
| 材料分析ステーション（MAS） | 走査プローブ顕微鏡 | コンタクトモード、AC モード、ノンコンタクトモードが使用可能。真空中の測定も可能。 | 表面構造の評価 |