1. ホーム>
  2. 装置詳細

装置詳細

ウェハー酸化炉

機関 産業技術総合研究所
施設名 ナノプロセシング施設
メーカー
型式 MAT-200KS
用途 加熱
仕様(特徴・詳細) この装置は、シリコンウエハー表面の酸化膜形成などの熱処理に用います。
横型の熱処理炉で、試料室内部はドライまたはウェットな酸素ガス雰囲気もしくは、不活性ガス(窒素)雰囲気に制御可能であり、熱処理温度は1200 ℃まで加熱することができます。
また、縦置きホルダーを利用すれば4インチウェハを一度に25枚まで熱処理することもできます。
尚、炉心管の汚染防止のため金属の着いた試料やSi以外の基板は使用禁止とします。
・型式:MAT-200KS
・ヒーター:カンタルRAC200、220 L×3ゾーン
・常用温度、到達時間:1100 ℃、2時間
・温度分布:1100 ℃±2 ℃(範囲長さ200 mm)
・炉心管:石英、Φ136 mm×長さ1090 mm
・試料寸法:最大Φ4 インチ × 25 枚(長さ150 mm)
・試料室:ドライ、ウェットな雰囲気制御可能
・使用ガス:O2、N2
利用方法 詳しくはこちらをご覧下さい
問合せ先 国立研究開発法人産業技術総合研究所
TIA推進センター プラットフォーム運営ユニット 共用施設ステーション
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央第2
電話:029-861-3210
FAX:029-861-3211
Eメール:tia-kyoyo-ml@aist.go.jp
備考
施設画像
検索キーワード 電気炉 酸化