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装置詳細
ポリSi減圧CVD装置
機関 | 産業技術総合研究所 |
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施設名 | MEMS研究開発拠点 |
メーカー | |
型式 | |
用途 | ドライプロセス装置 |
仕様(特徴・詳細) | ウェハ寸法:8インチウェハ、機能:減圧CVDによるSiウェハへのリンドープ・ポリシリコン膜形成、25枚バッチのカセット・ツー・カセットウェハ搬送処理、縦型チューブ仕様 |
利用方法 | 詳しくはこちらをご覧下さい |
問合せ先 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 TIA推進センター プラットフォーム運営ユニット 共用施設ステーション 〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央第2 電話:029-861-3210 FAX:029-861-3211 Eメール:tia-kyoyo-ml@aist.go.jp |
備考 | 単価表などは利用方法を見てください |
施設画像 | |
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