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装置詳細
絶縁膜作製装置
機関 | 産業技術総合研究所 |
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施設名 | 超伝導量子回路試作施設 |
メーカー | 日本シード研究所 |
型式 | M98-0021 |
用途 | ウェハー上にSiO2膜をスパッタ成膜するために使用する。 |
仕様(特徴・詳細) | 交流高電圧によりArプラズマを発生させて成膜材料へ衝突させることにより、基板へSiO2膜を自動でスパッタします。基板を回転させることによりカバレッジと均一性を改善します。ロードロック室付きなので基板交換を効率よく迅速に行えます。基板搬送は手動操作です。 ・型式:M98-0021 ・装置形態:スパッタチャンバー x 1 + ロードロック室 ・スパッタ源:6inchRFマグネトロン x 1式 ・スパッタ電源:RF電源 最大出力1000W (800Wで使用中) バイススパッタ可能 ・基板サイズ:Φ3inchウェハ、Φ2inchウェハ ・基板加熱機構:なし ・基板冷却機構:あり ・逆スパッタで基板クリーニング可能。 ・ターゲット-基板間距離:40~80mm (ユーザー変更不可) ・到達真空度:1.4 x 10-7 Torr以下 ・使用ガス:Ar ・PCによる自動成膜(Webにより進捗状況を遠隔モニター可能、ただし遠隔操作は不可) ・成膜可能材料:SiO2 ・成膜時間:6nm/min 例)400nm成膜に試料の搬入出も含めて約2時間 |
利用方法 | 詳しくはこちらをご覧下さい |
問合せ先 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 TIA推進センター プラットフォーム運営ユニット 共用施設ステーション 〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央第2 電話:029-861-3210 FAX:029-861-3211 Eメール:tia-kyoyo-ml@aist.go.jp |
備考 | ・設置場所:2-12棟01133クリーンルーム内。 ・使用可能サンプル:清浄ベア基板または所定の洗浄プロセスにて処理された基板。 ・成膜可能な基板サイズ:標準で3、2inchウェハを用意、ユーザーがホルダを用意することにより任意のサイズに対応事例あり。 ・実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。 |
施設画像 | |
検索キーワード | SiO2成膜 |