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施設【マテリアル先端リサーチインフラ事業】 装置一覧（22件）
| 施設名 | 装置名称／手法 | 仕様 | 用途 |
|---|---|---|---|
| マテリアル先端リサーチインフラ事業（UTARIM） | (ARIM)顕微ラマン装置 NRS-5100 | 分光器；収差補正型ツェルニターナ配置モノクロメータ 焦点距離；f=300mm 測定端数範囲；50～8000cm-1 最高分解能；1cm-1/pixel |
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| マテリアル先端リサーチインフラ事業（UTARIM） | (ARIM)小型イオンシャワー | ||
| マテリアル先端リサーチインフラ事業（UTARIM） | (ARIM)分光エリプソメータ | ||
| マテリアル先端リサーチインフラ事業（UTARIM） | (ARIM)イオンミリング装置 | 本装置は、断面ミリングと平面ミリングに対応したハイブリッドタイプのイオンミリング装置である。これにより、試料内部構造観察や各種分析など、さまざまな評価目的に応じた試料作製が可能となる。 主な仕様 ＜断面ミリングホルダ＞ 使用ガス：Ar（アルゴン）ガス 加速電圧：0～6ｋV 最大ミリングレート（材料Si）：500μm/hr以上 最大試料サイズ：20（W）×12（D）×7（H）mm 試料移動範囲：X ±7mm 、 Y 0～＋3mm ＜平面ミリングホルダ＞ 使用ガス：Ar（アルゴン）ガス 加速電圧：0～6ｋV 最大試料サイズ：Φ50 × 25（H） mm 試料移動範囲：X 0～＋5mm |
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| マテリアル先端リサーチインフラ事業（UTARIM） | (ARIM)[委託] FIB－SEM Helios Nanolab 600i | 電子とイオンの2種のソースにより、TEM試料作製、イオン照射による直接加工をSEM観察をしながら実施できる。 加速電圧：50-30kV（電子ビーム） 500-30kV（Gaイオンビーム） デポジション用ガス：C,Ptガス |
LSIプロセス装置 |
| マテリアル先端リサーチインフラ事業（UTARIM） | (ARIM)パターン投影リソグラフィシステム | デジタルミラー素子（DMD）を用いることでパターン投影し、クロムマスクブランクスやレジスト塗布基板に最小1umの回路パターンを超高速で作成できます。 ・光源：LED（波長 390nm） ・最大基板サイズ：5インチ ・対応フォーマット：DXF, GDSⅡ, Gerber, CIFなど ・対応レジスト：SU-8, i線及びg線用など 【設置年月日】 2014.3.14 |
LSIプロセス装置 |
| マテリアル先端リサーチインフラ事業（UTARIM） | (ARIM)デバイスシミュレーター | TCAD構成 シルバコ社製 ATHENAおよびATLAS（フルパッケージ） (1)２次元プロセスシミュレーター (2)２次元シリコン・デバイスシミュレーター (3)２次元先端材料・デバイスシミュレーター (4)３次元シリコン/先端材料・デバイスシミュレーター |
シミュレータ |
| マテリアル先端リサーチインフラ事業（UTARIM） | (ARIM)パッケージング (ワイヤ・エポキシダイボンダ) | チップキャリアへのボンディング ボンディング方式：超音波/熱圧着ウェッジボンド方式 ボンディングウェッジ：45, 90度 ワイヤ種：アルミ線・金線 ワークホルダー温度：300℃以上 試料サイズ：50mm角以下、DIPパッケージ |
LSIパッケージ組立装置 |
| マテリアル先端リサーチインフラ事業（UTARIM） | (ARIM)スパッタリング装置 CFS-4EP-LL | ロードロックを備えたサイドスパッタ方式の自動成膜装置。 基板テーブル：φ220 mm 加熱温度：室温～300℃ ターゲット：φ3インチGUN x 4基、用意できる材料はAu, Ag, Cr, Al, Ti, Pt, SiO2 （強磁性体材料用GUN1基含む） 逆スパッタ可 使用ガス：Ar, O2, N2ガス",設置場所" |
LSIプロセス装置 |
| マテリアル先端リサーチインフラ事業（UTARIM） | (ARIM)電界放出型走査電子顕微鏡 (委託観察対応機器) SU-8020 | ナノ加工・構造・材料の観察・計測 ３つの二次電子検出器を搭載 二次電子分解能；1.0nm(加速電圧15kV,WD=4mm) 1.3nm(照射電圧1kV,WD=1.5mm) 照射電圧；0.1～30kV 低倍率モード；20～2,000倍(写真倍率) 高倍率モード；100～800,000倍(写真倍率) SE/BSE信号可変方式 |
電子顕微鏡 |
| マテリアル先端リサーチインフラ事業（UTARIM） | (ARIM)電子線蒸着装置 EB-350T | 高真空中で、電子ビームにより加熱蒸発させ、一定の温度に保持した基板上に堆積させて薄膜を形成する装置。 蒸着室、ロードロック室の2室で構成され、蒸発面に対して基板が±90°回転でき、傾斜蒸着が可能。 到達圧力：1 x 10-6 Pa以下 試料サイズ：MAXΦ 5",設置場所" |
LSIプロセス装置 |
| マテリアル先端リサーチインフラ事業（UTARIM） | (ARIM)電子線描画装置 ELS-750EX | 電子線にてレジストに直接描画することが出来る。 電子銃エミッター：ZrO/W熱電界放射型 加速電圧：5-50 kV 最小線幅：10 nm 試料サイズ：MAX 4インチ ステージ移動範囲：X:100mm以上 Y:110mm以上 重ね合せ精度：40nm フィールド継ぎ精度：40nm |
LSI微細加工露光装置 |
| マテリアル先端リサーチインフラ事業（UTARIM） | (ARIM)走査型プローブ顕微鏡(SPM) Multimode8, Dimension Icon | 大気中,液中での物質表面の凹凸の評価及び、弾性率,吸着力,変形,散逸エネルギーなどのナノ機械特性も取得可能。 MultiMode 8 MMAFM型高分解能AFMに、定量的機械特性マッピング機能のPeakForce QNMを搭載したAFM。 Dimension Icon 大型試料測定,高分解能,操作性,多機能,拡張性に優れたAFM。超低ノイズ・低ドリフトのクローズドループスキャナー搭載した。 |
専用測定装置 |
| マテリアル先端リサーチインフラ事業（UTARIM） | (ARIM)半導体特性評価システム B1500A | 半導体デバイス・アナライザは、IV測定、CV測定、高速パルスドIV測定に対応。 IV測定 範囲；0.1fA～1A/0.5μV～200V タイムサンプリング；100μs パルス最小測定幅；100μs(MCSMU) 容量測定 周波数範囲；1kHz～5MHｚ パルスド測定 波形生成分解能；10ns 測定分解能；5ns |
電気特性評価装置 |
| マテリアル先端リサーチインフラ事業（UTARIM） | (ARIM)ウェーハーダイシングマシン DAD322 | ウエハから希望サイズのチップに切り出す装置 切削可能な基板種：シリコン、SiC、 サファイヤ、石英ガラス、プリント基板など ワークサイズ：最大φ6 切削可能範囲：150mm 切削速度：0.1～100mm/s ダイシング深さ精度：0.005mm 位置決め精度：0.005mm ダイシングライン太さ：0.05mm" |
LSIパッケージ組立装置 |
| マテリアル先端リサーチインフラ事業（UTARIM） | (ARIM)マスクアライナー Q 2001CT | 2.5インチマスクを使用するコンタクトアライナー マスク-ウエハ間隔；0-180μm 基板；1cm角～４インチφ マスク；2.5インチ角、5インチ角 光源；200W水銀ランプ(350~450nm) 解像度；0.6～1.0μm マニュアルアライメント；1.0μm 照度分布；≦5％＠3.5インチφ |
LSIプロセス装置 |
| マテリアル先端リサーチインフラ事業（UTARIM） | (ARIM)インクジェットパターン生成装置 | 超微量・・高粘度吐出が可能なスーパーインクジェットヘッドにより大気圧、常温において銀、金、たんぱく質、セラミックス、CNTなどで微細な回路パターンを直接描画することができます。 ・最小吐出量：0.1fL ・最小ライン幅：0.6um ・分解能：0.1um ・繰り返し位置精度：±0.2um ・対応フォーマット：DXF 【設置年月日】 2014.2.19 |
LSIプロセス装置 |
| マテリアル先端リサーチインフラ事業（UTARIM） | (ARIM)触針式表面段差計 Alpha-Step D-500 | 接触型段差測定器 測定長さ; 30 mm サンプルステージ直径; 140 mm サンプル厚さ(最大); 20 mm 垂直測定レンジ（最大）；1200 μm 垂直測定分解能；0.038 nm (2.5 μm Range) 観察倍率；×1, ×1.3, ×2, ×4 |
専用測定装置 |
| マテリアル先端リサーチインフラ事業（UTARIM） | (ARIM)反応性エッチング装置 RIE-10NR | 各種シリコン薄膜を高精度にエッチングするReactive Ion Etching装置 ・8インチウエハ対応 ・高周波出力；300W ・発振周波数；13.56MHz ・ガス；CF4,CHF3,O2 |
LSIプロセス装置 |
| マテリアル先端リサーチインフラ事業（UTARIM） | (ARIM)パワーデバイス特性評価装置 B1505A | 特徴 ・ 高電圧・高電流を扱うパワーデバイスの印加電圧に対する流れる電流の特性を計測する装置です。パワーデバイスをサブpAレベルから3000V/20Aまで正確に評価・解析できます。 ・ サブpAレベルからの電圧・電流測定さらには最大3000Vのバイアス電圧印加下での容量測定ができます。 ・ オン抵抗測定や耐圧試験の他、Ciss(入力容量)、Coss(出力容量)、Crss(帰還容量)などの容量測定が可能です。 ・ Si以外にも、SiC、GaN、ダイヤモンドといった新しい半導体材料を用いたパワーデバイスの電気的特性が評価できます。 仕様 ・ 電圧・電流特性： 印加電圧 3000V、電流 20A（パルスモード）. ・ 容量・電圧特性： 測定周波数 1kHz ～ 5MHz、最小分解能： 1mHz. 取得年月日 2013.11.26 |
電気特性評価装置 |
| マテリアル先端リサーチインフラ事業（UTARIM） | (ARIM)IRエミッション顕微鏡 THEMOS-1000 | 特徴 ・ 半導体デバイスの故障に起因する発光・発熱などをとらえて故障個所を特定する高解像度エミッション顕微鏡です。赤外線画像の観測により、発熱分布（温度分布）の検出や、電流リーク箇所の同定が行えます。 ・ InSbHRカメラが搭載されており裏面観察時においても高解像度・高コントラストで細部に渡ってクリアなパターン像を得ることが可能です。 ・ 発熱分布の時間依存性計測により、温度の時間的な広がりが観測できます。 仕様 検出波長：3.7μm～5.1μm、最大視野：3cm x 2cm、最小視野：0.7mm x 0.7mm、最小空間分解能：2.8μm、雑音等価温度差：25mK、時間分解能：3μsec. 取得年月日 2014.3.26 |
専用測定装置 |
| マテリアル先端リサーチインフラ事業（UTARIM） | (ARIM)光電子分光(XPS/UPS)装置 | 以下URLにアクセスし、詳細仕様を確認ください。 http://www.jeol.co.jp/applications/detail/559.html |
光分析装置 |