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装置詳細

金属膜ドライエッチング装置

機関 産業技術総合研究所
施設名 MEMS研究開発拠点
メーカー
型式
用途 ドライプロセス装置
仕様(特徴・詳細) ウェハ寸法:8インチウェハ、機能:ハロゲン系ガスのICP高密度プラズマによる難加工金属膜のドライエッチング加工、ウェハの腐食防止アッシング加工、カセット・ツー・カセット搬送処理、エッチング終点判定機能
利用方法 詳しくはこちらをご覧下さい
問合せ先 国立研究開発法人産業技術総合研究所
TIA推進センター プラットフォーム運営ユニット 共用施設ステーション
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央第2
電話:029-861-3210
FAX:029-861-3211
Eメール:tia-kyoyo-ml@aist.go.jp
備考 単価表などは利用方法を見てください
施設画像
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