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施設【ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）】 装置一覧（31件）
| 施設名 | 装置名称／手法 | 仕様 | 用途 |
|---|---|---|---|
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 水蒸気プラズマ洗浄装置 | ・高周波出力：50-250W ・反応ガス：H2O,O2 ・自動運転プログラム ・試料サイズ：最大φ8インチ ・水蒸気プラズマによる還元、洗浄、樹脂接合、親水化処理が可能 ・酸素ガスを添加することにより、還元雰囲気でのアッシングが可能 |
・金属酸化膜の還元 ・有機汚れの洗浄 ・レジストアッシング ・親水化処理 - Reduction - Surface cleaning - Resist ashing - Hydrophilization |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 顕微式自動膜厚測定システム | 光源：重水素ハロゲンランプ 波長：190-1100nm 測定膜厚範囲：5nm以下～30um 試料サイズ：最大φ8インチ その他：自動マッピング、顕微式、遠隔利用可能 |
反射分光による薄膜評価 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | ６連自動蒸着装置 | 蒸着方式：電子銃型 ターゲット：Ti, Au, Al, Ni, Pt, 他 到達真空度：10-4Pa台 TS間距離：500mm 試料サイズ：最大φ8インチ その他：ロードロック式自動蒸着、水冷式資料ステージ |
リフトオフ向け金属薄膜形成 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 多機能型原子層堆積装置 | 成膜方式：Thermal ALD, Plasma ALD 原料：TMA, TDMAT, BDEAS, 他 酸化膜：H2O, O3, O2 窒化膜：N2, NH3 試料サイズ：最大φ8インチ その他：ロードロック式 |
絶縁膜・パッシベーション膜形成 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 赤外線ランプ加熱装置 | 加熱方式：放物面反射赤外線ランプによる上部片面加熱方式 プロセス温度：1200℃以下 昇温速度：10℃/秒以下 プロセスガス：Ar, N2, Ar;H2(3%) 試料サイズ：最大φ6インチ |
小片～φ6インチの急速アニール |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | ICP原子層エッチング装置 | 誘導結合型プラズマ励起 プロセスガス：CL2, BCL3, SF6, Ar, O2, N2 最大試料寸法：φ6インチ |
1. 半導体材料等の原子層エッチング 2. 金属・半導体材料等のICPエッチング |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 3次元測定レーザー顕微鏡 | ・光源 405nm半導体レーザー ・分解能 XY：0.12um／Z：0.01um ・繰り返し性 XY：3σ=0.02um,／Z：1σ=0.012um（対物レンズ100倍時） ・観察モード 観察モード ・試料サイズ 100mm角以下 |
・非接触3次元形状観察、計測 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 液体窒素プローバーシステム | ・測定温度：７７K～５００K ・プローブ数：４本 ・試料サイズ：最大20mm |
・電気特性評価 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | ワイヤーボンダー(1) | ・ボンディング方式：超音波/超音波熱圧着ウェッジボンド方式 ・ボンディングウェッジ 45度、90度 ・ワイヤー材質 金線、アルミ線 ・ワークホルダー温度 300度以下 ・試料サイズ 最大50mm角基板，DIPパッケージ |
・微細加工（電気測定） ・チップキャリアへのボンディング |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 室温プローバーシステム | ・プローブ 同軸プローブ ・マニピュレータ 4基 ・I-V測定端子 4ユニット ・C-V測定端子 1ユニット ・試料サイズ 最大φ4インチ |
・I-V/C-V特性評価 ・微細加工（電気測定） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | イオンスパッタ | ・成膜材料：白金、カーボン ・試料サイズ：最大φ60mm |
・SEM，FIB-SEMの前処理 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 走査電子顕微鏡 | ・電子銃 ZrO/W 電界放射型 ・加速電圧 0.1-30kV ・2次電子像分解能 1.0nm （ノーマル：15kV） 1.4nm （リターディング：1.0kV） |
・微細加工（評価・計測） ・ナノ加工・構造・材料の観察・計測 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 多元スパッタ装置(i-miller) | ・スパッタ方式：サイドスパッタ方式（DC，RF，同時スパッタ，逆スパッタ） | ・微細加工（成膜） |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | ダイシングソー | ・切削刃 ダイヤモンドブレード ・切削範囲 XY：162mm以下 ・スピンドル回転数 3000-40000rpm ・顕微鏡 モニタ上倍率27倍／270倍電動切替 ・試料サイズ 最大φ6インチ |
・微細加工（切削・研磨） ・シリコン／石英／サファイア基板の小片化 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 酸化膜ドライエッチング装置（フッ素系ガス ICP-RIE） | ・プラズマ励起方式 誘導結合型 ・電源出力 ICP出力：最大3kW／バイアス出力：最大1kW ・プロセスガス CHF3，C2F6，C4F8，SF6，Ar，O2，He ・試料ステージ温度 -10～+40度 ・試料サイズ 最大φ6インチ ・その他 SiO2エッチングレート：0.5um/min以上，終点検出機能装備 |
・微細加工（エッチング） ・SiC，SiN，SiO2や各種酸化膜の高速エッチング |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | シリコン深堀エッチング装置 | ・プラズマ励起方式 誘導結合型 ・電源出力 電源出力 ・プロセスガス SF6，C4F8，Ar，O2 ・試料ステージ温度 室温 ・試料サイズ 最大φ3インチ |
・微細加工（エッチング） ・MEMS等，シリコン深堀エッチング |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 化合物ドライエッチング装置（塩素系ガス ICP-RIE） | ・プラズマ励起方式 誘導結合型 ・電源出力 ICP出力：最大1kW／バイアス出力：最大300W ・プロセスガス Cl2，BCl3，Ar，O2，22 ・試料ステージ温度 200度以下 ・試料サイズ 最大φ3インチ |
・微細加工（エッチング） ・化合物半導体・金属薄膜のドライエッチング |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 多目的ドライエッチング装置（フッ素系ガスCCP-RIE） | ・プラズマ励起方式 平行平板型 ・電源出力 最大300W ・プロセスガス CHF3，CF4，SF6，Ar，O2，22 ・試料ステージ温度 室温 ・試料サイズ 最大φ8インチ |
・微細加工（エッチング） ・多種材料のドライエッチング |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | プラズマCVD装置 | ・プラズマ方式 平行平板型 ・電源出力 30-300W ・原料 TEOS ・成膜温度 400度以下 ・試料サイズ 最大φ8インチ |
・微細加工（成膜） ・高品質SiO2薄膜形成 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | ウエハＲＴＡ装置 | ・加熱方式 赤外線ランプ加熱方式 ・プロセス温度 1250度以下 ・昇温速度 150度／秒以下＠Siウエハ、40度／秒以下＠SiCサセプタ ・プロセスガス 22, Ar, Ar+H2(3%), O2 ・試料サイズ 最大φ6インチ |
・小片～φ6インチの急速アニール |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 高圧ジェットリフトオフ装置 | ・レジスト膨潤 80℃ NMP溶液 ・レジスト剥離 高圧ジェットNMP溶液 ・リンス IPA, 純水 ・乾燥 スピン乾燥、22ブロー ・試料サイズ 最大φ6インチ |
・微細加工（成膜） ・リフトオフ、レジスト剥離 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 125kV電子ビーム描画装置 | ・電子銃 ZrO/W熱電界放射型 ・最大加速電圧 125kV (25kVステップで可変) ・フィールドつなぎ精度 < 25nm (600umフィールド） ・重ね合わせ精度 < 30nm(600umフィールド） ・試料サイズ 最大φ6インチ |
・微細加工（リソグラフィ） ・高速高精細ナノパターニング |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 12連電子銃型蒸着装置 | ・蒸着方式 電子銃型×1式 ・到達真空度 1.0e-5 Pa ・TS間距離 500mm ・試料サイズ 最大φ6インチ ・その他 水冷式試料ステージ |
・微細加工（成膜） ・リフトオフ向け金属薄膜形成 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | ＵＶオゾンクリーナー | ・光源：紫外線ランプ（184.9nm＆253.7nm） ・ステージ温度：室温～300℃ ・試料サイズ：最大φ8インチ |
・基板洗浄 ・表面改質 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 全自動スパッタ装置 | ・スパッタ方式 DC/RFマグネトロンスパッタ，反応性／2元同時／逆スパッタ可能 ・電源出力 最大500W ・カソード φ4インチ×4式 ・プロセスガス Ar，O2，22 ・試料サイズ 最大φ6インチ：試料ステージ水冷／加熱可 （最大300度） |
・微細加工（成膜） ・金属・絶縁薄膜形成 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 高速マスクレス露光装置 | ・光源 405nm LED（h線） ・照度 1W/cm2 ・位置決め精度 ±100nm以下 ・重ね合わせ精度 ±100nm以下 ・試料サイズ 最大8インチ角 |
・微細加工（リソグラフィ） ・高速高精度マスクレスパターニング |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 薄膜応力測定装置 | ・測定方式：レーザースキャン方式(670nm&750nm半導体レーザー） ・測定範囲：1~4000MPa（1σ） ・試料サイズ：φ3インチ, φ6インチ, φ8インチ ・その他：3Dマッピング機能 |
・薄膜応力測定 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 自動エリプソメーター | ・光源：632nm He-Neレーザー ・ビーム径：0.8mm ・試料サイズ：最大φ6インチ |
・絶縁膜評価 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 触針式プロファイラ Stylus Profiler | ・分解能：1Å（6.5μmレンジ） ・走査距離：55mm ・触圧範囲：0.03-15mg ・試料サイズ：最大φ8インチ ・その他：自動ステージ、3Dマップ・粗さ・ストレス測定 |
触針による表面形状計測 ・段差測定、粗さ測定、3Dマッピング、ストレス測定 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 高解像度レーザーリソグラフィ装置 | ・光源：375nm 半導体レーザー (70mW) ・描画モード：ラスタースキャン描画、ベクターモード描画 ・解像モード：0.3μm, 0.6μm, 0.8μm, 1.0μm ・最大試料サイズ：8インチ角 ・その他：グレースケール描画、重ね合わせ描画 |
・サブミクロン以上の任意パターン形成 ・3次元パターン造形 |
| ナノテクノロジー融合ステーション （千現ファウンドリ）（NFP） | 高速広域走査型プローブ顕微鏡 | ・測定モード：形状測定、メカニカル測定、電気測定、磁気測定、等 ・走査範囲：90μm ・ステージ可動範囲：200mm角 ・試料サイズ：最大φ8インチ |
・ナノ構造の計測・評価 ・材料の観察・特性評価 ・ナノレベルの粗さ・段差測定 |