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装置詳細

スパッタ成膜装置(芝浦)

機関 産業技術総合研究所
施設名 ナノプロセシング施設
メーカー 芝浦メカトロニクス
型式 CFS-4EP-LL
用途 成膜
仕様(特徴・詳細) 高周波励起によりArプラズマを発生させて成膜材料へ衝突させることにより、基板へ均質緻密な膜をスパッタします。
ロードロック室付なので基板交換を効率良く迅速に行えます。
3種までの材料を逐次多重成膜することが出来ます(手動)。
強磁場を発生させる特別な磁石を組み込んだカソードも1台組み込んであり、強磁性材料に対しても高レートの成膜を可能としています。
真空システムと基板搬送は自動化してあり、操作パネル上で手軽に操作出来ます。
・型式:CFS-4EP-LL
・スパッタ源:3インチマグネトロン×3式
・スパッタ電源:高周波自動調整 最大出力500 W
・ロードロック室付・基板テーブル:回転機構付、逆スパッタ
・加熱可、Φ200 mm
・ターゲット-基板間:85 mm
・加熱温度:最大300 ℃
・膜厚分布:±5%以内@膜厚2 ~3 k?、SiO2成膜時、Φ170 mm内
・到達真空度:2×10-4 Pa
・反応ガス:Ar, O2, N2
・成膜時ガス圧:0.2 ~1 Pa

芝浦メカトロニクスのスパッタ装置解説ページ
http://www.shibaura.co.jp/products/vacuum/v_01.html
利用方法 詳しくはこちらをご覧下さい
問合せ先 国立研究開発法人産業技術総合研究所
TIA推進センター プラットフォーム運営ユニット 共用施設ステーション
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央第2
電話:029-861-3210
FAX:029-861-3211
Eメール:tia-kyoyo-ml@aist.go.jp
備考
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検索キーワード 成膜 スパッタリング