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装置詳細

電子ビーム描画装置

機関 産業技術総合研究所
施設名 ナノプロセシング施設
メーカー クレステック
型式 CABL-9410TFNA
用途 パターン露光
仕様(特徴・詳細) 細く絞った電子線を基板表面に照射し、微細な加工(描画)を行うための装置です。
その分解能は電子線のビーム径に依存します。
電子線をスポット照射させる加工方法である為、加工時間は、微細かつ加工領域が大きくなるほど長くなります。
試料は最大6インチ基板まで扱えます。
電子線走査範囲は一辺が100 μm~1 mmの正方形で、描画方式により若干異なりますが、画素数を4000~60000ドットの範囲内から選択できます。
・型式:CABL-9410TFNA
・電子銃:熱電界放射型ZrO,Wエミッタ
・最小スポット直径:ガウス分布2 nmΦ(加速電圧50 kV)
・描画可能な最小線幅:10 nm(レジスト膜厚100 nmのとき)
・走査方式:ベクター走査、ラスター走査
・走査領域:最大1 mm□
・つなぎ合わせ描画領域:最大150 mm□
・つなぎ合わせ精度:50 nm以下
・重ね合わせ精度:50 nm以下
・試料寸法:最大6インチΦ×4.6 mm(高さ)

株式会社クレステックのCABLシリーズ解説ページ
http://www.crestec8.co.jp/japaneseF/prod/elec/
利用方法 詳しくはこちらをご覧下さい
問合せ先 国立研究開発法人産業技術総合研究所
TIA推進センター プラットフォーム運営ユニット 共用施設ステーション
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央第2
電話:029-861-3210
FAX:029-861-3211
Eメール:tia-kyoyo-ml@aist.go.jp
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