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施設【MEMS研究開発拠点】 装置一覧（69件）
| 施設名 | 装置名称／手法 | 仕様 | 用途 |
|---|---|---|---|
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | マニュアルプローバ | 試料サイズ：8インチウェハ マニュアルプロービングによる、試作デバイスの電気特性計測評価。 |
評価装置（後工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 小口径スパッタ | 試料サイズ：4インチウェハ標準 バッチ式。マグネトロンスパッタによるウェハへの各種金属膜および酸化膜の形成 |
ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | フーリエ変換赤外分光装置 | 試料サイズ：8インチ標準 赤外スペクトル測定波数：4000～500cm-1 顕微測定径：最小10ミクロン SOI膜厚測定、PSG.BPSG分析機能 |
評価装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | レーザードップラー測定器 | 試料サイズ：最大12インチ 測定振動周波数：1~20MHz 最小測定スポット径：約φ１μm |
評価装置（後工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 自動光学顕微鏡 | 試料サイズ：8インチ標準 基本機能：最大1000倍、自動搬送、外観検査モジュール、光学カメラ付き |
評価装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 小型ナノインプリント装置 | 試料サイズ：最大25mm角 機能：熱ナノインプリントによる微細パターン加工 最高温度：600℃ 最大荷重：200kgf（試料サイズにより制限有り） |
加工装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | レーザ描画装置 | 描画エリア：最大125mm×125mm 機能：レーザー描画によるマスクレスパターン露光 最小描画サイズ：L/S 1.5ミクロン 描画速度：50mm2/min |
リソグラフィ装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 4"フォトリソグラフィー設備 | 試料サイズ： 4インチウェハ 機能：ウェハへのマスクアライメント、1：1転写露光、裏面アライメント対応 |
リソグラフィ装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 4"酸化炉 | ウェハ寸法：４インチウェハ 機能：Siウェハへの熱酸化膜形成、バッチ式、横型チューブ仕様、ウェット酸化、ドライ酸化 酸化温度：最高1100℃ |
ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 化学ドラフト | 化学薬品によるウェハの手動洗浄、ウェットエッチングプロセス、等が可能な局所排気装置。作業部間口1800mm | ウエットプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 4"スパッタ装置 | 試料サイズ： 4インチウェハ ロードロックチャンバ付きバッチ式。マグネトロンスパッタによるウェハへの各種金属膜形成 |
ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 4”Si深掘りドライエッチング装置 | 試料サイズ： 4インチウェハ フッ素系ガスのICP高密度プラズマによるドライエッチング。ボッシュプロセス深堀り加工 |
ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 電界放射形SEM | 試料サイズ：最大4インチウェハ 機能：電界放射型電子源による高倍率走査型電子顕微鏡観察観察 |
評価装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | イオンミリング装置 | 試料サイズ： 8インチウェハ 不活性ガスの高密度イオンビームによる、物理的ドライエッチング。 |
ドライエッチング装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 有機ドラフト | ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：ウェハの手動有機洗浄作業と有機溶剤含有塗布剤スピンコーティングが可能な局所排気装置、作業面幅1800mm | ウエットプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 赤外線顕微鏡 | ウェハ寸法：8インチ、機能：赤外線光源による顕微観察、画像処理機能付属 | 評価装置（後工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | ウェハスピン洗浄装置 | 試料サイズ： 8，12インチウェハ ウェットエッチング液による枚葉処理スピン洗浄･乾燥、洗浄プロセス：アンモニア/過酸化水素水、塩酸/過酸化水素水、希釈フッ酸による洗浄と超純水リンス洗浄、ウェットアンローダー付属。 |
ウエットプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 大面積ナノインプリント装置 | 試料サイズ： 200mm角以下 熱および光ナノインプリントによる微細パターン形成 加工温度：200℃ 最大圧力：5MPa |
加工装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | IPAベーパー乾燥機 | ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：ウェハを5枚バッチ処理でIPAベーパー雰囲気に晒して水分を除去･乾燥、特徴：ウェハスピン洗浄装置及び異方性ウェットエッチング装置と共通のウェハカセットを使用 | ウエットプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | パリレンコータ | 試料サイズ：最大100mm | 加工装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 異方性ウェットエッチング装置 | ウェハ寸法：8インチウェハ 機能：恒温薬品槽へのウェハディッピングによるシリコン異方性エッチング、超純水リンス洗浄、5枚バッチ全自動搬送処理、ウェハ処理槽内搖動による均一エッチング エッチング液：TMAH |
ウエットプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 電子ビーム/抵抗蒸着装置 | ウェハ寸法：8、12インチウェハ、機能：電子ビーム及び抵抗加熱方式真空蒸着、8インチ3枚バッチ、12インチ枚葉処理、成膜速度例：30－60nm/分 | 実装装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | マスク露光装置 | 試料サイズ： 8インチウェハ 機能：ウェハへのマスクアライメント 1：1転写露光、ラージギャップ、高段差露光、裏面アライメント対応 露光モード：バキューム/ハードコンタクト/プロキシミティ露光 アライメント精度：±0.5μm以内 標準レジスト厚さ：1μm、10μm |
リソグラフィ装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | マスクレス露光装置 | 試料サイズ： 最大500mm角、12，8インチウェハ、その他任意形状 レーザ光源とDLP（MEMSミラー）によるパターン直描露光 最小線幅：1μm |
リソグラフィ装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | チップtoウェハ接合装置 | チップサイズ： 3-20 mm 角 ウェハ(基板)サイズ： 12インチウェハ以下 ウェハ及び基板上へのフリップチップ接合。 接合温度：60-450℃ アライメント精度：±0.5μm |
実装装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | i-線ステッパ | 試料サイズ： 8インチウェハ ｉ-線(紫外線)によるレチクルパターンの1/5縮小投影露光 最小解像線幅：0.35μm 使用レチクル：6インチ角 標準レジスト厚さ：１μm |
リソグラフィ装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 熱処理装置 | ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：真空及びN2ガス雰囲気での熱処理、10枚バッチ処理、横型、真空チューブ仕様、最大加熱温度：600℃ | 実装装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | X線CT評価装置 | 試料サイズ： 8，12インチウェハ，チップ形状 X線CTスキャン顕微鏡観察 チップホルダ 観察エリア：最大8インチ、 最高分解能：1μm |
評価装置（後工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 光学顕微鏡 | 試料サイズ：最大12インチウェハ | 評価装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 光表面処理装置 | ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：エキシマランプによるDeepUV 光照射 | 実装装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | Si酸化膜プラズマCVD装置 | 試料サイズ： 8，12インチウェハ TEOSプラズマCVDによるSi酸化膜低温形成、成膜温度：150-200℃ |
ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | ウェハtoウェハ接合装置 | 試料サイズ： 4，6，8インチウェハ ウェハtoウェハの低温接合（陽極接合、プラズマ活性化接合、金属熱圧着） プラズマ活性化チャンバ 接合チャンバ内アライメント機能 アライメント精度：±0.5μm 接合温度：60-250℃、 最大加圧力：20000N |
実装装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | スパッタ | 試料サイズ： 8インチウェハ 3チャンバ構成マグネトロンスパッタによるウェハへの各種金属膜、絶縁膜形成、ターゲットへのDC/RF電圧選択印加可能 |
ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | ダイシェアテスタ | 試料サイズ：最大100mm、最大荷重 2,000N | 評価装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | エリプソメーター | ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：自動エリプソメトリー、膜厚測定精度：±1nm/100nm厚さ | 評価装置（前工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 酸化炉 | ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：Siウェハへの熱酸化膜形成、25枚バッチのカセット･ツー･カセットウェハ搬送処理、縦型チューブ仕様、水素ガス燃焼による水蒸気利用ウェット酸化とドライ酸化、酸化温度：最高1150℃ | ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 光学顕微鏡 | 試料サイズ：最大12インチウェハ | 評価装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | アニール炉 | ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：Siウェハの雰囲気中アニール処理、25枚バッチのカセット･ツー･カセットウェハ搬送処理、縦型チューブ仕様、アニール温度：最高1150℃ | ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 大面積コーターディベロッパ | 試料サイズ：最大500mm角 | リソグラフィ装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 光学顕微鏡 | 試料サイズ：最大12インチウェハ | 評価装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 12ウェハ常温接合装置 | ウェハ寸法：4、6、8、12インチ、機能：ウェハ/ウェハ常温接合（表面活性化接合）、最大接合荷重：200kN、アライメント精度：±1μm | 実装装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | Si窒化膜減圧CVD装置 | ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：減圧CVDによるSiウェハへの窒化膜形成、25枚バッチのカセット･ツー･カセットウェハ搬送処理、縦型チューブ仕様、内部応力制御成膜可能 | ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 測長SEM | ウェハ寸法：8インチ、片面鏡面研摩ウェハ対応、 機能：走査型電子顕微鏡による寸法測定、測長範囲：0.1－2.0μm、 解像分解能：3nm、観察倍率：1000－300000倍 |
評価装置（後工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 金属膜ドライエッチング装置 | ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：ハロゲン系ガスのICP高密度プラズマによる難加工金属膜のドライエッチング加工、ウェハの腐食防止アッシング加工、カセット･ツー･カセット搬送処理、エッチング終点判定機能 | ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 8Si深掘ドライエッチング装置 | 試料サイズ： 8インチウェハ フッ素系ガスのICP高密度プラズマによるドライエッチング加工、ボッシュプロセス深堀り加工、カセット･ツー･カセット搬送処理 プラズマ発光分光検出 ウェハエッジ保護機能付属 |
ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 膜厚測定器 | ウェハ寸法：8、12インチウェハ、機能：反射分光方式非接触膜厚測定、分光曲線フィッティングによる屈折率及び膜厚測定、測定エリア：8インチ径以内、測定膜厚：10nm－40μm、繰り返し精度：0.1% | 評価装置（前工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | アッシャー | ウェハ寸法：8、12インチウェハ、機能：ウェハの酸素プラズマアッシング、2バッチ処理可能 | ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | レジストスプレーコータ | 試料サイズ：300mm | リソグラフィ装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | ポリSi減圧CVD装置 | ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：減圧CVDによるSiウェハへのリンドープ･ポリシリコン膜形成、25枚バッチのカセット･ツー･カセットウェハ搬送処理、縦型チューブ仕様 | ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 分析SEM | ウェハ寸法：4、6、8、12インチウェハ、機能：走査型電子顕微鏡による表面観察、元素分析、結晶解析ユニット、チップ観察ホルダ付属、観察倍率：30－300000倍 | 評価装置（後工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 段差測定器 | ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：触針式ウェハ表面形状評価、表面プロファイル及びストレスマッピング機能、先端角20度の鋭角スタイラス付属、測定レンジ：5－300μm、再現性：最小レンジで1nmσ | 評価装置（前工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 赤外線レーザ顕微鏡 | ウェハ寸法：最大12インチウェハ、機能：赤外線レーザによる共焦点顕微観察、各種表面プロファイル分析 | 評価装置（前工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | Si酸化膜ドライエッチング装置 | 試料サイズ： 8インチウェハ フッ素系ガスによるICPドライエッチング、Si酸化膜・Si窒化膜の非ボッシュプロセスによるエッチング加工 カセット･ツー･カセット搬送処理 エッチング終点判定機能 |
ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | シート抵抗プローバー | ウェハ寸法：最大8インチウェハ、機能：セミオート4探針抵抗率／シート抵抗測定、測定範囲：1m-10MΩ/□、測定精度：±1%以下 | 評価装置（前工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 犠牲層ドライエッチング装置 | 試料サイズ： 4，6，8インチウェハ フッ酸ベーパーによるSi酸化膜犠牲層のドライエッチング 終点判定機能付属 |
ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | ウェハディップ洗浄装置 | ウェハ寸法：8、12インチウェハ、機能：ウェットエッチング液による5枚バッチ処理ディップ洗浄･スピン乾燥、前処理用汎用無機ドラフト付属、洗浄プロセス：硫酸/過酸化水素水、希釈フッ酸による洗浄と超純水リンス洗浄 | ウエットプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 12Si深掘ドライエッチング装置 | 試料サイズ： 12インチウェハ ボッシュプロセス深堀り加工、カセット･ツー･カセット搬送処理、プラズマ発光分光検出機能付属 |
ドライプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 無機ドラフト | 間口1200mm | ウェットプロセス装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | ブレードダイサー | 試料サイズ： 最大12インチウェハ ダイヤモンドブレードによるウェハ切断、ステージ分解能：0.1μm 送り速度：0.1－600mm/s |
加工装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 超音波顕微鏡 | ウェハ寸法：12インチ以下、機能：接合されたウエハなどの内部欠陥（ボイド、クラック、剥離など）の観測 | 評価装置（後工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | ウェハ塵埃検査装置 | ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：ウェハ面上の塵埃数測定、ステージ移動によるマッピング及び粒子径分布ヒストグラム表示、カセット･ツー･カセット搬送処理、検出粒子径：0.079－5.0μm | 評価装置（前工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 反応性イオンエッチング装置 | ウェハ寸法：８インチ以下、機能：ハロゲン系ガスによるSi酸化膜のドライエッチング、酸素プラズマによるアッシング | 加工装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 光学検査顕微鏡 | ウェハ寸法：4、6、8インチウェハ、機能：光学顕微鏡観察 によるウェハ自動欠陥検査、測定エリア：最大8インチ、最小検出欠 陥寸法：2μm |
評価装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 干渉型表面形状評価装置 | ウェハ寸法：最大8インチウェハ、機能：白色干渉型非接触表面プロファイル測定、垂直分解能：0.1nm | 評価装置（前工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | レーザステルスダイサー | 試料サイズ： 最大8インチウェハ レーザによる低ダメージ・ドライ切断、カセット・ツー・カセット搬送処理、ステージ分解能：0.1μm |
加工装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | 薄膜応力評価装置 | ウェハ寸法：8インチ以下、機能：レーザ光によるウェハ反り量の非接触計測、内部応力値への換算評価 | 評価装置（後工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | レーザ顕微鏡 | ウェハ寸法：最大12インチウェハ、機能：可視光線レーザによる共焦点顕微観察、各種表面プロファイル分析、光源波長：405nm | 評価装置（前工程） |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | レジスト塗布現像装置 | ウェハ寸法：8インチ 機能：レジスト塗布、アルカリ現像液、HMDS処理、ベーク処理、カセット･ツー･カセット自動搬送処理 |
リソグラフィ装置 |
| MEMS研究開発拠点（MEMS） | テスタープローバー | ウェハ寸法：8インチウェハ、機能：プローブカードによる大気中でのウェハレベル電気的特性評価、セミオートウェハ搬送処理、容量計測・周波数解析機能、音響加振機能付属 | 評価装置（後工程） |