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装置詳細

分光エリプソメータ

機関 産業技術総合研究所
施設名 ナノプロセシング施設
メーカー ホリバ・ジョバンイボン
型式 UVISEL, M200-FUV-FGMS-HNSTSS
用途 計測
仕様(特徴・詳細) この装置は、半導体やガラス基板上に成膜した薄膜の膜厚及び組成の同時測定、多層膜の膜厚測定を目的とした装置です。
TFT多層膜、Low-k、High-k材料、低温P-Siなどの評価も可能です。
測定試料上に白色光源(Xeランプ)の照射を行い、各波長(190~830 nm)における反射光の偏光状態を計測し、その情報から位相差、反射振幅比角を計算します。
これらは光の波長・膜厚・物質の光学定数(屈折率、消衰係数)により異なった値を示します。
この演算結果と予想される膜構造、組成の理論モデルを対比させ、測定対象膜の膜厚、組成の算出を行います。
・型式:UVISEL, M200-FUV-FGMS-HNSTSS
・最大サンプルサイズ:SEMI規格、150 mm径
・サンプルステージ高さ調整:20 mm
・ストローク測定性能:膜厚、屈折率測定再現性 1 %以内(3σ標準偏差、標準サンプルを使用)
・目盛精度:保証範囲 ±1.0 %以内(約100 nmのNIST又はVLSIを使用)
・入射角度 75 ±0.5°
・ビームサイズビーム成形用のピンホール径:Φ1.0 mm (Φ100 μm, Φ50 μm)
・使用波長範囲:190~830 nm

原理(ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修)
http://www.tsc-web.jp/map/pdf/EM_SE.pdf

株式会社堀場製作所の分光エリプソメータ解説ページ
http://www.horiba.com/jp/semiconductor/products/product-lines/thin-film-analyzer/details/uvisel-spectroscopic-ellipsometer-from-vuv-to-nir-640/
利用方法 詳しくはこちらをご覧下さい
問合せ先 国立研究開発法人産業技術総合研究所
TIA推進センター プラットフォーム運営ユニット 共用施設ステーション
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央第2
電話:029-861-3210
FAX:029-861-3211
Eメール:tia-kyoyo-ml@aist.go.jp
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