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施設【ナノプロセシング施設】 装置一覧（60件）
| 施設名 | 装置名称／手法 | 仕様 | 用途 |
|---|---|---|---|
| ナノプロセシング施設（NPF） | ECRスパッタ成膜・ミリング装置 | ECRイオンソースで発生させたArイオンビームで、スパッタ成膜とイオンエッチングを行うことを目的とした装置です。同一試料に対して成膜とエッチングを途中で真空を破らずに連続して行えることを特徴としています。 代表的な応用例としては、数十～数百nm幅の微細パターンをマスクにして、本装置で難エッチング材料の成膜と、パターン側面に付着した薄膜のエッチングによる除去を行い、続いてリフトオフを行うことで微細パターンを作製することが可能です。さらに、成膜とエッチングを繰り返し行うことで、高アスペクト比の微細構造を作製することも可能です。 ●型式:EIS-200ERP ●イオンソース:ECR方式 ●ガス種:Ar (最大流量5sccm) ●圧力:0.01 Pa ●加速電圧:30～3000 V ●マイクロ波:最大100 W ●試料ステージサイズ:Φ75 mm ●材料ターゲットサイズ:Φ100 mm |
難エッチング材料の成膜およびエッチング |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 原子層堆積装置[AD-100LP] | 放電形式に誘導結合(Inductively Coupled Plasma:ICP)方式を採用した原子層堆積装置です。本装置は、リモートプラズマもしくはダイレクトプラズマの選択が可能となっており状況に合わせて選択できます。プリカーサは、TMA,BDEAS,H2Oを用意しており、AlもしくはSiの酸化物もしくは窒化物の成膜が可能です。 ●型式: AD100-LP (サムコ株式会社) ●ステージ温度：50 ～ 500℃ ●放電方式: 誘導結合式プラズマ(ICP) ●試料サイズ: 4インチウェハまで対応（2インチは3枚まで可能） ●試料導入方式: ロードロック式 ●ICP高周波電源: 最大300W、13.56MHz ●キャリアガス：N2 ●使用ガス: O2、N2、NH3、H2、Ar |
誘電体薄膜の成膜 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | デバイス容量評価装置 | この装置では、試料表面に電圧をかけたとき発生する電流を測定し、その値から、電気容量などの電気的特性を調べることができます。 ・型式:Model 82-WIN ・測定周波数:100kHz、1MHz ・測定電圧:15mV rms ・最大レンジ:20nF、2nF ・最大レンジの読取確度:0.25%、0.29% ・最小レンジ:2pF、20pF ・最小レンジの読取確度:0.12%、0.29% |
計測 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | デジタルマイクロスコープ | 20～2000倍の範囲で光学観察が可能で、デジタル画像として保存出来るデジタル顕微鏡です。 レンズを傾けることが可能なため、様々な方向から試料を観察し撮影することが可能です。 また、多数の画像処理機能を備えており、焦点を変えた複数の画像を合成することにより全焦点顕微鏡の様な画像を撮影すること等も出来ます。 ライティング機能も豊富で、凹凸が明確に観測出来る様光の当たり方を調整したり、光を反射する試料のリングを除去したりすることも可能です。 また、動画を撮影することも可能です。 プレゼン用、論文用等に見栄えのする画像を撮影したい際などにご利用ください。 ・型番:VHX-6000 ・参考ページ 株式会社キーエンス VHX-6000 https://www.keyence.co.jp/products/microscope/digital-microscope/vhx-6000/index_pr.jsp https://www.keyence.co.jp/products/microscope/digital-microscope/vhx-6000/models/vhx-6000/ |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | 顕微レーザーラマン分光装置(RAMAN) | サンプルにレーザーを照射し、得られるラマン効果を利用して、試料の分子構造や未知物質の同定を非破壊で行う装置です。 コンフォーカル機能を搭載した光学顕微鏡システムとの組み合わせにより、高分解能な微小領域解析が可能となっています。 また、励起レーザー、フィルター、グレーティングがスマートコンポーネントになっており、2種類の励起レーザーの変更が容易に行えます。 ・型式:DXR Raman Microscope ・レーザー:532 nm(高輝度DPSS)、780 nm(高輝度ダイオード) ・測定波長範囲:50 ? 3300 cm-1 ・スペクトル分解能: フルレンジグレーティング;5 cm-1、高分解能グレーティング;3 cm-1 ・最高空間分解能:φ1 um[使用レーザーの回折限界による] ・コンフォーカルによる深さ分解能:2 um ・オートステージ機能搭載 原理（ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修） ラマン分光 http://www.tsc-web.jp/map/pdf/Raman2.pdf サーモフィッシャーサイエンティフィック社の顕微レーザーラマン解説ページ http://www.thermoscientific.jp/ft-ir-raman/dxr.html |
計測 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | i線露光装置 | この装置は、最大開口数(N.A.)0.63の投影レンズを搭載し、解像度350 nm以下に対応したi線縮小投影型露光装置です。 照明光源とレチクルの間の照明システムの中にあるアパーチャはコンベンショナルタイプの他に、限界解像度と焦点深度をさらに向上させる変形照明(SHRINC、輪帯照明)も選択できます。 投影レンズはN.A.可変システムを採用しており、実際のプロセス条件に応じて0.50 ~ 0.63の間で最適なN.A.を選択することが可能です。 そのほか特殊ステージを備えておりΦ2インチウェハーおよび□20 mm、□15 mm、□10 mmの切り出しチップの露光が可能です。 ・形式:NSR-2205i12D ・露光光源:i線(波長365 nm) ・解像度:350 nm以下 ・最大N.A.:0.63 ・縮小倍率:5分の1倍 ・露光範囲:□22 mm(ウェハー上) ・レチクル:6インチ石英ガラス ・総合アライメント精度:55 nm以下 |
パターン露光 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | オゾンクリーナー(SIMS付帯) | ・電源:AC100V 50/60Hz ・ランプ:110W低圧水銀ランプ ・ランプ波長:185nm、254nm ・照射距離:ランプ下面より0?80mm(手動可変タイプ) ・照射エリア:150×150mm ・オゾン排気構造:別置きブロワーによる強制排気方式(オゾン吸着材封入) 短波長紫外線で固体の表面改質・乾式洗浄を行うクリーナーです。二種類の短波長紫外線(185、254nm)により空気中の酸素をオゾン化し有機物を除去します。サンプル表面へのダメージは極めて少なく、良好な表面が得られます。光源は手動による可変タイプのため、表面分析の前処理をin-situ(測定前室)で行うことが可能です。 ※2F(一般実験実)でのご利用となります。 |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | プラズマアッシャー (リソグラフィ付帯装置) | この装置は、石英チャンバー内で酸素プラズマを発生させることにより、有機物のフォトレジストをCO2とH2Oに分解・酸化させて除去するものです。 ・型式:PR500 ・高周波電源:最大500 W ・反応槽:石英チャンバーΦ215 mm×305 mm(高さ) ・放電時間設定:0.1秒～999時間 ・使用ガス:O2、パージ用N2ガス ヤマト科学のプラズマアッシャー解説ページ http://www.yamato-net.co.jp/product/science/plasma/reactor/pr500510.htm |
アッシング |
| ナノプロセシング施設（NPF） | エックス線光電子分光分析(XPS)装置 | エックス線光電子分光分析(XPS)装置 ・X線源 Rowland 円直径 500 mm モノクロメータ付Al Kα (1486.6 eV) ・光電子分光器 軌道半径165 mm静電二重半球型アナライザー/球面鏡アナライザー複合型 ・検出器 ディレイラインディテクター(DLD)システム ・スペクトル分析 100チャネル同時計測 ・メージング 256 × 256画素(最大分解能3 μm) ・最小スペクトル分析面積 15 μmΦ ・エネルギ分解能 Ag 3d5/2光電子ピークが半値幅0.48 eV以下 ・帯電中和 均一低エネルギー電子照射 ・試料サイズ 110 mmΦ, 高さ10 mm (専用ホルダ使用で約20 mm迄可) ・光電子取り出し角度 垂直(標準), 0～90°(傾斜観察ホルダ使用)* 傾斜観察時は試料サイズの制限があります。 ・エッチングイオン銃 Ar+, 多原子(コロネンC24H12 )イオン ・搭載オプション He紫外線光源(UPS用 21.2, 40.2 eV)トランスファーベッセル 島津製作所によるAXIS Nova解説ページ http://www.an.shimadzu.co.jp/surface/xps/nova/index.htm 原理（ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修） エックス線光電子分光分析(XPS) http://www.tsc-web.jp/map/pdf/XPS.pdf |
エックス線光電子分光分析(XPS) |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 反転露光用全面UV照射装置 | ・型式 : K-310P100S ・露光源 : ウシオ電機マルチライト 超高圧水銀ランプ ・主波長 : 365 nm(i線) ・照度 : 約32 mW/cm2 ・露光モード : コンタクト方式 ・ウェハサイズ : 小片基板～4インチ ・露光領域 : 最大85 mm□ 共和理研のマスクアライメント露光装置解説ページ http://www.kyowariken.co.jp/k310p.htm |
パターン露光 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | ナノサーチ顕微鏡(SPM3)[SFT-3500] | この装置は、光学顕微鏡と、レーザ顕微鏡(LSM: Laser Scanning Microscope)、走査型プローブ顕微鏡(SPM: Scanning Probe Microscope)の3機能が1台の顕微鏡に搭載された複合型顕微鏡です。 数十倍～百万倍以上の超ワイドレンジでの観察を行うことが可能です。 搭載の機能を組み合わせることで、SPM単体では困難であった視野探しを試料を載せかえずに正確かつスピーディに行うことができます。 LSM部 ・観察視野:2,560 μm～21 μm ・対物レンズ:5×, 20×, 100× (光学ズーム 1×～6×) SPM部 ・最大走査範囲:水平(X,Y)30 μm, 垂直(Z)4 μm ・検出方式:光てこ方式 ・測定モード:ダイナミックモード(タッピングモード)、コンタクトモード、位相モード、表面電位モード[KFM]、電流モード 共通部 ・ステージストローク:100 × 100 mm ・試料最大高さ:54.5 mm 島津製作所のナノサーチ顕微鏡解説ページ（SFT-4500） http://www.an.shimadzu.co.jp/surface/spm/sft/sft-4500/index.htm 島津製作所ナノサーチ顕微鏡観察データ集 http://www.an.shimadzu.co.jp/surface/spm/sol/spm/pdf/sft3500_datasummary2011.pdf |
観察 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 二次イオン質量分析装置(D-SIMS) | 試料にイオンを照射し、試料表面からスパッタリング放出される二次イオンを質量分析することによって深さ方向の元素分布情報を得る分析手法です。 固体表面の検出感度が高く、1H～92Uまでの全元素および同位体に対してppm～ppbの範囲で定量が可能です。 ・型式:ADEPT-1010 ・一次イオン:O2:加速電圧 0.25 ? 8.0 kVCs:加速電圧 0.25 ? 11.0 kV ・ビーム径:φ75 μm以下 ・導入可能最大試料サイズ:φ50 mm ・二次イオン質量分析計:四重極型 ・分析モード:質量スペクトル測定、ライン分析、デプスプロファイル、二次イオンイメージ像 原理（ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修） http://www.tsc-web.jp/map/pdf/SIMS.pdf |
計測 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 抵抗加熱型真空蒸着装置 | ボート等の抵抗体に金属や化合物などの成膜材料を入れ、電流を流して加熱、蒸発させることにより、材料を基板上に成膜します。3種類の材料をセット可能なので多層膜の作成も可能です。全て手動操作であり、また成膜室が小さいので基板やソースをセットしてから蒸着するまでの真空引きのための待機時間が短く、手軽に成膜出来ます。高沸点材料や熱伝導率の高い材料では、ソースからの輻射熱が多くなり、条件によっては100 ℃を超えるため、非耐熱性基板では注意を要します。 ●蒸着方式:抵抗加熱蒸発 ●蒸発源:3ポート ●加熱抵抗体:平板ボート、コイル、バスケット ●基板ホルダ:最大試料サイズΦ100 mm、傾斜可能±15° ●蒸発源―基板間:250 mm ●試料導入:手動 ●真空排気:手動、到達圧力5×10^-5 Pa以下 ●成膜:手動制御 基板シャッター開閉及びヒーター電力調整、水晶振動子膜厚モニタ付 |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | 触針式段差計 (成膜プロセス付帯装置) | 先端がダイヤモンドのスタイラス(触針)を用いて、測定物表面を一定の低針圧でなぞり、段差、表面粗さ、うねり等の測定を行う装置です。 主に膜厚測定、表面形状の評価に用います。 ・測定再現性:1σ≦8 Å ・膜厚測定範囲:400 μm ・走査距離:最大10 mm ・走査速度:毎秒2 ～ 200 μm ・サンプリングレート:毎秒50, 100, 200, 500, 1000ポイント ・測定レンジ:20, 400 μm ・針圧設定範囲:1 ～ 100 mg ・最大試料サイズ:158 mm × 158 mm, 重量:1 kg以下 |
計測 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 短波長レーザー顕微鏡[OLS-4100] | 非接触でサンプルの3次元表面形状の観察・測定が可能なレーザー顕微鏡です。複雑な微細形状の測定に優れ、斜面の観察性に優れています。電動ステージを搭載し、XY軸の移動精度が高いことが特徴です。また、マッピング機能が付いてるので、従来より速く広い範囲の画像取得ができるようになりました。透明膜対応フィルターにより、透明膜の測定にも有効です。 ・ 型式:OLS4100 ・ 倍率;最大17280倍 ・ 高さ測定範囲:10mm ・ 表示分解能:0.001μm ・ フレームピクセル数:4096×4096 ・ モノクロ映像:12bit ・ カラー映像:RGB各8bit、高さ測定用:24bit ・ 光学ズーム:1x～8x ・ 測定:レーザー光波長405nm、最大出力1mW ・ 観測光源:白色LED、検出系:1/1.8インチ200万画素単板CCD ・ 6穴明視野電動レボルバ ・ 微分干渉ユニット:微分干渉スライダ:U-DICR、偏光板ユニット内蔵 ・ 透明膜対応フィルター ・ XYステージ:100mm×100mm電動ステージ ・ 膜厚測定ソフト ・ 粒子測定ソフト ・ エッジ自動検出測定ソフト |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | 短波長レーザー顕微鏡 | 観察対象物に対して前処理が一切不要で、そのままの状態での観察・測定が可能です。 観察視野全てに焦点が合った超深度画像での観察が可能で、短波長レーザと白色光源を併用することで、高解像度と色情報を両立した高精細リアルカラー超深度画像での観察が可能です。 非接触なので様々な対象物に対応するうえ、観察視野全域の3次元データをレーザで取得し、高精度で多彩な3次元解析が可能です。 ・型式:VK-9700 Generation ・倍率:最大18000倍 ・分解能:1 nm(Z方向、高さ) ・高さ測定範囲:7 mm ・表示分解能:0.001 μm ・幅測定表示分解能:0.001 μm ・フレームピクセル数:2048×1536 ・モノクロ映像:14 bit ・カラー映像:RGB各8 bit、高さ測定用:24 bit ・光学ズーム:1x～6x ・測定:レーザ光波長408 nm、最大出力0.9 mW、受光:光電子増倍管 ・観測:100 Wハロゲン光源 ・撮像素子:カラーCCDイメージセンサ キーエンスの短波長レーザー顕微鏡解説ページ http://www.keyence.co.jp/microscope/laser_scope/vk_x/menu/2903/ |
観察 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | クロスセクションポリッシャ(ALD付帯) | 日立ハイテクノロジーズ社製 IM4000[断面ミリングオプション]型 イオンガン(アルゴンビーム照射)と高イオンビーム耐性マスク(金属板)を使用して、走査型電子顕微鏡(SEM)等による試料内部構造の観察や分析のための断面試料を作製することができます。劈開や研磨では加工が難しいような、硬度やミリングレートが異なる構成の複合 材料でも可能となります。また、専用治具へ交換することでフラットミリングを行うこともできます。 イオンガン:冷陰極ペニング型 使用ガス:アルゴン 加速電圧:1～6kV 放電電圧:1.5kV 断面ミリングレート:100～300?m/h (加速電圧6kV時) ※材料により異なる 断面ミリングの最大試料サイズ:20mm(W)×12mm(D)×7mm(H) スイング角度:OFF～±40° |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | 分光エリプソメータ | この装置は、半導体やガラス基板上に成膜した薄膜の膜厚及び組成の同時測定、多層膜の膜厚測定を目的とした装置です。 TFT多層膜、Low-k、High-k材料、低温P-Siなどの評価も可能です。 測定試料上に白色光源(Xeランプ)の照射を行い、各波長(190～830 nm)における反射光の偏光状態を計測し、その情報から位相差、反射振幅比角を計算します。 これらは光の波長・膜厚・物質の光学定数(屈折率、消衰係数)により異なった値を示します。 この演算結果と予想される膜構造、組成の理論モデルを対比させ、測定対象膜の膜厚、組成の算出を行います。 ・型式:UVISEL, M200-FUV-FGMS-HNSTSS ・最大サンプルサイズ:SEMI規格、150 mm径 ・サンプルステージ高さ調整:20 mm ・ストローク測定性能:膜厚、屈折率測定再現性 1 %以内(3σ標準偏差、標準サンプルを使用) ・目盛精度:保証範囲 ±1.0 %以内(約100 nmのNIST又はVLSIを使用) ・入射角度 75 ±0.5° ・ビームサイズビーム成形用のピンホール径:Φ1.0 mm (Φ100 μm, Φ50 μm) ・使用波長範囲:190～830 nm 原理（ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修） http://www.tsc-web.jp/map/pdf/EM_SE.pdf 株式会社堀場製作所の分光エリプソメータ解説ページ http://www.horiba.com/jp/semiconductor/products/product-lines/thin-film-analyzer/details/uvisel-spectroscopic-ellipsometer-from-vuv-to-nir-640/ |
計測 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | ウェハー酸化炉 | この装置は、シリコンウエハー表面の酸化膜形成などの熱処理に用います。 横型の熱処理炉で、試料室内部はドライまたはウェットな酸素ガス雰囲気もしくは、不活性ガス(窒素)雰囲気に制御可能であり、熱処理温度は1200 ℃まで加熱することができます。 また、縦置きホルダーを利用すれば4インチウェハを一度に25枚まで熱処理することもできます。 尚、炉心管の汚染防止のため金属の着いた試料やSi以外の基板は使用禁止とします。 ・型式:MAT-200KS ・ヒーター:カンタルRAC200、220 L×3ゾーン ・常用温度、到達時間:1100 ℃、2時間 ・温度分布:1100 ℃±2 ℃(範囲長さ200 mm) ・炉心管:石英、Φ136 mm×長さ1090 mm ・試料寸法:最大Φ4 インチ × 25 枚(長さ150 mm) ・試料室:ドライ、ウェットな雰囲気制御可能 ・使用ガス:O2、N2 |
加熱 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 走査プローブ顕微鏡SPM1[NanoscopeⅣ_Dimension3100] | この装置では、原子間力顕微鏡(AFM)、磁気力顕微鏡(MFM)測定が可能です。AFMは、基板表面をプローブ探針で走査することにより、表面にある凹凸の変位をピエゾ素子で表面形状の変化として測定します。試料の電気伝導性は絶縁体、半導体、良導体に依らず計測が可能で、計測面範囲は90 μm×90 μmで、高さは6 μm以内です。MFMは探針と試料との間に働く磁気力を検出して、表面の磁気的特性を調べる事ができます。 ●型式:DI 3100 ●試料寸法:150 mm以内(面範囲)、12 mm(高さ範囲) ●試料固定:真空固定、測定範囲:90 μm×90 μm(面範囲)、6 μm以内(高さ範囲) ●測定精度:最大2 %(最大レンジ幅) |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | ラッピングマシン(CMP) | ラッピング | |
| ナノプロセシング施設（NPF） | スピンコーター (リソグラフィ付帯装置) | 薬剤塗布 | |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 磁気特性測定システム(MPMS) | 高感度磁気特性評価装置です。DC磁化測定、AC磁化測定、振動式高感度磁化(RSO)測定が可能です。 ヘリウム再凝縮装置が付設されているため、液体ヘリウムの充填が不要です。 ・測定感度:1×10-8 emu ・温度範囲:2 ～ 350 K ・温度スイープ:最大 10 K / min ・超伝導マグネット:±5 T ・測定機能:DC磁化測定、AC磁化測定、振動式高感度磁化(RSO)測定 日本カンタム・デザイン株式会社のMPMS解説ページ http://www.qd-japan.com/product/material/quantum-magnetic_property_measurement_system.php |
計測 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | プラズマCVD薄膜堆積装置(SiN) | 本装置は液体ソースを用いたプラズマ化学気相成長装置であり、TEOS原料からSiO2を、SN-2原料(液体有機ケイ素化合物)からSi3N4を成膜することができます。RF電源はオートマッチングシステムで制御され、投入パワーは最大300[W]となっています。ステージ加熱機構は抵抗加熱方式となっており、最大350[℃]まで昇温が可能です。 型式 : PD-220NS 電極間隔 : 25mm (上部電極 : Al製、下部電極:SUS製) ステージ加熱機構 : 抵抗加熱方式 (MAX350[℃]) RF電源 : 13.56[MHz]水晶発振 (MAX300[W] ) 導入ガス : C2F6(MAX100sccm)、O2(MAX1000sccm)、TEOS(MAX20sccm)、He(MAX500sccm)、SN-2(MAX10sccm)、N2(MAX1000sccm) 噴出口 : 上部電極一体式シャワー状マニホールド 排気系 : ターボ分子ポンプ+ロータリーポンプ、メカニカルブースターポンプ+ドライポンプ オートプレッシャーコントローラー:コンダクタンス可変型 有効成膜範囲:φ220mm |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | マッフル炉 | 加熱 | |
| ナノプロセシング施設（NPF） | UVクリーナー (リソグラフィ付帯装置) | UV（紫外線）を用いたドライ洗浄装置。 ・UVランプ:110W x 1 (peak wavelength 253.7 nm , 184.9 nm) ・試料ステージ温調機能:室温～300 ℃・オゾン発生器 サムコ社のUVクリーナー解説ページ http://www.samco.co.jp/aboutus/primer/2011/03/post_4.php |
洗浄 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 低真空走査電子顕微鏡 | 低真空モードにおいて、熱電子線源から生じた電子線を試料に照射し、試料表面から反射した電子線を画像データとして読み込み、表面形状を観察します。このモードでの真空度は1 ～ 270 Paで、分解能は5.0 nmです。高真空モードにおいては試料表面から発生した2次電子の発生量を輝度の信号に変換することでその表面形状を観察します。到達真空度は0.0015 Paで、分解能は3 nmです。 ●型式:S-3500N ●電子銃:熱電子放出型Wヘアピンフィラメント ●加速電圧:0.3 ～ 30 kV ●分解能:高真空二次電子像:3.0 nm ●低真空反射電子像:5 nm ●試料サイズ:15 ～ 150 mmφ ●低真空モードでの真空度設定:1 ～ 270 Pa ●試料ステージ:五軸モーター駆動 ●可動範囲:100 mm × 50 mm 原理（ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修） http://www.tsc-web.jp/map/pdf/SEM.pdf |
観察 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | ワイヤーボンダー | この装置は、デバイスチップと、それを装着したチップキャリアーを金(アルミ)のワイヤーで電気的に接続するための装置です。 ワイヤーをセットした針を所望の位置に合わせ、針の先端に超音波を発生させることによりワイヤーをボンディングします。接続は顕微鏡で観察しながら行います。 ・型式:7400D ・ワイヤー径:約Φ25 μmの金線、アルミ線 ・ステージ寸法:260 mm(X)×200 mm(Y) ・ボンディング方式:US・TC サーモソニック方式 ・ボンディングツール長:約19 mm ・ボンディングツール径:約Φ1.58 mm ハイソル社のワイヤーボンダー解説ページ http://www.hisol.jp/products/bonder/wire/mgb/b.html |
配線 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | マスクレス露光装置 | 露光パターン発生用の空間光変調器にDMD(Digital Micromirror Device)を用いたマスクレス方式の露光装置です。 フォトマスクを使用せずに、CADデータ(GDSII形式)にした任意の形状を基板上のフォトレジストに直接パターニングすることができます。 光源は波長405 nmのLEDです。露光最小画素は□1 μm、最大露光領域は□100 mm、重ね合わせ精度は±1 μmです。 株式会社ナノシステムソリューションズのマスクレス露光装置解説ページ http://www.nanosystem-solutions.com/product/maskless.html |
パターン露光 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | スクライバー (リソグラフィ付帯装置) | 切断 | |
| ナノプロセシング施設（NPF） | コンタクトマスクアライナー(MJB4) | 5種類の露光モードを持ち、サブミクロン域までの露光や高精度なアライメント露光が可能な、コンタクト方式高性能手動マスクアライナです。 基板は4インチウェハまで対応し、破片状の小片基板なども処理できます。 フォトマスクは、ホルダーのガイド位置を変えれば、2.5～5インチマスクまで取り付けることが可能です。 ・基板サイズ:2インチ～4インチ、不定形小片～100 mm ・解像度 :約800 nm(バキュームコンタクト使用時) ・波長 :g線・照度 :約40 mW/cm2 ・露光モード:プロキシミティ、ソフトコンタクト、ハードコンタクト、ソフトバキュームコンタクト、バキュームコンタクト ・露光領域 :2.5～5インチ対応マスクホルダー 最大40 mm□ ・4インチ,5インチ対応マスクホルダー 最大75 mmφ |
パターン露光 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | アルゴンミリング装置 | イオンガンで発生させたArイオンビームを試料に照射することで、エッチングを行います。 反応性イオンエッチング(RIE)装置などに比べ、雰囲気が一桁低い圧力(10-2 Pa台)でエッチングの処理が行えます。 ・型式:3-IBE ・ビーム直径: Φ3 cm ・ビーム加速電圧:500, 300 V ・イオン電流密度:1 cm2 あたり1 mA(但し、入射角度0°の時) ・試料室の真空度: ～3 × 10-2 Pa ・パージガス: 窒素ガス |
加工 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | ダイシングソー | この装置は、シリコンウエハーを希望する大きさに切断するものです。 ウエハーは試料台の上にバキューム固定します。 切断する大きさを各方向(x軸、y軸、z軸)の移動パラメータとして設定しておけば切断作業は自動的に行われます。 ワークサイズは220 mm (x)×160 mm (y)です。 切断は円形の刃(ブレード)を高速回転させて加工します。 この装置では、多段カットも可能です。 ブレードを交換することで石英などのSi以外の薄板も切断できます。 ・型式:DAD522 ・最大ワーク寸法:152.4 mm ・切削可能範囲:220 mm (x)×160 mm (y) ・x方向送り速度:毎秒0.3～300 mm ・y方向位置決め精度:0.005 mm ・z方向有効ストローク:26.7 mm |
切断 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | イオンコーター (FIB付帯) | 走査電子顕微鏡観察において、導電性のない試料を観察する際の帯電障害(チャージアップ)を防止するために、Ptあるいはカーボンコーティングをするための装置です。 ・型式:E-1030 ・放電方式:ダイオード放電マグネトロン形(電場・磁場直交形) ・電極形状:対向平行円板(マグネット埋込み) ・電圧:電圧DC 0.4 kV(固定) ・電流:電流DC 0～35 mA(リミット回路付き) ・コーティングレート:最大 毎分6.5 nm (Pt) ・試料サイズ:最大直径:55 mm、最大高さ:20 mm |
成膜 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 物理特性測定装置(PPMS) | 高感度物理特性評価装置。直流抵抗測定(DC)、Hall抵抗測定等が可能です。ヘリウム再凝縮装置が付設されているため、液体ヘリウムの充填が不要です。 ●型番:MODEL6000 ●測定可能温度範囲:1.9～400 K ●温度可変速度:0.01K/分～6K/分 ●超伝導マグネット:±14 T(通常は7 Tまででご利用ください。7 T以上でのご利用をご希望の場合はご相談ください。) ●測定機能:直流抵抗測定(DC)、Hall抵抗測定 その他の測定機能についてはお問い合わせください。 |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | スパッタ成膜装置（芝浦） | 高周波励起によりArプラズマを発生させて成膜材料へ衝突させることにより、基板へ均質緻密な膜をスパッタします。 ロードロック室付なので基板交換を効率良く迅速に行えます。 3種までの材料を逐次多重成膜することが出来ます(手動)。 強磁場を発生させる特別な磁石を組み込んだカソードも1台組み込んであり、強磁性材料に対しても高レートの成膜を可能としています。 真空システムと基板搬送は自動化してあり、操作パネル上で手軽に操作出来ます。 ・型式:CFS-4EP-LL ・スパッタ源:3インチマグネトロン×3式 ・スパッタ電源:高周波自動調整 最大出力500 W ・ロードロック室付・基板テーブル:回転機構付、逆スパッタ ・加熱可、Φ200 mm ・ターゲット-基板間:85 mm ・加熱温度:最大300 ℃ ・膜厚分布:±5%以内@膜厚2 ～3 k?、SiO2成膜時、Φ170 mm内 ・到達真空度:2×10-4 Pa ・反応ガス:Ar, O2, N2 ・成膜時ガス圧:0.2 ～1 Pa 芝浦メカトロニクスのスパッタ装置解説ページ http://www.shibaura.co.jp/products/vacuum/v_01.html |
成膜 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 電界放出形走査電子顕微鏡[S4500_FE-SEM] (2F) | 細く絞った電子線による試料表面の走査によって対象物から放出される二次電子信号を検出することで、表面の凹凸や材質の違いなどを像として表示し、微細加工部の形状などを観察・評価します。特殊な電子銃により電子線を試料表面で細く収束し、非常に微細な構造を表示できます。試料を傾けることにより、三次元形状を把握することも可能です。 ●型式:S-4500 ●電子銃:冷陰極電界放出型電子銃 ●加速電圧:0.5～30 kV ●分解能:1.5 nm (加速電圧15 kV, WD = 4 mm) ●試料ステージ制御:5軸モーター制御 ●可動範囲:X,Y:0～25 mm、Y:0～25 mm、Z:3～28 mm、R:360°、T:-5～45° ●試料サイズ:～50 mmΦ ●検出器:2次電子検出器(2系統)、エネルギー分散型X線検出器 |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | ヘリウムイオン顕微鏡 | ●型番: ORION Plus ●分解能:0.35nm(エッジコントラスト) ●加速エネルギ:10kV ? 35kV ●検出器:二次電子、反射イオン、ルミネッセンス ●付属機器:ガスインジェクションシステム(W, Pt) ヘリウムイオン顕微鏡は冷却イオン源尖端1原子から電界イオン化したヘリウムイオンビームを加速した後、試料表面へ照射し発生する二次電子を用いてSEMと同様に二次電子像を得る装置です。単一光源の利点として焦点深度が深く、SEMに比べ二次電子のエネルギーが低く平均自由工程が1nmと非常に短い(SEM:5~10nm)ためSEMでは得られない極表面形状・構造に敏感な像を高い材料コントラスト差で得ることが可能です。 観察条件では電子に比べヘリウムイオンは試料の内部深くまで入りますので単位体積当たりの試料への負荷エネルギがSEMより3桁以上小さく、熱ダメージに弱い有機材料、バイオ材料(細胞など)などの観察に有利です。また観察時にヘリウムイオン照射で正に帯電した試料表面を電子線照射で中和することできるため絶縁体試料の観察にも有効です。 ヘリウムイオン照射を強くすることにより、グラフェンなど二次元膜の格子欠陥形成による材料物性・機能制御、デバイス試作のための10nm以下のナノ加工なども可能です。ルミネッセンスによる材料評価や電位、温度を制御した状態での評価、加工も実験的に可能となっています。 |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | イオンコーター(SEM付帯) | 集束イオンビーム加工観察において、熱伝導性のない試料の昇華や融解による形状変形 及び熱改質の防止、試料の表面へのイオン注入による汚染(orイオンビーム入射による表面改質)の防止、電気伝導性のない試料の加工や観察への帯電障害(チャージアップ)を防止するため、Ptコーティングを行う装置です。 ●放電方式:ダイオード放電マグネトロン形(電場・磁場直交形) ●電極形状:対向平行円板(マグネット埋込み) ●電圧:最高電圧DC 0.4 kV ●電流:最大電流DC 40 mA ●コーティングレート: Pt 毎分15 nm以上 (参考値) ●試料サイズ:最大直径:60 mm、最大高さ:20 mm |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | 単波長エリプソメータ | 主に薄膜の膜厚や光学定数の測定に利用する装置です。サンプル表面に光を入射させ、その反射光の偏光状態を計測することにより膜厚や光学定数の算出を行います。代表的な利用方法はシリコンウエハ上に成膜したSiO2膜の膜厚測定で、非破壊・非接触で比較的簡便に膜厚(SiO2膜が透明で光吸収が無いと仮定した場合)を計測することが可能です。 ? 型式:DHA-XA2M ? 光源:He-Neレーザ(632.8nm)、LD830(830nm) ? ステージサイズ:4インチウエハ(直径100mm) ? 入射角度:55°~75° |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | 反応性イオンエッチング装置 (RIE) | この装置は、反応性ガス(SF6, CF4, O2)を高周波電界中で活性化し、これにより生じたラジカルイオンをエッチング用粒子として使用して材料表面を削るものです。 基板に高周波電圧を印加する方式により、加速されたイオンが基板に対して垂直方向に入射してエッチングを進めるのでパターンの微細化に有効です。 Φ8インチウェハーまで対応が可能です。 ・型式:RIE-200L ・高周波電界:周波数13.56 MHz(水晶発振制御)、最大300 W ・電界制御:インピーダンスオートマッチング ・電極:セミ無遮蔽型電極、上部Al電極、下部SUS電極電極 ・試料台寸法:寸法Φ240 mm, 電極間隔55 mm ・反応ガス:SF6, CF4, O2 ・パージガス:窒素ガス サムコ株式会社のRIE-200L解説ページ http://www.samco.co.jp/products/list/03_etching/01_rie/rie-200lc.php |
エッチング |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 全焦点顕微鏡 | 本装置は、産業技術総合研究所とフォトロンの共同開発による製品です。 ピント操作をすることなく、被写界深度100 μm の超深度全焦点映像による観察を行うことができます。 全焦点映像は、ピエゾの駆動により対物レンズを上下させ、異なる深度でのスキャン画像30枚を取得します。 さらに、同時に対象物の高低情報を取得することができます。 撮像ユニット部 ・画素サイズ:16 μm x 16 μm ・撮像解像度:512X512画素 ・撮像フレームレート:1,000FPS アクチュエータ部 ・作動距離:最大100 μm ・駆動周波数:最大15 Hz ・各種対物レンズ 取付 ・交換可能 プロセッサ部 ・最大合成枚数:1996枚 ・合成画面出力速度:30枚/秒 ・高低情報画面出力速度:30枚/秒 顕微鏡部 ・照明:落射透過兼用 ・色温度変換フィルタと減光フィルタ ・対物レンズ 10X/20X/50X |
観察 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 高速電子ビーム描画装置(エリオニクス) | 本装置は細く絞った電子ビームをレジストを塗布した基板に照射し、微細な加工(描画)を行うための装置です。加速電圧が130kVであるため非常に微細なパターン(5 nm)を描画することができます。クロック周波数が100 MHzであるため、高速描画が可能です。描画エリアは8インチサイズですが、12インチウエハーをセットすることが可能です。 〇型番:ELS-F130AN 〇電 子 銃 ZrO/W熱電界放射型 〇加 速 電 圧 130kV, 100kV, 50kV, 25kV 〇最小ビーム径 1.7nm (@ 130kV) 〇最小描画線幅 5nm (@ 130kV) 〇最大スキャンクロック 100MHz 〇ビーム電流強度 5pA～100nA 〇フィールドサイズ □100μm、□250μm、□500μm □1000μm (100kV以下) □1500μm(50kV以下) □3000μm (25kV以下) 〇ビームポジション 1,000,000×1,000,000 (20bit DAC) 〇位置決め分解能 0.1nm 〇つなぎ精度 ±10nm 〇重ねあわせ精度 ±15nm 〇描画可能エリア 210mm×210mm 〇最大試料サイズ 12インチΦウェハー又は9インチ□マスク |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | 化合物半導体エッチング装置(ICP-RIE) | 放電形式に誘導結合(Inductively Coupled Plasma:ICP)方式を採用し、各種材料の超微細加工を高速で行うことを目的とした反応性イオンエッチング装置です。本装置は、独自のトルネード型コイル電極の採用により、均一な高密度プラズマを発生させることが可能です。主に化合物半導体および各種金属膜などの高精度の異方性エッチングが可能です。 ●型式: RIE-400iPS ●放電方式: 誘導結合式プラズマ(ICP) ●試料サイズ: 4インチウェハまで対応 ●試料導入方式: ロードロック式 ●ICP高周波電源: 最大500W 、13.56MHz ●バイアス高周波電源: 最大300W、13.56MHz ●使用ガス: Cl2、BCl3、HBr、Ar、O2、CF4 |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | 顕微フーリエ変換赤外分光装置(FT-IR) | 赤外分光法を利用し、試料の定性・定量解析を行うフーリエ変換装置です。 レーザーラマン同様、コンフォーカル機能を搭載した光学顕微鏡システムとの組み合わせにより、高分解能な微小領域解析が可能となっています。 またレーザーラマンとの相補的な評価により、より高度な定性分析が可能です。 ・型式: Nicolet6700、Continuum ・測定波長範囲:350 ? 12500 cm-1、600 ? 11700 cm-1(顕微使用時)・最高分解能:0.09 cm-1 ・オートステージ機能搭載 サーモフィッシャーサイエンティフィック社の赤外顕微鏡解説ページ http://www.thermoscientific.jp/ft-ir-raman/nicolet-continuum.html |
計測 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 原子層堆積装置[FlexAL] | 本装置は原子層堆積法（Atomic Layer Deposition：ALD）を利用して原子層レベルで膜厚を制御して平坦で緻密な薄膜を形成する装置です。 CVD法やPLD法と比較してアスペクト比の高い構造物に均一な膜を成膜することが可能です。 ・型式 FlexAL ・基板ホルダー 2”,3”,4”,6”,8”Φ ウエハ □60 mm、□40 mm、□30 mm、 □20 mm、□15 mm、□10 mm の切り出しチップ 不定形基板（8”Φ以内） ・成膜可能材料及び原料 Al2O3、AlN（TMA：高純度トリメチルアルミニウム） HfO2、HfN（TEMAH：高純度テトラエチルメチルアミノハフニウム） Ru（高純度ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム） SiO2、SiON （TDMAS：高純度トリスジメチルアミノシラン） Ta2O5、Ta3N5、TaN（高純度ｔ－ブチルイミノトリス（メイルエチルアミノ）タンタル） TiN（TDMAT：高純度テトラキスジメチルアミノチタン） TiO2（TTIP：高純度チタンテトライソプロポキシド） ZnO（DEZn：高純度ジエチル亜鉛） ・チャンバー到達真空度 2.0 x 10-5 Pa オックスフォード・インストゥルメンツ株式会社のFlexAL解説ページ オックスフォード・インストゥルメンツ株式会社のALD法解説ページ ALD法の解説ページ（ALD japan） |
金属薄膜、半導体薄膜、誘電体薄膜の成膜 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 微小部蛍光X線分析装置(XRF) | 型式：SEA5120A ・分析元素:Na～U、Si(Li)半導体検出器(LN2冷却)、RhX線管励起、上部垂直照射 ・コリメータ:φ0.1;1;2.5 mm、最大試料サイズ:80 x 80 x 35 (mm)、試料形態:固形;薄膜、雰囲気:大気;真空 ・定性、バルク分析(FP法、検量線法)、薄膜分析(FP法、検量線法)、元素マッピング、レポート作成ソフト 原理（ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修） 微小部蛍光X線分析装置(XRF) http://www.tsc-web.jp/map/pdf/XRF.pdf 日立ハイテクの蛍光X線分析装置回折ページ http://www.hitachi-hitec-science.com/products/xrf/xrf_analysis.html |
計測 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 高分解能電界放出電子顕微鏡(FE-SEM) | この装置は、細く絞った電子線で試料表面を2次元的に走査し、その際に出てくる2次電子信号から、表面の凹凸や材質の違いなどを像として表示します。 微細加工された部分の形状などを観察評価するために用います。 電子線を試料表面で細く収束し、非常に微細な構造を観察するために特殊な電子銃を用いています。 試料を傾けながら像を観察することにより、3次元的な形状を把握することもできます。 ・型式:S-4800 ・電子銃:冷陰極電界放出型電子銃 ・加速電圧:0.5～30 kV ・分解能:1.0 nm(加速電圧15 kV, WD = 4 mm) ・試料ステージ制御:5軸モーター制御 ・可動範囲:X,Y:0～110 mm、Z:1.5～40 mm、R:360°、T:-5～70° ・試料サイズ:15～150 mmΦ ・検出器:2次電子検出器(2系統)、エネルギー分散型X線検出器 原理（ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修） http://www.tsc-web.jp/map/pdf/SEM.pdf |
観察 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 走査プローブ顕微鏡2(SPM2)[SPM-9600・9700] | 試料表面を微小な探針で走査し、表面の三次元形状をスピーディに観察する装置です。 分かり易いインターフェイスの採用やソフトウェアの自動化機能により、SPM初心者の方でも容易に測定が可能です。 ・型式:SPM-9600 ・試料最大形状:φ24 mm × 8 mm ・試料固定:マグネットによる固定 ・スキャナ走査範囲:125 um × 125 um × 7 um ・分解能:水平 0.2 nm、垂直 0.01 nm ・測定モード:ダイナミック、コンタクト、位相、電流、表面電位(KFM) 島津製作所のSPM解説ページ http://www.an.shimadzu.co.jp/surface/spm/spm/index.htm 島津製作所 SPM資料室 http://www.an.shimadzu.co.jp/surface/spm/sol/faq/faq1.htm |
観察 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | レーザー顕微鏡 | この装置は、試料にレーザー光を当て、高さの違いにより生じる反射光量の変化から立体形状を測定します。 CCDカメラで撮影した映像をテレビモニターで観察しながら測定します。 視野範囲内の任意に指定した二点を結ぶ直線上の断面形状を求めるプロファイル測定を始めとした形状解析が可能です。 また、専用の解析アプリケーションを使えば更に詳細な解析が可能です。 ・製造元:キーエンス ・型式:VK-8500 ・測定用レーザー光源:He-Neレーザー ・試料ステージストローク:70 mm(x,y)、28 mm(Z) ・高さ測定範囲:7 mm ・高さ方向最小測定分解能:0.01 μm ・高さ方向繰り返し測定精度:0.03 μm |
観察 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | デバイスパラメータ評価装置 | この装置は、プローバーシステムと半導体パラメータアナライザーから構成されています。 ダイオードやFETなど様々なデバイスの電気伝導特性の測定と解析を行うことができます。 ・型式:4156C(半導体パラメータアナライザー) ・最小電流レンジと測定分解能:±10 pAレンジ(電圧 0～±100 V)、1 fA ・最大電流レンジと測定分解能:±100 mAレンジ(電圧 0～±20 V)、100 nA ・最小電圧レンジと測定分解能:±2 Vレンジ(電流 0～±100 mA)、2 μV ・最大電圧レンジと測定分解能:±100 V、レンジ(電流 0～±20 mA)、100 μV Agilent Technologiesの半導体パラメータアナライザー解説ページ http://www.home.agilent.com/agilent/techSupport.jspx?pid=153517&pageMode=MN&lc=jpn&cc=JP |
計測 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | X線回折装置(XRD) | 試料形状やそれぞれの測定目的に応じて適切な光学系を容易に切り替え構築出来る高精度の粉末X線回折装置です。 集中法、平行ビーム法切替入射光学系“クロスビームオプティクス”を搭載し、集中法、平行ビーム法や薄膜測定光学系を僅かな手差しスリットの交換と測定プログラムの切り替えだけで簡単に設定することができます。 更に、3軸を有する薄膜試料台およびインプレーン測定機構を活用して擬似極点、逆格子マップあるいは薄膜面内回折測定なども行えます。 通常光学系は薄膜測定用に設定されています。 ・型式:Ultima X ・ゴニオメータ:試料水平型、インプレーン測定機構付 ・試料台:薄膜用[4軸(Rx, Ry, Z, Φ)最大試料サイズ100 mm×10 mm]、小角透過法用試料台、6試料自動交換試料台 ・光学系:平行ビーム法、集中法、人工多層膜放物面モノクロメータ、チャンネルカット2結晶モノクロメータ、湾曲結晶モノクロメータ ・X線発生装置:封入管型 ・定格最大出力:3 kW ・データ解析ソフトウエア:反射率、小角粒径 ・空孔径、逆格子マップ ・極点、定性分析、回折パターン総合解析 株式会社リガクの粉末X線回折装置解説ページ http://www.rigaku.co.jp/products/p/xdpd0001/ 測定原理（ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修のリーフレット） X線回折法 X線ロッキングカーブ回折法 |
構造解析 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 四探針プローブ抵抗測定装置 | 4探針プローブ (プローブは試料に応じて交換して使用する) 型式 K-89PS40μR, K-89PS150μR 材質 タングステンカーバイト 針間 1mm 針先R 40μmR, 150μmR 針圧 約800g, 約200g 測定架台 最大試料寸法: 135mm□ Z軸移動 40mm ラックピニオン式 針圧調整 ウエイト加減方式 デジタルソースメータ(抜粋) 最大印加電圧 ±210V, 電流 ±1.05A(MAX 21V), ±1.05mA(MAX 210V) 最小設定分解能 5μV(200mVレンジ), 50 pA(1μAレンジ) ※シート抵抗測定時は、2つの探針に定電流を流し、他の2つの探針に生じる電圧を計測し、V/I×係数 でシート抵抗を求めます。薄膜用(150μmR)とバルク(40μmR)の専用プローブがあります。自動計測プログラムを用いると定電流の極性を変えて電圧計測オフセットをキャンセルしながら計測しながら電流を自動スキャンするため簡単に有効な測定結果が得られる電流を見つけることができます。 |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | 多目的エッチング装置 | 放電形式に誘導結合(Inductively Coupled Plasma:ICP)方式を採用し、各種材料の超微細加工を高速で行うことを目的とした研究開発用のロードロック式エッチング装置です。 本装置では、独自のトルネード型コイル電極の採用により、安定した高密度プラズマを効率よく発生させ、シリコンおよび各種金属薄膜、化合物半導体などの高精度の異方性エッチングが可能です。 ・放電方式:誘導結合式プラズマ(ICP) ・試料サイズ:4インチウェハまで対応 ・試料導入方式:ロードロック式 ・試料温度制御:-25 ～ 200 ℃(熱媒温度) ・高周波出力:500 W , 13.56 MHz、オートマッチング方式 ・ガス制御:最大8系統、バルブおよびマスフローコントローラーによる流量制御方式 |
エッチング |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 電子ビーム描画装置 | 細く絞った電子線を基板表面に照射し、微細な加工(描画)を行うための装置です。 その分解能は電子線のビーム径に依存します。 電子線をスポット照射させる加工方法である為、加工時間は、微細かつ加工領域が大きくなるほど長くなります。 試料は最大6インチ基板まで扱えます。 電子線走査範囲は一辺が100 μm～1 mmの正方形で、描画方式により若干異なりますが、画素数を4000～60000ドットの範囲内から選択できます。 ・型式:CABL-9410TFNA ・電子銃:熱電界放射型ZrO,Wエミッタ ・最小スポット直径:ガウス分布2 nmΦ(加速電圧50 kV) ・描画可能な最小線幅:10 nm(レジスト膜厚100 nmのとき) ・走査方式:ベクター走査、ラスター走査 ・走査領域:最大1 mm□ ・つなぎ合わせ描画領域:最大150 mm□ ・つなぎ合わせ精度:50 nm以下 ・重ね合わせ精度:50 nm以下 ・試料寸法:最大6インチΦ×4.6 mm(高さ) 株式会社クレステックのCABLシリーズ解説ページ http://www.crestec8.co.jp/japaneseF/prod/elec/ |
パターン露光 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | ナノプローバ(N-6000SS) | ・プローブユニット ユニット数:6本(探針数) 微動範囲:5um(X,Y軸) 粗動範囲:5mm(X,Y軸) 駆動方式:ピエゾ素子使用 ・試料ステージ 試料サイズ:15mm×15mm、厚さ1mm以下 可動範囲:15mm×15mm以上 加熱・冷却機能付(ステージ温度:-40～150℃) ・電子光学系 電子銃:冷陰極電界放出型電子顕微鏡 加速電圧:0.5～5kV (※EBACモード:最大30kV) イメージシフト:±30um以上(1kV、WD=5mm) ・デバイスアナライザ 型式:B1500(Agilent製) モジュール:B1520A MFCMU [1KHz～5MHz CV機能] B1517A HRSMU [100mA/42V 電流/電圧出力、1fA/0.5uV電流/電圧測定分解能] ・付加機能 EBAC(Electron Beam Absorbed Current) 半導体デバイスの配線・電極やナノカーボン材料他の新材料に直接プローブを接触させ、それらの電気特性を評価するプローバです。 冷陰極電界放出型走査電子顕微鏡(FE-SEM)搭載のため、高倍率観察下でのプロービングが可能です。 またプローブユニットは6本対応となっており、様々な測定ニーズに合わせて使用出ます。 |
成膜 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | プラズマCVD装置 | 本装置は液体ソースを用いたプラズマ化学気相成長装置であり、テトラエトキシシラン(TEOS)を原料として酸化シリコン膜を成膜することができます。 RF電源はオートマッチングシステムで制御され、投入パワーは最大300 Wとなっています。 ステージ加熱機構は抵抗加熱方式となっており、最大400 ℃まで昇温が可能です。 ・電極間隔: 25 mm(上部電極:Al製、下部電極:SUS製) ・ステージ加熱機構:抵抗加熱方式(MAX400 ℃) ・RF電源: 13.56 MHz水晶発振(MAX300 W ソリッドステート方式) ・導入ガス: C2F6 (MAX100 sccm),O2 (MAX1000 sccm),TEOS (MAX30 sccm) ・ガス噴出口:上部電極一体式シャワー状マニホールド ・排気系: ロータリーポンプ+メカニカルブースターポンプ ・オートプレッシャーコントローラー: コンダクタンス可変型 ・有効成膜範囲: φ220 mm |
成膜 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 集束イオンビーム加工観察装置(FIB) | この装置はガリウムイオンビームを集束・走査することで特定の微小領域を微細加工するものです。 2次電子像を観察しながら断面試料やTEM試料等を作製することが可能です。 タングステン膜の形成も可能であり、ガリウムイオンビームを走査して任意の場所にタングステン配線やタングステン保護膜を形成することができます。 そのほか任意形状の加工やビーム電流可変により試料に合わせた加工・観察が可能です。 ・型式:FB-2100 ・イオン源:ガリウム液体金属イオン源 ・加速電圧:10 ～ 40 keV ・像分解能:6 nm ・ビーム径:1.3 μm, 600 nm, 300 nm, 160 nm, 80 nm, 40 nm, 10 nm 原理（ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修） http://www.tsc-web.jp/map/pdf/FIB.pdf 日立ハイテクの集束イオンビーム加工観察装置解説ページ http://www.hitachi-hitec.com/science/fib/fb2200.html |
加工、観察 |
| ナノプロセシング施設（NPF） | 電子ビーム真空蒸着装置 | 高真空中で金属や化合物などの成膜材料へ電子ビームを照射し、発生した蒸発物を基板上に付着堆積させることにより成膜します。成膜シ-クェンスを組むことにより、自動的8種までの材料の多層膜を作製することができます。高沸点材料や熱伝導率の高い材料では、ソースからの輻射熱が多くなり、条件によっては100 ℃を超えるため、非耐熱性基板では注意を要します。 ●蒸着方式:電子ビーム加熱蒸発、180°配向型、6 kW電子銃 ●蒸発源:8連装 ●クルーシブル容量:10 ml ●基板ホルダ:最大基板サイズ100 mm×100 mm×20 mm、傾斜ホルダ、冷却機構付(最低温度130 K) ●蒸発源―基板間:300 mm ●試料導入:ロードロック自動搬送 ●真空排気システム:到達圧力3×10^-6 Pa以下、オイルフリー、自動排気 ●成膜:水晶振動子膜厚モニタによる自動制御 ●膜厚分布:10 %以内@Φ75mm |
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| ナノプロセシング施設（NPF） | RF-DCスパッタ堆積装置(芝浦) | 直流または高周波励起によりArプラズマを発生させ、ターゲット材へ衝突させることにより、 基板へ均質緻密な膜をスパッタします。カソードは3つあり、3種類までの材料を同一バッチで成膜することが出来ます。 ロードロック式なので基板交換を迅速に行えます。真空システムと基板搬送は自動化してあり、操作パネルで手軽に操作出来ます。 【NPF025】スパッタ成膜装置(芝浦)と同型ですが、排気ポンプ能力が大きく、短時間に高真空が実現できます。また操作が簡単な直流スパッタが利用できます。 基板加熱なし、常磁場カソードのみの装着です。 ●型式:CFS-4EP-LL、i-Miller ●スパッタ源 : 3インチマグネトロン×3式 ●スパッタ方式 : 直流スパッタ、高周波スパッタ ●基板テーブル : 回転機構付、逆スパッタ可能、Φ200 mm ●ターゲット-基板間距離 : 82 mm ●基板加熱 : なし ●膜厚分布 : ±5%以内@膜厚～600nm(SiO2、Φ170 mm) ●到達真空度 : 10-5 Pa台 ●スパッタガス : Ar、O2、N2 ●成膜時ガス圧(標準): 0.5Pa ●常備ターゲット : Au、Pt、Ti、Cr、Ta、W、Cu、Al、SiO2、TiN |