装置詳細

単波長エリプソメータ

機関	産業技術総合研究所
施設名	ナノプロセシング施設
メーカー	(株)溝尻光学工業所
型式	DHA-SA2M
用途
仕様（特徴・詳細）	主に薄膜の膜厚や光学定数の測定に利用する装置です。サンプル表面に光を入射させ、その反射光の偏光状態を計測することにより膜厚や光学定数の算出を行います。代表的な利用方法はシリコンウエハ上に成膜したSiO2膜の膜厚測定で、非破壊・非接触で比較的簡便に膜厚(SiO2膜が透明で光吸収が無いと仮定した場合)を計測することが可能です。 ? 型式:DHA-XA2M ? 光源:He-Neレーザ(632.8nm)、LD830(830nm) ? ステージサイズ:4インチウエハ(直径100mm) ? 入射角度:55°~75°
利用方法	詳しくはこちらをご覧下さい
問合せ先	国立研究開発法人産業技術総合研究所 TIA推進センタープラットフォーム運営ユニット共用施設ステーション〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央第２電話：029-861-3210 FAX：029-861-3211 Eメール：tia-kyoyo-ml@aist.go.jp
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