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施設【ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ）】 装置一覧（33件）
| 施設名 | 装置名称／手法 | 仕様 | 用途 |
|---|---|---|---|
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | 紫外可視近赤外分光光度計V-770 | ・波長範囲：190～3200nm ・バンド幅：0.4～10nm可変 ・測光範囲：±3Abs ・測定対象：液体、粉体、フィルム |
透過率測定 反射率測定 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | 高速高精細電子ビーム描画装置 | 加速電圧：100kV 基板サイズ：最大8インチ フィールドサイズ：1mm ビーム電流：100pA～10nA |
微細加工（リソグラフィ） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | 蛍光分光計（Fluorolog-3） | ・波長分解能 1.5nm ・波長範囲は、600-1400nm ・高感度光電子増倍管(PMT)検出器 |
試料から発生する蛍光を測定 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | XRD（薄膜） | ・薄膜測定 ・小角散乱測定 |
・微細構造の分析 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | XRD（粉末） | ・粉末測定 ・フォーカスビーム、パラレルビーム ・キャピラリーホルダー ・高温チャンバー |
・微細構造の分析 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | 走査プローブ顕微鏡 | 【測定モード】 Contact AFM , Tapping AFM , MFM, Electro chemical , STM , Liquid-phase AFM. 【Scanner】 17?/1.3? |
・微細構造の観察 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | AFM（原子間力顕微鏡） | ・測定モード：コンタクトAFM、タッピングAFM、摩擦力顕微鏡 ・走査範囲：水平100 x 100 um ・最大試料サイズ： 6インチφ ・付加機能：I-V測定及びマッピング |
・微細加工（評価・計測） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | 表面段差計 | ・垂直分解能：0.1 nm ・最大垂直測定幅：262 µm ・測定長さ：50 µm～30 mm |
・微細加工（評価・計測） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | FE-SEM（SU8230）＋EDX | ・冷陰極電界放出電子銃 ・分解能：0.8 nm (15 kV) , 1.1 nm (1 kV) ・付加機能：EDX、反射電子検出器、簡易STEM(明.暗視野) |
・微細加工（評価・計測） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | FE-SEM(S-4800)+EDX | ・加速電圧:0.5～30kV , ・最大倍率:800k , ・検出器:SE/BSE |
・微細構造の観察および分析 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | FE-SEM(SU8000)+EDX | ・加速電圧: 0.5～5kV , ・最大倍率:800k , ・加速電圧:SE/BSE |
・微細構造の観察および分析 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | ミニSEM+EDX | ・反射電子観察 ・最大倍率: 50000 |
・微細構造の観察および分析 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | 透過電子顕微鏡 | 加速電圧：200kV 分解能：0.1nm スポットサイズ：0.2nm 【付加機能】 ・ EDX ・STEM ・STEM-EELS ・Ion cleaner |
・微細構造の観察および分析 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | カラーレーザー顕微鏡 | 【測定項目】 Surface roughness, Height, Thickness of transparent film |
・微細構造の観察 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | ワイヤーボンダー(2) | ・ボンディング方式：超音波ウエッジ・ウエッジ技法 ・ワイヤ：0.007～0.002インチ径のアルミ又は金ワイヤワークピースの加熱が可能 |
・微細加工（電気測定） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | 室温プローバー | ・サンプルサイズ：最大4 inch Φ ・マニピュレーター：4本 ・半導体パラメータアナライザ：IV 4系統, CV 1系統 ・試料台加熱機能 |
・微細加工（電気測定） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | 低温プローバー | ・温度範囲：8～300 K ・サンプルサイズ：最大4 inch Φ ・マニピュレーター：4本 ・半導体パラメータアナライザ：4系統 ・高速パルスI-V測定 |
・微細加工（電気測定） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | 多連電子ビーム蒸着装置 | ・蒸発源：材料ハース10個 ・T-S距離：700mm ・基板サイズ：最大φ6インチ |
・微細加工（成膜） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | FIB-SEMダブルビーム装置 | ・イオン源 Ga液体金属 ・FIB加速電圧 1-30kV ・電子銃 ZrO/W熱電界放射型 |
・微細加工（エッチング） ・TEM試料作製，イオン照射による直接加工 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | レーザー露光装置 | ・光源 405nm半導体レーザー（h線） ・照度 300mW/cm2 ・位置決め精度 ±1um以下 ・重ね合わせ精度 ±1um以下 ・試料サイズ 最大4インチ角 |
・微細加工（リソグラフィ） ・マスクレスマイクロパターニング |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | スパッタ 1号機 | ・電源：DC×２、RF×１ ・基板サイズ：最大6inchφ ・プロセスガス：Ar、O2、22 ・基板加熱：設定300℃ ・逆スパッタ可 |
・微細加工（成膜） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | スパッタ 2号機 | ・電源：DC×２、RF×１ ・基板サイズ：最大6inchφ ・プロセスガス：Ar、O2、22 ・基板加熱：設定300℃ ・逆スパッタ可 |
・微細加工（成膜） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | 原子層堆積装置(2) | ・原料ソース：3源 ・基板サイズ：最大6inchφ ・基板温度：室温～300℃ |
・微細加工（成膜） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | コンタクトアライナー | ・光源：i線、h線、g線 ・マスク寸法：102mm角～152mm角、 ・基板寸法：76mm径以下 ・露光最小線幅：0.75?m ・位置決め精度：0.5?m(表面側) |
・微細加工（リソグラフィ） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | ドライエッチング装置 | ・エッチングガス：Ar、O2、SF6、Cl2、 BCl3、｛CF4、CHF3、C4F8のうち一つ｝ ・圧力：0.07～13.3 Pa ・プラズマ電力：最大1kW ・バイアス電力：最大300W ・基板寸法：最大152 mmφ |
・微細加工（エッチング） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | プラズマアッシャー(2) | ・高周波出力：最大600W ・プロセスガス：O2 |
・微細加工（エッチング） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | エキシマクリーナー | ・光源：172nmエキシマ紫外線ランプ ・ステージ温度：室温～200℃ ・試料サイズ：最大φ4インチ |
・基板洗浄 ・表面改質 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | ダイシング装置 | ・ブレード種：Si用及びAl2O3切断用ブレード ・ウェハサイズ：最大φ６インチ ・切断位置決め精度：5μm以内（CCDカメラによる位置指定） |
・微細加工（切削・研磨） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | RTA（赤外線急速アニール炉：6inch） | ・温度範囲：室温～1000℃ ・加熱方式：赤外ゴールドイメージ炉、９ゾーン制御 ・加熱性能：最大 10℃/s ・プロセスガス：22, Ar+H2(3%), Ar, O2, 真空置換機能あり ・試料台材質・サイズ：SiCコートグラファイト、６インチφ |
・微細加工（熱処理） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | 分光エリプソメーター | ・波長範囲：250～1000 nm ・補償子：回転式 ・入射角：自動制御、45～90° |
・微細加工（評価・計測） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | 熱分析装置(TG/DTA+DSC) | ・温度範囲 : r.t. ～ 750°C, ・雰囲気： 22, Ar or Air |
・熱計測および物性評価 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | ゼータ電位＆粒径測定装置 | ・粒径： 0.6nm～8μm ・ゼータ電位： -200～+200mV |
・微粒子の物性評価 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （並木ファウンドリ） | 蛍光分光計 | ・発光波長: 200 - 750nm, ・励起波長:200 - 750nm, ・温度範囲:0 -100°C, ・試料: liquid, powder, film |
・光学特性の評価 |