- ホーム>
- 装置一覧
装置一覧
機関・施設で絞り込む
スペース区切りでキーワード追加するか、機関や施設を選択し、AND検索によって検索結果を絞り込むことができます。
検索条件をクリアするには、ページ上部の「施設から装置検索」か「分類から装置検索」をクリックしてください。
施設【電子顕微鏡解析ステーション】 装置一覧（55件）
| 施設名 | 装置名称／手法 | 仕様 | 用途 |
|---|---|---|---|
| 電子顕微鏡解析ステーション | 走査型電子顕微鏡 | 金属・セラミクス試料の分析・方位マップ取得。 多彩な検出器による組織情報の抽出 |
ショットキーエミッタ、加速電圧：最大30kV, EDS(100mm2), EBSD(TSL Digiview) |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 微細組織三次元マルチスケール解析装置 | ・トリプルビーム（FIB-SEM-Arイオン）装置 ・FIBは最高1nmピッチで制御可能 ・加工と観察を繰り返すことで3D像再構築が可能 |
・3D像再構築・STEM観察・TEM試料作製・EDS測定 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 300kV収差補正電子顕微鏡（Grand-ARM） | 加速電圧 60, 80, 300kV TEM非線形情報限界 60pm TEM格子分解能 50pm STEM空間分解能 58pm CMOSカメラ 動画撮影機能搭載 デュアルEDS検出器 合計立体角1.2Sr EELS エネルギー分解能0.7eV |
下記特徴により、電子線損傷を受けやすい試料の観察、分析を可能としている 1．収差補正レンズによる超高分解能 2．デュアルEDS検出器による高感度分析機能 3．高感度・高速カメラによるロードーズ観察および動画観察 4．60から300kVの広加速電圧機能 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | TEM試料作製用集束イオンビーム加工装置 | FIBによるTEM試料作製 FIB-SEMシリアルセクショニング, 3D-EDS, 3D-EBSD |
FIB-SEM, マイクロサンプリング, EDS,EBSD |
| 電子顕微鏡解析ステーション | FIB加工装置 | ・加速電圧：30kV ・分解能：8nm・バルクステージ装備 |
・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | FIB加工装置 (分解能5nm) | ・加速電圧：30kV ・分解能：5nm |
・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 局所変形観察・解析電子顕微鏡（透過型電子顕微鏡） | ショットキーエミッタ、加速電圧：最大200kV、大口径EDS(2x100mm2), エネルギーフィルタ (Gatan QuantumER), ASTAR(プリセッション電子回折) | 金属・セラミクス試料のEELS,EDSによる局所分析およびマップ取得。 TEMを用いた高い分解能での方位マップ取得 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | ディンプルグラインダー（TEM試料作製装置群） | 試料研磨ホイール径: 15 mm ・試料研磨荷重: 0～40 g ・研磨ホイル回転速度: 0～600 rpm ・初期試料厚さ: 200μm以下 ・自動停止機構付き |
・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 広空間・高分解能分析電子顕微鏡 | 冷陰極電子銃、加速電圧：最大300kV、球面収差補正装置（プローブ・イメージ）、大口径EDS(22558mm2), エネルギーフィルタ (Gatan ContinuumER), ASTAR(プリセッション電子回折) | 金属・セラミクス試料のEELS,EDSによる局所分析およびマップ取得。 高い分解能での方位マップ取得。 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 精密イオン研磨装置(PIPS)（TEM試料作製装置群） | ・加速電圧: 0.1～6 kV、 ・研磨角: ±10°(0.1°ステップ) ・使用ガス: アルゴン ・液体窒素冷却ステージ |
・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | イオンスライサー（TEM試料作製装置群） | ・加速電圧: 1～8 kV ・研磨角: ±6°(0.1°ステップ) ・使用ガス: アルゴン |
・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 清浄表面組織観察FIB-SEM装置 | 金属・セラミクス試料の分析・方位マップ取得。 多彩な検出器による組織情報の抽出。 |
SEM:ショットキーエミッタ、加速電圧最大30kV、EDS(60mm2)、EBSD(TSL Digiview)、FIB、Arイオンミリング、レーザーによる大面積加工 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | ターボ式真空蒸着装置（TEM試料作製装置群） | ・全自動真空蒸着装置 | ・TEM試料作製 ・多種金属蒸 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | オスミウムコーター(1)（TEM試料作製装置群） | ・蒸着方式: 2極DCグロー放電スパッタ ・ターゲット: オスミウム |
・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | カーボンコーター | ・蒸着方式: 抵抗加熱 ・ターゲット: カーボン |
・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 白金コーター | ・蒸着方式: マグネトロン ・ターゲット: 白金 |
・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 自動精密切断機 | ・低速回転/軽荷重 ・4インチダイヤモンド切断砥石 ・ブレード回転数: 0?300 rpm |
・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 楔形研磨装置 | ・試料傾斜角度: 0～10° ・研磨盤回転速度: 5～350 rpm ・試料研磨荷重: 0～600 g ・研磨量をコントロールできる精密マイクロメーター付き |
・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 精密コーティングシステム | ・加速電圧: 1～10 kV ・使用ガス: アルゴン ・蒸着方式: イオンビームスパッタ ・ターゲット: カーボン、クロム、プラチナ、金パラジウム |
・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 平面研磨装置 | ・試料研磨 | ・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 金コーター | ・Auコート | ・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 超音波ディスクカッター | ・試料切断 | ・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 精密イオン研磨装置(PIPS Ⅱ)(TEM試料作製装置群) | ・0.1～8kV 加速電圧 ・冷却ステージ ・PIPS Ⅱ |
・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 集束イオンビーム加工装置 | ・加速電圧：30ｋV ・マイクロサンプリング機能付属 |
・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | TEM試料作製補助装置群（TEM試料作製装置群） | ・光学顕微鏡 ・t-ブタノール凍結乾燥装置：真空度；4Pa、試料台温度調節；5-50℃ ・卓上多本架遠心機：遠心分離 ・振とう器 ・ホットプレート |
・TEM試料チェック ・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 電子線トモグラフィー解析システム | ・3次元画像データ解析 | ・TEM解析 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | ウルトラミクロトーム | ・クライオチャンバー | ・TEM試料作製 ・超薄切片作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 200kV透過電子顕微鏡 | ・加速電圧：200kV ・点分解能：0.25nm ・格子分解能：0.14nm ・LaB6電子銃を搭載 ・TEMとEDS (点分析） ・CCDカメラ (Gatan Orius200D) 装備 |
・TEM解析 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 200kV電界放出形透過電子顕微鏡 | ・TEM、STEM、EELS、EDS（点・線分析、元素マッピング)、NBD、CBED ・3次元像観察用試料ホルダー及び再構成ソフト |
・TEM解析 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 冷陰極電界放出形電子顕微鏡 | ・加速電圧：300kV ・分解能0.2nm |
・分析TEM |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 冷陰極電界放出形ローレンツ電子顕微鏡 | ・加速電圧：300kV ・液体He冷却 ・磁場印加 |
・ローレンツEM |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 単原子分析電子顕微鏡 | ・加速電圧80kV－300kV ・分解能70pm@300kV ・エネルギー分解能80meV@80kV ・ダブルコレクター モノクロメータ |
・超高分解能TEM/STEM |
| 電子顕微鏡解析ステーション | HRTEM解析システム | ・TEM画像処理 ・FFT ・結晶モデリングおよび像計算 |
・HRTEMシミュレーション |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 300kV電界放出形電子顕微鏡 | ・加速電圧：300kV ・点分解能：0.17nm ・格子分解能：0.1nm |
・TEM解析 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 200kV電界放出形透過電子顕微鏡 | ||
| 電子顕微鏡解析ステーション | 実動環境対応物理分析電子顕微鏡 | ・加速電圧：200kV ・点分解能：0.11nm ・格子分解能：0.07nm |
・TEM解析 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 100kV透過電子顕微鏡 | ・加速電圧 100kV | ・TEM解析 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | ピックアップシステム | ・大気中でのサンプリング, ガラスプローブ | ・TEM試料作製 ・TEMsample preparation |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 実動環境対応電子線ホログラフィー電子顕微鏡 | ・照射レンズ系、結像レンズ系のそれぞれに収差補正機能を搭載 ・超高分解能（0.08 nm）を実現 ・冷陰極電子銃による低加速高分解能STEM ・加速電圧: 60, 80, 200 kV |
・TEM解析 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | デュアルビーム加工観察装置 | ・FIB ：Acc.Volt. 1～40 kV, max.current 50 nA ・SEM :Acc. Volt. 0.5～30 kV, resolution 1 nm@15kV |
・集束イオンビーム(FIB)加工・走査型電子顕微鏡観察(SEM)・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 走査電子顕微鏡 | ・加速電圧：30kV ・分解能：1.2nm@30kV ・分解能：3nm＠1kV |
・SEM解析 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 精密イオン研磨装置（セラミックス試料作製装置群） | ・イオンビームエネルギー: 0.1～8 keV ・試料冷却が可能 ・観察用デジタルズームカメラ付属 |
透過型電子顕微鏡観察用試料の作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | マルチコーター（セラミックス試料作製装置群） | ・蒸着 ・イオンスパッタ ・親水処理 |
・カーボン蒸着 ・金属スパッタ |
| 電子顕微鏡解析ステーション | ホットプレート（セラミックス試料作製装置群） | ・デジタルホットプレート ・最高温度400℃ |
試料の加熱 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | ディンプルグラインダ（セラミックス試料作製装置群） | ・研磨ホイール経: 15 mm ・研磨荷重: 0～40 g ・自動停止機構付属 |
試料の研磨 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 標準形デジタルインジケータ（セラミックス試料作製装置群） | ゼロセット機能 | 試料の厚さ計測 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 卓上研磨機（セラミックス試料作製装置群） | 研磨回転数: 50～500 rpm | 試料の研磨 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 小型精密切断器（セラミックス試料作製装置群） | 50mmダイヤモンド回転刃 | 試料の切断 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 2軸傾斜バイアス印加・加熱TEM試料ホルダー | ・バイアス電圧：最高150V ・加熱：最高1300℃ |
・デバイス動作その場TEM観察 ・加熱その場観察TEM |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 2軸傾斜液体窒素冷却TEM試料ホルダー | 冷却温度：-160℃ 傾斜：二軸傾斜 |
・ソフトマテリアルなど熱ダメージに弱い試料のTEM観察 ・低温相での観察が必要な試料のTEM観察 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | FIB/SEM精密微細加工装置 | 1. SIM像分解能5nm（@30kV）、最大電流65nA 2. SEM像分解能1.5nm（@1kV）、最大電流26nA 3. E-beam: 350V～30 kV、I-Beam: : 500V～30 kV 4. 試料ステージ: XY150 mm、Z10 mm、T: -9°～+57°、R: 360° 5. Ptデポ 6. サンプルリフトアウトシステム |
・集束イオンビーム(FIB)加工 ・走査型電子顕微鏡(SEM)観察 ・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | FIB加工装置 | ・加速電圧：30kV ・分解能：6nm |
・TEM試料作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 無損傷電子顕微鏡試料薄片化装置 | ・イオン：アルゴン ・イオンエネルギー：50～2000eV 可変 ・イオン電流：1mA/cm2 ・イオンビームサイズ：2μm |
透過電子顕微鏡観察用薄膜試料の作製 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | 200kV透過電子顕微鏡 | ・加速電圧200kV ・CCDカメラ |
・TEM解析 |
| 電子顕微鏡解析ステーション | DPC解析システム | 出力：STEM-位相差(DPC)像、STEM-位相像、位相Field Vector Map | 4D-STEMによる電場・磁場構造の解析 |