1. ホーム>
  2. 装置詳細

装置詳細

反応性イオンエッチング装置 (RIE)

機関 産業技術総合研究所
施設名 ナノプロセシング施設
メーカー サムコ
型式 RIE-200L
用途 エッチング
仕様(特徴・詳細) この装置は、反応性ガス(SF6, CF4, O2)を高周波電界中で活性化し、これにより生じたラジカルイオンをエッチング用粒子として使用して材料表面を削るものです。
基板に高周波電圧を印加する方式により、加速されたイオンが基板に対して垂直方向に入射してエッチングを進めるのでパターンの微細化に有効です。
Φ8インチウェハーまで対応が可能です。
・型式:RIE-200L
・高周波電界:周波数13.56 MHz(水晶発振制御)、最大300 W
・電界制御:インピーダンスオートマッチング
・電極:セミ無遮蔽型電極、上部Al電極、下部SUS電極電極
・試料台寸法:寸法Φ240 mm, 電極間隔55 mm
・反応ガス:SF6, CF4, O2
・パージガス:窒素ガス

サムコ株式会社のRIE-200L解説ページ
http://www.samco.co.jp/products/list/03_etching/01_rie/rie-200lc.php
利用方法 詳しくはこちらをご覧下さい
問合せ先 国立研究開発法人産業技術総合研究所
TIA推進センター プラットフォーム運営ユニット 共用施設ステーション
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央第2
電話:029-861-3210
FAX:029-861-3211
Eメール:tia-kyoyo-ml@aist.go.jp
備考
施設画像
検索キーワード