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装置一覧
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施設【スーパークリーンルーム】 装置一覧（115件）
| 施設名 | 装置名称／手法 | 仕様 | 用途 |
|---|---|---|---|
| スーパークリーンルーム（SCR） | ArF液浸レジスト塗布現像装置 | 用途： 超高解像度リソグラフィ 特徴： ArF レーザ光（波長193nm）の液浸露光と3層レジストにより、最小線幅45nm のリソグラフィが可能な、SCR を代表する装置 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： L01-104 |
露光装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | ArF液浸露光装置 | 用途： 超高解像度リソグラフィ 特徴： ArF レーザ光（波長193nm）の液浸露光と3層レジストにより、最小線幅45nm のリソグラフィが可能な、SCR を代表する装置 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： L01-103 |
露光装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | KrFレジスト塗布現像装置 | 用途： 高解像度リソグラフィ 特徴： KrFレーザ光（波長248nm）の露光により最小線幅200nm程度までのリソグラフィに使用 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M01-08 |
露光装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | KrF露光装置 | 用途： 高解像度リソグラフィ 特徴： KrFレーザ光（波長248nm）の露光により最小線幅200nm程度までのリソグラフィに使用 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M01-10 |
露光装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | i線レジスト塗布現像装置 | 用途： 裏面アラインメント露光、厚膜レジスト露光 特徴： 3次元実装に必要となる、厚膜レジストの露光や、IRを使用した両面の位置合わせが可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： U01-102 |
露光装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | IRアラインメント付i線露光装置 | 用途： 裏面アラインメント露光、厚膜レジスト露光 特徴： 3次元実装に必要となる、厚膜レジストの露光や、IRを使用した両面の位置合わせが可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： U01-101 |
露光装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | レジスト塗布現像装置 | 用途： 300mmウエハにレジストを塗布、露光後のウエハをTMAHで現像する 特徴： 一般的なレジスト塗布現像装置 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M01-04 |
露光装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | プラズマCVD装置 | 用途： プラズマ成膜装置（Cuライン） 特徴： Low-k、SiCN成膜 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： B03-07 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | プラズマCVD装置 | 用途： プラズマ成膜装置（Cuライン） 特徴： a-Si、TEOS、SiO2成膜 対応基板：φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M03-06 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | プラズマCVD装置 | 用途： プラズマ成膜装置（Cuライン） 特徴： SiO2、SiN成膜 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： B03-06 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | プラズマCVD装置 | 用途： プラズマ成膜装置（メタルライン） 特徴： SiO2、SiN成膜 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： F03-103 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 高密度プラズマCVD装置 | 用途： プラズマ成膜装置（HDP-CVD、Non-Metal、Metalライン） 特徴： バイアス印加による埋め込みSiO2成膜 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M03-01 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 高密度プラズマCVD装置 | 用途： プラズマ成膜装置（HDP-CVD、Cuライン） 特徴： バイアス印加による埋め込みSiO2、SiN成膜 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P03-101 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | High-k ALD装置 | 用途： High-k（Al2O3、HfO2）成膜 特徴： 成膜方法は電子層堆積方式、酸化剤は水またはオゾン 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M03-14 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | メタルCVD装置 | 用途： W ビア形成 特徴： 化学気相成長法により有機金属を原料にして金属薄膜を堆積、凹凸のあるパターン面に対して、Ｗなどの均一な膜厚の金属膜を形成可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M06-04 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 窒化膜LP-CVD装置 | 用途： SiN成膜 特徴： 化学気相成長法によりシリコン窒化膜を堆積する装置 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： F03-07 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 酸化膜LP-CVD(TEOS)装置 | 用途： TEOS SiO2成膜 特徴： 化学気相成長法により、TEOS（テトラエトキシシラン）を原料にしてシリコン酸化膜などを堆積する装置 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M03-03 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | Doped-Si LP-CVD装置 | 用途： a-Si、poly-Si、doped poly-Si成膜 特徴： プロセスガスの切替えにより、Bドープ、Pドープ、ノンドープのSi成膜が可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P03-103 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | プラズマCVD装置 | 用途： プラズマ成膜（Cuライン） 特徴： a-Si、SiO2、SiON、SiN成膜 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： U03-101B |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | バリアシードスパッタ装置 | 用途： バリア層、シード層形成 特徴： Cuめっき配線層のためのバリア層（Ta, TaN）、シード層（Cu）成膜に利用 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： B06-101 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 新材料スパッタ装置 | 用途： スパッタ成膜 特徴： 各種メタル、あるいは化合物のスパッタが可能、DC、RFいずれも可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： F06-101 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | メタルスパッタ装置 | 用途： スパッタ成膜 特徴： DCスパッタリング法によりメタルターゲットを原料にメタル薄膜を堆積 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M06-03 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | メタルスパッタ装置 | 用途： スパッタ成膜 特徴： DCスパッタリング法によりメタルターゲットを原料にメタル薄膜を堆積、RFも一部可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M06-07 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | Cuメッキ装置 | 用途： Cuダマシンプロセス 特徴： Cu配線のため、バリア/シード層形成後に電解めっきを行う 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： B06-102 |
成膜装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | Poly-Siエッチング装置 | 用途： Siエッチング 特徴： Poly-Siゲート等のSiのエッチングを行う装置 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M02-04 |
エッチング装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | メタルエッチング装置 | 用途： メタルエッチング 特徴： Al、その他メタル系エッチング装置、またアッシングチャンバーにてパッシベーション（後処理）が可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M02-05 |
エッチング装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | Low-k/メタルエッチング装置 | 用途： エッチング 特徴： 酸化膜等のエッチング用 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： B02-101 |
エッチング装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 酸化膜エッチング装置 | 用途： 前工程コンタクトホール形成等 特徴： 酸化膜/窒化膜に強い異方性エッチングを行うことができ、コンタクトホールやサイドウォール形成に利用される 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M02-01 |
エッチング装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 酸化膜エッチング装置 | 用途： ハードマスクエッチング等 特徴： 酸化膜等のドライエッチング装置 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M02-10 |
エッチング装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | Low-kエッチング装置 | 用途： 後工程コンタクトホール形成等 特徴： 酸化膜等の異方性エッチングを行うことができ、コンタクトホール形成に利用される 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： B02-01 |
エッチング装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 新材料エッチング装置 | 用途： 新材料エッチング全般 特徴： 酸化膜、Poly-Si及び金属膜等の異方性エッチングを行うことができ、最小LS 45nmの加工に利用される 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： F02-101 |
エッチング装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | アッシング装置 | 用途： Cu工程アッシング 特徴： O2ガス系又はH2ガス系でアッシングできるチャンバーを選択可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： B02-03 |
アッシング装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | アッシング装置 | 用途： 前工程アッシング 特徴： ダウンストリームタイプアッシングとして利用される 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M02-07 |
アッシング装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | アッシング装置 | 用途： 前工程アッシング 特徴： High dose impla後のアッシングに利用される 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P02-105 |
アッシング装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 高エネルギー中電流イオン注入装置 | 用途： 高エネルギー中電流のイオン注入 特徴： イオン種はP、BF2、Bなど 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M05-03 |
イオン注入装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 低エネルギー高電流イオン注入装置 | 用途： 低エネルギー高電流イオン注入 特徴： SCRでは注入エネルギーにより2台の装置を使い分けており、本機は50keV以下の低エネルギー条件で使用 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： F05-101 |
イオン注入装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | RTA/RTP装置 | 用途： RTP、熱酸化（薄膜）及びアニール 特徴： 急速加熱によるO2を使用した酸化、N2を使用したアニールが可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M03-101 |
熱処理装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | ゲート酸窒化RTO/RTP装置 | 用途： ゲート酸化・窒化 特徴： マイクロ波でプラズマ生成、ウエハ温度400℃ 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M04-02 |
熱処理装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 縦型アニール装置 | 用途： Cuリフロー 特徴： バッチ処理装置、H2（3％）/N2（97％）又はN2（100％）雰囲気でリフロー可 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： B04-01 |
熱処理装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 縦型酸化炉 | 用途： 熱酸化膜成膜 特徴： 一般的な熱酸化膜成膜用 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M04-101 |
熱処理装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | バッチ式洗浄装置 | 用途： 拡散前洗浄、パーティクル除去、成膜前洗浄 特徴： バッチ式洗浄（SPM、SC-1） 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M07-15 |
洗浄装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 酸化膜ウェットエッチング装置 | 用途： 酸化膜エッチ 特徴： バッチ式洗浄（DHF、BHF） 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M07-07 |
洗浄装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 窒化膜ウェットエッチング装置 | 用途： 窒化膜エッチング 特徴： バッチ式洗浄（燐酸） 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P07-104 |
洗浄装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | バッチ式スプレー洗浄装置 | 用途： メタル除去 特徴： スプレー式洗浄 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M07-05 |
洗浄装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 枚葉式洗浄装置 | 用途： 表面/裏面スピン洗浄 特徴： 枚葉式でウエットスピン洗浄（DHF、Ｈ2Ｏ2など）を行う 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M07-02 |
洗浄装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 枚葉式洗浄装置 | 用途： 表面/裏面スピン洗浄（Cuエリア） 特徴： 枚葉式でウエットスピン洗浄（DHF、EKC）を行う 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M07-101 |
洗浄装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 枚葉式洗浄装置 | 用途： 表面/裏面スピン洗浄 特徴： 枚葉式でウエットスピン洗浄（DHF、EKC、裏面FPMなど）を行う 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M07-102 |
洗浄装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 枚葉式新材料洗浄装置 | 用途： 表面/裏面スピン洗浄(メタル汚染除去） 特徴： 枚葉式でウエットスピン洗浄（DHF、EKC）を行う 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M07-13 |
洗浄装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | スクラブ洗浄装置 | 用途： 異物除去 特徴： 枚葉式で表面水洗洗浄、裏面ブラシ洗浄 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M07-09 |
洗浄装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | スクラブ洗浄装置 | 用途： 異物除去 特徴： 枚葉式で表面水洗洗浄、裏面ブラシ洗浄 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M07-12 |
洗浄装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | STI、W CMP | 用途： Ox膜, W膜のCMP研磨 特徴： STI形成、Ox膜の平坦化、W-Via埋込などに適用 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号：N07-101 |
CMP装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | CMP装置 | 用途： Cuダマシンプロセス 特徴： Cu配線形成のため、Cuメッキ層とバリア/シード層の研磨を行う 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P07-101 |
CMP装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | Si深掘りエッチング装置 | 用途： TSVエッチング 特徴： Bosch法により極めてアスペクト比の高い深掘りが可能で、貫通配線（TSV）の形成等に使用される 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： B02-101D |
3D実装装置（中間工程） |
| スーパークリーンルーム（SCR） | プラズマCVD装置 | 用途： プラズマ成膜、SA-CVD（カバレッジ）（Cuライン） 特徴： SA-TEOS、PE-TEOS成膜 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： U03-101A |
3D実装装置（中間工程） |
| スーパークリーンルーム（SCR） | Cuめっき装置 | 用途： Cu TSVプロセス 特徴： Cu TSVのため、バリア/シード層形成後に電解めっきを行う 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： U06-101 |
3D実装装置（中間工程） |
| スーパークリーンルーム（SCR） | Oxide CMP装置 | 用途： Ox、SiのCMP研磨 特徴： ウェハ貼り合せ加工前のウェハ表面研磨用、酸化膜またはシリコンを任意の膜厚に研磨し表面状態を整える 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： U07-101 |
3D実装装置（中間工程） |
| スーパークリーンルーム（SCR） | ウェハ接合装置 | 用途： ウェハ接合装置 特徴： 高精度なアライメント技術を用いた12インチ専用3次元ウェハ接合装置 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： U12-102 |
3D実装装置（中間工程） |
| スーパークリーンルーム（SCR） | ウェハエッジトリミング装置 | 用途： 接合ウエハエッジ部薄層化 特徴： 2枚のウエハを接合後、片側エッジ部を薄く加工し、その後別装置でグラインダを行う 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： U07-102 |
3D実装装置（中間工程） |
| スーパークリーンルーム（SCR） | Si裏面研削研磨装 | 用途： 接合ウェハ薄層化 特徴： 2枚のウェハを接合後、片側を薄く加工する 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： U07-103 |
3D実装装置（中間工程） |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 重ね合わせ精度測定装置 | 用途： 重ね合わせ測定 特徴： 下地パターンに対しての重ね合わせ露光時の合わせずれの測定、解析を行う装置 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M08-55 |
重ね測定 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 重ね合わせ精度測定装置 | 用途： 重ね合わせ測定 特徴： 下地パターンに対しての重ね合わせ露光時の合わせずれの測定、解析を行う装置 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P08-116 |
重ね測定 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 分光エリプソ膜厚測定装置 | 用途： 膜厚測定 特徴： 酸化膜、窒化膜等の膜厚測定を行う 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M08-07 |
薄膜解析 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 分光エリプソ膜厚測定装置 | 用途： 膜厚測定 特徴： 酸化膜、窒化膜等の膜厚測定を行う 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M08-101 |
薄膜解析 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 分光エリプソ膜厚測定装置 | 用途： 膜厚測定 特徴： 酸化膜、窒化膜等の膜厚測定を行う 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P08-108 |
薄膜解析 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 分光エリプソ膜厚測定装置 | 用途： 膜厚測定 特徴： 酸化膜、窒化膜等の膜厚測定を行う 対応基板： φ300mm 装置番号： I08-101 |
薄膜解析 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 単色エリプソ膜厚測定装置 | 用途： 膜厚測定 特徴： 632.8nmのレーザーを使用して膜厚測定します 対応基板： φ100mm 装置番号： AF08-12 |
薄膜解析 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 反射分光膜厚測定装置 | 用途： 膜厚測定 特徴： 波長範囲380-1700nm、測定膜厚範囲20nm-250μm 対応基板： φ300mm 装置番号： P08-104 |
薄膜解析 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 蛍光X線膜厚測定装置 | 用途：金属膜厚測定 対応基板： φ300mm 装置番号： M12-08 |
薄膜解析 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | X線回折装置 | 用途： 薄膜材料評価 特徴： In-Planeアーム搭載試料水平配置高精度ゴニオメータを使用したX線回折装置 対応基板： φ300mm、φ200㎜、φ100㎜など 装置番号： F08-04（現在利用提供を中止） |
薄膜解析 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 反り/膜応力自動測定装置 | 用途： 反り・膜応力膜応力測定 特徴： 自動反り膜応力測定装置 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： B12-101 |
反り・応力測定 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 反り/膜応力測定装置 | 用途： 反り・膜応力膜応力測定 特徴： 手動反り膜応力測定装置 対応基板： φ300mm 装置番号： M08-12 |
反り・応力測定 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | パーティクル検査装置 | 用途： パーティクル測定 特徴： ウェハ表面に付着した最小42nmまでの異物を検出し、分布・座標を出力することが可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P08-105 |
パーティクル検査 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | パーティクル検査装置 | 用途： パーティクル測定 特徴： ウェハ表面に付着した最小42nmまでの異物を検出し、分布・座標を出力することが可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P08-106 |
パーティクル検査 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 全反射蛍光X線分析装置 | 用途： ウエハ表面の汚染分析用蛍光エックス線分析装置 特徴： 3種類のビームを用いて全反射蛍光エックス線の測定をSDD検出器により実施 対応基板： φ300mm 装置番号： P08-107 注意：プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
金属汚染検査 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 自動濃縮装置 | 用途： ウェハ表面の金属汚染分析 特徴： HF蒸気によりウェハ表面の金属汚染を濃縮する 対応基板： φ300mm 装置番号： P08-109 注意：プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
金属汚染検査 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | ICP-MS 質量分析装置 | 用途： サンプルの汚染分析 特徴： 自動濃縮装置で回収したHF中の汚染元素分析を高感度に行う（ウェハ汚染測定以外の分析は対応不可） 装置番号： P08-113 注意：プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
質量分析 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | シート抵抗測定装置 | 用途： 金属膜のシート抵抗測定 特徴： 4端子法による抵抗値測定 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M08-10 |
抵抗測定 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | シート抵抗測定装置 | 用途： 金属膜のシート抵抗測定 特徴： 4端子法による抵抗値測定 対応基板： φ300mm 装置番号： M08-25 |
抵抗測定 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | シート抵抗測定装置 | 用途： 金属膜のシート抵抗測定 特徴： 4端子法による抵抗値測定 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P08-102 |
抵抗測定 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 測長SEM装置 | 用途： リソグラフィ後パターン検査 特徴： フォトリソ後のレジストパターンの測長を行う走査型電子顕微鏡 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： I08-110 |
SEM観察 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 測長SEM装置 | 用途： リソグラフィ後パターン検査 特徴： フォトリソ後のレジストパターンあるいは加工後の加工形状の測長を行う走査型電子顕微鏡 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： L08-103 |
SEM観察 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 測長SEM装置 | 用途： リソグラフィ後パターン検査 特徴： フォトリソ後のレジストパターンあるいは加工後の加工形状の測長を行う走査型電子顕微鏡 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P08-101 |
SEM観察 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 測長SEM装置 | 用途： リソグラフィ後パターン検査 特徴： フォトリソ後のレジストパターンあるいは加工後の加工形状の測長を行う走査型電子顕微鏡 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P08-103 |
SEM観察 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | レビューSEM | 用途： SEM観察 特徴： 表面傾斜15°までのSEM観察と、欠陥検査機からの情報による欠陥レビュー・EDX分析が可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P08-115 |
SEM観察 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 光学顕微鏡 | 用途： 光学顕微鏡観察 特徴： ウェハ表面の検査に使用され、暗視野・明視野での観察が可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M08-40 |
光学顕微鏡 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 光学顕微鏡 | 用途： 光学顕微鏡観察 特徴： ウェハ表面の検査に使用され、暗視野・明視野での観察が可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M08-50 |
光学顕微鏡 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 光学顕微鏡 | 用途： 光学顕微鏡観察 特徴： ウェハ表面の検査に使用され、暗視野・明視野での観察が可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M12-101 |
光学顕微鏡 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 光学顕微鏡 | 用途： 光学顕微鏡観察 特徴： ウェハ表面の検査に使用され、暗視野・明視野での観察が可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M12-102 |
光学顕微鏡 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 超音波顕微鏡 | 用途： 接合ウェハの接合状態評価 特徴： 接合ボイド観察に利用される 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P08-110 注意：プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
3D実装評価装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 高精度微細形状測定機 | 用途： ウェハの表面形状評価 特徴： 表面凹凸や面粗さ観察に利用される 対応基板： φ300mm 装置番号： P08-111 注意：プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
3D実装評価装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 赤外線顕微鏡システム | 用途： 接合ウェハの接合状態評価 特徴： 接合アラインメント評価に利用される 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P08-112 注意：プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
3D実装評価装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 赤外線拡大鏡 | 用途： 接合ウェハの接合状態評価 特徴： 接合強度評価に利用される 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： P08-114 注意：プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
3D実装評価装置 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | ヘリウムイオン顕微鏡 | 用途： 高解像度観察、超微細加工 特徴： He+イオンによる観察で、電子顕微鏡と比べて深い焦点深度や、e-ビームを併用した電荷中和が可能 対応基板： 小片基板 装置番号： J04-106 |
高分解観察 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | FIB装置 | 用途： デバイス断面評価用試料加工、観察 特徴： Ga+イオンビームによるSTEM観察試料の作成及び観察に利用される 対応基板： 小片基板 装置番号： B08-02-01 注意：プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
FIB加工/STEM |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 走査透過電子顕微鏡 | 用途： デバイス断面評価、元素分析等 特徴： FIBと併用して、試作したデバイスの断面観察や不良解析に利用される 対応基板： 小片基板 装置番号： AF08-402 注意：プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
FIB加工/STEM |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 走査透過電子顕微鏡 | 用途： デバイス断面評価、元素分析等 特徴： FIBと併用して、試作したデバイスの断面観察や不良解析に利用される 対応基板： 小片基板 装置番号： B08-02 注意：プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
FIB加工/STEM |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 走査電子顕微鏡 | 用途： 微細素子・材料の観察評価 特徴： FE-SEM、100倍～500K倍観察、45°tilt可、EDX分析装置も装備 対応基板： 小片基板 装置番号： J03-117 注意：プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
断面SEM |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 走査電子顕微鏡 | 用途： 断面観察 特徴： フォトリソ後のレジストパターンや加工後のウエハーを破断し、レジストパターンや加工パターンの断面形状を確認するSEM 対応基板： 小片基板 装置番号： M08-04 注意：プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
断面SEM |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 走査電子顕微鏡 | 用途： 断面観察 特徴： フォトリソ後のレジストパターンや加工後のウエハーを破断し、レジストパターンや加工パターンの断面形状を確認するSEM 対応基板： 小片基板 装置番号： B08-12 注意：プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
断面SEM |
| スーパークリーンルーム（SCR） | X線光電子分光分析装置 | 用途： 試料表面に存在する元素と原子価、結合状態を分析する装置 特徴： 単色Al Kα線を用いたXPSスペクトル測定が可能 対応基板： 小片基板 装置番号： AF08-14 |
分析 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | IR-OBIRCH解析装置 | 用途： 故障個所特定装置 特徴： 近赤外レーザー光を使用したOBIRCH解析によりICチップ内部のショート、リーク、高抵抗等の不良箇所の絞り込みに利用 対応基板： φ300mm 装置番号： B10-06 |
分析 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 昇温脱離ガス分析装置 | 用途： TDSガスの質量分析装置 特徴： 真空中で材料や試料を昇温加熱した際に、表面から発生するガスの同定(定性分析)や発生するガスの試験間比較(半定量分析)が可能 対応基板： 小片基板 装置番号： J03-116（現在装置トラブルのため利用提供を中止） |
分析 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 赤外分光分析装置 | 用途： フーリエ変換赤外分光光度計 特徴： 赤外光の吸収スペクトル測定を行う 対応基板： 小片基板 装置番号： J03-114 |
分析 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | フルオートプローバ | 用途： 電気特性評価 特徴： ウェハの状態で電気特性の自動計測・マッピングが可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： J03-118 |
電気特性評価 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | テスター | 用途： 半導体パラメーターの電気測定 特徴： 高速、高精度測定、またマルチチャンネルSMUにより並列測定が可能 装置番号： J03-118 |
電気特性評価 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | フルオートプローバ | 用途： 電気特性評価 特徴： ウェハの状態で電気特性の自動計測・マッピングが可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M08-42 |
電気特性評価 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | テスター | 用途： 電気特性評価 特徴： SMU（8チャンネル)、4284A、3458A、81116Aにより4探針抵抗測定、MOSトランジスタ、キャパシタ、フラッシュ等の電気的特性の測定、48ピンプローブカードによりデバイス切り替え測定が可能 装置番号： M10-01 |
電気特性評価 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | フルオートプローバ | 用途： 電気特性評価 特徴： ウェハの状態で電気特性の自動計測・マッピングが可能 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： M10-05 |
電気特性評価 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | テスター | 用途： 電気特性評価 特徴：SMU（6チャンネル)、High Speed CMU、3458Aにより四探針抵抗測定、MOSトランジスタ、キャパシタ等の電気的特性の測定、48ピンプローブカードによりデバイス切り替え測定が可能 装置番号： M10-05 |
電気特性評価 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | セミオートプローバ | 用途： 電気特性評価 特徴： セミオートプローバー、ウェハの状態で電気特性の自動計測・マッピング、温度依存性測定が可能 対応基板： φ300mm 装置番号： F10-01 |
電気特性評価 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | テスター | 用途： 電気特性評価 特徴： 半導体パラメータ・アナライザ4156C、LCRメータ4284A、インピーダンス・アナライザ4294Aで構成、Cacade S-300と接続して測定 装置番号： F10-01 |
電気特性評価 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | セミオートプローバ | 用途： 電気特性評価 特徴： セミオートプローバー、ウェハの状態で電気特性の自動計測・マッピングが可能 対応基板： φ300mm 装置番号： M10-04 |
電気特性評価 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | テスター | 用途： 電気特性評価 特徴： 4156CによるMOSトランジスタ、パルス印可、4284AによるCV特性、インピーダンス測定が可能、スイッチングマトリックスによりプローブと計測器接続を自動変更可能 装置番号： M08-47 |
電気特性評価 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 水銀プローバ | 用途： 膜特性評価 特徴： 水銀を用いて、電極形成無しに薄膜の特性をキャパシタンス - 電圧（CV）法と電流 - 電圧（IV）法で測定可能（IV法は故障中） 対応基板： φ300mmシリコン基板専用 装置番号： J03-115 |
電気特性評価 |
| スーパークリーンルーム（SCR） | 露光シミュレータ | 用途： 露光条件、パターンの最適化 特徴： 主に液浸ArFリソグラフィを最適化するために使用する 装置番号： SIM-01 注意：プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
シミュレータ |