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装置詳細

高速電子ビーム描画装置(エリオニクス)

機関 産業技術総合研究所
施設名 ナノプロセシング施設
メーカー Elionix
型式 ELS-F130AN
用途
仕様(特徴・詳細) 本装置は細く絞った電子ビームをレジストを塗布した基板に照射し、微細な加工(描画)を行うための装置です。加速電圧が130kVであるため非常に微細なパターン(5 nm)を描画することができます。クロック周波数が100 MHzであるため、高速描画が可能です。描画エリアは8インチサイズですが、12インチウエハーをセットすることが可能です。
〇型番:ELS-F130AN
〇電 子 銃 ZrO/W熱電界放射型
〇加 速 電 圧 130kV, 100kV, 50kV, 25kV
〇最小ビーム径 1.7nm (@ 130kV)
〇最小描画線幅 5nm (@ 130kV)
〇最大スキャンクロック 100MHz
〇ビーム電流強度 5pA~100nA
〇フィールドサイズ □100μm、□250μm、□500μm
□1000μm (100kV以下)
□1500μm(50kV以下)
□3000μm (25kV以下)
〇ビームポジション 1,000,000×1,000,000 (20bit DAC)
〇位置決め分解能 0.1nm
〇つなぎ精度 ±10nm
〇重ねあわせ精度 ±15nm
〇描画可能エリア 210mm×210mm
〇最大試料サイズ 12インチΦウェハー又は9インチ□マスク
利用方法 詳しくはこちらをご覧下さい
問合せ先 国立研究開発法人産業技術総合研究所
TIA推進センター プラットフォーム運営ユニット 共用施設ステーション
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央第2
電話:029-861-3210
FAX:029-861-3211
Eメール:tia-kyoyo-ml@aist.go.jp
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