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装置詳細

化合物半導体エッチング装置(ICP-RIE)

機関 産業技術総合研究所
施設名 ナノプロセシング施設
メーカー サムコ
型式 RIE-400iPS
用途
仕様(特徴・詳細) 放電形式に誘導結合(Inductively Coupled Plasma:ICP)方式を採用し、各種材料の超微細加工を高速で行うことを目的とした反応性イオンエッチング装置です。本装置は、独自のトルネード型コイル電極の採用により、均一な高密度プラズマを発生させることが可能です。主に化合物半導体および各種金属膜などの高精度の異方性エッチングが可能です。

●型式: RIE-400iPS
●放電方式: 誘導結合式プラズマ(ICP)
●試料サイズ: 4インチウェハまで対応
●試料導入方式: ロードロック式
●ICP高周波電源: 最大500W 、13.56MHz
●バイアス高周波電源: 最大300W、13.56MHz
●使用ガス: Cl2、BCl3、HBr、Ar、O2、CF4
利用方法 詳しくはこちらをご覧下さい
問合せ先 国立研究開発法人産業技術総合研究所
TIA推進センター プラットフォーム運営ユニット 共用施設ステーション
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央第2
電話:029-861-3210
FAX:029-861-3211
Eメール:tia-kyoyo-ml@aist.go.jp
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