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装置詳細

4インチ高真空EB蒸着装置

機関 東京大学
施設名 武田先端知スーパークリーンルーム
メーカー 自作
型式 NSPII
用途 成膜・膜堆積
仕様(特徴・詳細) 型式番号:NSPII
東大拠点で独自設計・自作した蒸着装置で、いわゆる抵抗加熱蒸着と電子線(EB)加熱蒸着との両方がが可能です。
主な材料はAu,Cr,Alです。
利用方法 詳しくはこちらをご覧下さい
問合せ先 http://nanotechnet.t.u-tokyo.ac.jp/mailform/index.html
〒113-8656
東京都文京区弥生2-11-16
武田先端知ビル306号室(東京大学浅野キャンパス内)
TEL:03-5841-1506
備考
施設画像
検索キーワード 成膜、膜堆積、蒸着