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装置詳細

多目的エッチング装置

機関 産業技術総合研究所
施設名 ナノプロセシング施設
メーカー サムコ
型式
用途 エッチング
仕様(特徴・詳細) 放電形式に誘導結合(Inductively Coupled Plasma:ICP)方式を採用し、各種材料の超微細加工を高速で行うことを目的とした研究開発用のロードロック式エッチング装置です。
本装置では、独自のトルネード型コイル電極の採用により、安定した高密度プラズマを効率よく発生させ、シリコンおよび各種金属薄膜、化合物半導体などの高精度の異方性エッチングが可能です。
・放電方式:誘導結合式プラズマ(ICP)
・試料サイズ:4インチウェハまで対応
・試料導入方式:ロードロック式
・試料温度制御:-25 ~ 200 ℃(熱媒温度)
・高周波出力:500 W , 13.56 MHz、オートマッチング方式
・ガス制御:最大8系統、バルブおよびマスフローコントローラーによる流量制御方式
利用方法 詳しくはこちらをご覧下さい
問合せ先 国立研究開発法人産業技術総合研究所
TIA推進センター プラットフォーム運営ユニット 共用施設ステーション
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央第2
電話:029-861-3210
FAX:029-861-3211
Eメール:tia-kyoyo-ml@aist.go.jp
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