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装置詳細

RF-DCスパッタ堆積装置(芝浦)

機関 産業技術総合研究所
施設名 ナノプロセシング施設
メーカー 芝浦エレテック
型式 CFS-4EP-LL
用途
仕様(特徴・詳細)
直流または高周波励起によりArプラズマを発生させ、ターゲット材へ衝突させることにより、
基板へ均質緻密な膜をスパッタします。カソードは3つあり、3種類までの材料を同一バッチで成膜することが出来ます。
ロードロック式なので基板交換を迅速に行えます。真空システムと基板搬送は自動化してあり、操作パネルで手軽に操作出来ます。
【NPF025】スパッタ成膜装置(芝浦)と同型ですが、排気ポンプ能力が大きく、短時間に高真空が実現できます。また操作が簡単な直流スパッタが利用できます。
基板加熱なし、常磁場カソードのみの装着です。
●型式:CFS-4EP-LL、i-Miller
●スパッタ源 : 3インチマグネトロン×3式
●スパッタ方式 : 直流スパッタ、高周波スパッタ
●基板テーブル : 回転機構付、逆スパッタ可能、Φ200 mm
●ターゲット-基板間距離 : 82 mm
●基板加熱 : なし
●膜厚分布 : ±5%以内@膜厚~600nm(SiO2、Φ170 mm)
●到達真空度 : 10-5 Pa台
●スパッタガス : Ar、O2、N2
●成膜時ガス圧(標準): 0.5Pa
●常備ターゲット : Au、Pt、Ti、Cr、Ta、W、Cu、Al、SiO2、TiN
利用方法 詳しくはこちらをご覧下さい
問合せ先 国立研究開発法人産業技術総合研究所
TIA推進センター プラットフォーム運営ユニット 共用施設ステーション
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央第2
電話:029-861-3210
FAX:029-861-3211
Eメール:tia-kyoyo-ml@aist.go.jp
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