- ホーム>
- 装置詳細
装置詳細
プラズマCVD薄膜堆積装置(SiN)
機関 | 産業技術総合研究所 |
---|---|
施設名 | ナノプロセシング施設 |
メーカー | サムコ |
型式 | PD-220NS |
用途 | |
仕様(特徴・詳細) | 本装置は液体ソースを用いたプラズマ化学気相成長装置であり、TEOS原料からSiO2を、SN-2原料(液体有機ケイ素化合物)からSi3N4を成膜することができます。RF電源はオートマッチングシステムで制御され、投入パワーは最大300[W]となっています。ステージ加熱機構は抵抗加熱方式となっており、最大350[℃]まで昇温が可能です。 型式 : PD-220NS 電極間隔 : 25mm (上部電極 : Al製、下部電極:SUS製) ステージ加熱機構 : 抵抗加熱方式 (MAX350[℃]) RF電源 : 13.56[MHz]水晶発振 (MAX300[W] ) 導入ガス : C2F6(MAX100sccm)、O2(MAX1000sccm)、TEOS(MAX20sccm)、He(MAX500sccm)、SN-2(MAX10sccm)、N2(MAX1000sccm) 噴出口 : 上部電極一体式シャワー状マニホールド 排気系 : ターボ分子ポンプ+ロータリーポンプ、メカニカルブースターポンプ+ドライポンプ オートプレッシャーコントローラー:コンダクタンス可変型 有効成膜範囲:φ220mm |
利用方法 | 詳しくはこちらをご覧下さい |
問合せ先 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 TIA推進センター プラットフォーム運営ユニット 共用施設ステーション 〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央第2 電話:029-861-3210 FAX:029-861-3211 Eメール:tia-kyoyo-ml@aist.go.jp |
備考 | |
施設画像 | |
検索キーワード |