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施設【マイクロシステム融合研究開発センター】 装置一覧（110件）
| 施設名 | 装置名称／手法 | 仕様 | 用途 |
|---|---|---|---|
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | JEOL FE-SEM | 小片～4インチ、電界放出型SEM、EDX付 | 評価 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | SPPテクノロジーズ TEOS PECVD | TEOS SiO2、SiN、基板サイズ 小片～8インチ、最高温度 350℃、低応力SiN成膜 | CVD |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | ECRロングスロースパッタ | 小片～6インチ、ターゲット数 2、ターゲット‐ステージ間距離 150mm、コリメータ付、エッチング可 | スパッタ、ドライエッチング |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | コータデベロッパ | 2～8インチ、HMDS処理、コート 3ライン、現像 2ライン、エッジリンス、バックリンス、ホットプレート 4セット、クールプレート 1セット | リソグラフィ |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | i線ステッパ | 小片～8インチ、最小線幅 0.35μm以下、重ね合せ精度 40nm、両面アライメント対応、透明基板対応、反り基板対応、Nikonレチクル対応 | リソグラフィ |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | エッチングチャンバー | 酸洗浄、ウェットエッチング（Si, SiO2, 金属など） | 洗浄 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | リン酸槽 | SiNウェットエッチング | ウェットエッチング |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | イナートオーブン（シンター炉） | N2雰囲気中での熱処理、Alシンタリングなど | 熱処理 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 真空オーブン | 真空中での熱処理 | 熱処理 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | ブラシスクラバ | 研磨後のウェハ洗浄 | 洗浄 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | スピン乾燥機 | 平置き式でウェハやフォトマスクの乾燥 | 乾燥 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 有機ドラフトチャンバー | 有機洗浄、レジスト剥離 | 洗浄 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 4"スピン乾燥機 | カセット式で1度に25枚まで処理可能 | 乾燥 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 6"スピン乾燥機 | カセット式で1度に25枚まで処理可能 | 乾燥 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | スピンコータ | レジスト等のスピンコーティング | リソグラフィ |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | クリーンオーブン | ウェハのベーク | 乾燥 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | ポリイミドキュア炉 | N2雰囲気中でのポリイミドのキュア | 熱処理 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 両面アライナ | コンタクト露光、片面・両面アライメント、接合時のアライメント | リソグラフィ |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 現像ドラフト | レジスト現像用のドラフトチャンバー | リソグラフィ |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | UV キュア装置 | レジストのキュア、カセットtoカセット | リソグラフィ |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | スピンコータ | レジスト等のスピンコーティング | リソグラフィ |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | スプレー現像装置 | 現像液とリンス（水）をノズルから噴霧 | リソグラフィ |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | エリオニクス EB描画装置 | 最大加速電圧：130keV、最小描画パターン：10nm以下 | リソグラフィ |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | レーザ描画装置 | 波長：405nm、最小描画線幅：0.7μm、マスク作製（Cr、エマルジョン）、直接描画、グレイスケール露光 | リソグラフィ |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | スピン乾燥機 | 平置き式でウェハやフォトマスクの乾燥 | 乾燥 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | マスクレスアライナ | 波長：405nm/375nm、最小描画線幅：1μm、マスク作製（Cr、エマルジョン）、超高速直接描画、裏面アライメント | リソグラフィ |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 酸化炉（半導体用） | 酸化膜形成、半導体ウェハ用 | 熱酸化 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 酸化炉（MEMS用） | 酸化膜形成、MEMSウェハ用 | 熱酸化 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | P拡散炉 | P拡散（プリデポ用） | 熱拡散 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | P押し込み炉 | P拡散（ドライブイン用） | 熱拡散 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | B拡散炉 | B拡散（プリデポ用） | 熱拡散 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | B押し込み炉 | B拡散（ドライブイン用） | 熱拡散 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | アニール炉 | イオン注入後のアニール | 熱処理 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 中電流イオン注入装置 | 最大加速電圧：180keV、最大電流：0.6mA、注入可能元素：P、B、カセットtoカセット | イオン注入 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | ランプアニール装置 | 最高温度：1100℃、昇温速度：100℃／sec、カセットtoカセット | 熱処理 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | メタル拡散炉 | 最高温度：1000℃、メタルや圧電基板等の多用途拡散 | 熱処理 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | LPCVD（SiN） | SiN | CVD |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | LPCVD（Poly-Si） | Poly-Si | CVD |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | LPCVD（SiO2） | SiO2（NSG）、SiON | CVD |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 熱CVD | Epipoly-Si(non-doped, doped)、Poly-Si(non-doped, doped)、最高温度：1100℃ | CVD |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 住友精密PECVD | SiN、SiO2、最高温度：350℃、低応力SiN成膜 | CVD |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | W-CVD | タングステン成膜 | CVD |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | アネルバスパッタ装置 | 1バッチ9枚（4インチ）、8インチターゲット×3 | スパッタ |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 芝浦スパッタ装置 | 基板ステージφ200mm、3インチターゲット×3、基板加熱形（最高300℃） | スパッタ |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 電子ビーム蒸着装置 | 主に金属薄膜の蒸着 | 蒸着 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | ゾルゲル自動成膜装置 | PZT成膜 | ゾルゲル成膜 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | めっき装置 | Cu、Ni、Sn、Au | めっき |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | MOCVD | PZT成膜等 | CVD |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | JPEL PECVD | SiN、SiO2、バッチ式：4インチ×13枚、6インチ×8枚 | CVD |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 住友精密TEOS PECVD | TEOS SiO2、SiN、最高温度：350℃、低応力SiN成膜 | CVD |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 自動搬送 芝浦スパッタ装置 | 基板ステージφ220mm、3インチターゲット×4、基板加熱形（最高300℃）、ロードロック付、自動搬送 | スパッタ |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 多元材料原子層堆積(ALD)装置 | アルミナ等のALDが可能。6インチウェハまでの導入が可能。アルミナ、Pt以外は、要原料 | ALD |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 酸素加圧RTA付高温スパッタ装置 | 金属用(DC)スパッタチャンバ、酸化物用(RF)スパッタチャンバ、酸素加圧アニールチャンバの3つのチャンバで構成。最高基板温度は700℃。主にPZT下地成膜、PZT成膜用。 | スパッタ、熱処理 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | アネルバマルチスパッタ | 1バッチ最大6枚搭載可能（回転機構付）、6インチターゲット×3（DC×2、RF×1：同時放電可能）、基板加熱形（最高650℃）、強磁性体対応、ロードロック付、クライオポンプ | スパッタ |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | DeepRIE装置#1 | Siの深堀エッチング、メカニカルチャック | ドライエッチング |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | DeepRIE装置#2 | Siの深堀エッチング、メカニカルチャック | ドライエッチング |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | DeepRIE装置#3 | Siの深堀エッチング、メカニカルチャック | ドライエッチング |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | アネルバRIE装置 | SiN、SiO2のドライエッチング、ガス：CF4、CHF3 | ドライエッチング |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | アネルバSi RIE装置 | Siのドライエッチング、ガス：SF6 | ドライエッチング |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | Al-RIE装置 | AlやSiのドライエッチング、カセットtoカセット、ガス：Cl2、BCl3 | ドライエッチング |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | アルバック アッシング装置 | 2.45GHｚ、カセットtoカセット | アッシング |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | ブランソン アッシング装置 | 13.56MHｚ | アッシング |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | アルバック多用途RIE装置 | 金属膜や圧電膜も対象とした多目的のドライエッチング、ガス：Cl2、BCl3、SF6、CF4、CHF3、Ar、N2、O2 | ドライエッチング |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | KOHエッチング槽 | Si結晶異方性エッチング | ウェットエッチング |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | TMAHエッチング槽 | Si結晶異方性エッチング | ウェットエッチング |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | DeepRIE装置#4 | Siの深堀エッチング、静電チャック | ドライエッチング |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | イオンミリング装置 | Arイオン、4インチ×6枚、6インチ×3枚 | ドライエッチング |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | Vapor HFエッチング装置 | 気相フッ酸による主にSiO2犠牲層エッチング | ドライエッチング |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | アルバックICP-RIE | SiO2などのドライエッチング、静電チャック、ガス：CF4、CHF3、SF6、Ar、O2、N2、Cl2、BCl3 | ドライエッチング |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | ケミカルドライエッチャー(CDE) | ラジカルによる低ダメージのSi、SiN等方性ドライエッチング、DRIE後のスキャロップ除去、ガス：CF4、O2、N2 | ドライエッチング |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | プラズマクリーナー | O2またはArによるウェハ表面のプラズマクリーニング、レジストアッシング | ドライエッチング |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | アルバックICP-RIE#2 | SiO2,メタルなどの多目的ドライエッチング、静電チャック、ガス：CF4、CHF3、SF6、Ar、O2、N2、Cl2、BCl3 | ドライエッチング |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | ウェハ接合装置 | 陽極接合、金属接合、ポリマー接合 | 接合 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 東京精密 ダイサ | 切削水：純水 | ダイシング |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | ディスコ ダイサ | 切削水：水道水 | ダイシング |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | ワイヤボンダ | Al、Au | ワイヤボンディング |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | レーザマーカ | ウェハのマーキング | マーキング |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 6インチウェハ研磨装置 | Si、SiO2、金属などの研磨、CMP | 研磨 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 4インチウェハ研磨装置 | Si、SiO2、金属などの研磨、CMP | 研磨 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | サンドブラスト | ガラスの穴あけ加工 | サンドブラスト |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | EVG ウェハ接合装置 | 熱圧着接合用 | 接合 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | EVG ウェハ接合用アライナ | IR透過アライメント可能 | 接合 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | UVインプリント装置 | UV光を用いたインプリント装置、ステップ&リピート可能 | インプリント |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 熱インプリント装置 | 最大650℃、最大30kN | インプリント |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | エキシマ洗浄装置 | ウェハや石英モールド上の有機物の除去 | インプリント |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | サーフェイスプレナー | Au、Cuバンプの平坦化 | 切削 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | ウェハゴミ検査装置 | ウェハ上のパーティクル測定（数、大きさ） | 評価 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 膜厚計 | 光学式の膜厚測定 | 評価 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | Dektak 段差計 | 触針式の表面形状測定 | 評価 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | Tenchor 段差計 | 触針式の表面形状測定 | 評価 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 深さ測定装置 | 光学式の非接触深さ測定装置 | 評価 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 4探針測定装置 | ウェハ抵抗率などの測定 | 評価 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 拡がり抵抗測定装置 | 不純物濃度プロファイルの測定、ウェハを小片にして端面を斜め研磨した後に測定 | 評価 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | ウェハプローバ | デバイスの電気特性測定 | 評価 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 金属顕微鏡 | 最大8インチ対応のL200も利用可 | 評価 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | デジタル顕微鏡 | パターン観察、デジタル画像保存、電動ステージ（PC制御可）、20～200倍、500～5000倍 | 評価 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 熱電子SEM | EDX付、低真空モード付、光学画像ナビゲーション付 | 評価 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | FE-SEM | 小片専用、インレンズ式の高分解能FESEM | 評価 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | マイクロX線CT | X線を用いた非破壊内部観察 | 評価 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | エリプソ | 薄膜の厚さ、屈折率測定 | 評価 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 超音波顕微鏡 | デバイス内部の非破壊検査、ウェハ接合面の欠陥、ボイド評価等 | 評価 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 赤外線顕微鏡 | 両面アライメントの確認、ウェハ接合面のボイド評価等 | 評価 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 四重極質量分析装置 | プロセス中の残留ガスのモニタ等 | 評価 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | クイックコータ | SEM観察試料のPtコーティング | 評価 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 卓上型エリプソ | 高速サンプリング可能なエリプソ | 評価 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | レーザ／白色共焦点顕微鏡 | 3次元表面形状測定、DeepRIEのエッチ深さ測定、レーザ光／白色の切替可能、共焦点／非共焦点の切替可能 | 評価 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 直線集束ビーム超音波材料解析システム#1 | 固体試料の漏洩弾性表面波(LSAW)速度測定 | 評価 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | 直線集束ビーム超音波材料解析システム#2 | 固体試料のバルク波（縦波、横波）音速測定 | 評価 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | FIB | 集束イオンビームによる微小部分のエッチング、SEM観察用断面作製 | 評価 |
| マイクロシステム融合研究開発センター（μSIC） | XRD | X線回折測定、1000℃までの高温環境での測定可能 | 評価 |