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装置詳細

プラズマCVD装置

機関 産業技術総合研究所
施設名 ナノプロセシング施設
メーカー サムコ
型式
用途 成膜
仕様(特徴・詳細) 本装置は液体ソースを用いたプラズマ化学気相成長装置であり、テトラエトキシシラン(TEOS)を原料として酸化シリコン膜を成膜することができます。



RF電源はオートマッチングシステムで制御され、投入パワーは最大300 Wとなっています。

ステージ加熱機構は抵抗加熱方式となっており、最大400 ℃まで昇温が可能です。



・電極間隔: 25 mm(上部電極:Al製、下部電極:SUS製)
・ステージ加熱機構:抵抗加熱方式(MAX400 ℃)
・RF電源: 13.56 MHz水晶発振(MAX300 W ソリッドステート方式)
・導入ガス: C2F6 (MAX100 sccm),O2 (MAX1000 sccm),TEOS (MAX30 sccm)
・ガス噴出口:上部電極一体式シャワー状マニホールド
・排気系: ロータリーポンプ+メカニカルブースターポンプ
・オートプレッシャーコントローラー: コンダクタンス可変型
・有効成膜範囲: φ220 mm
利用方法 詳しくはこちらをご覧下さい
問合せ先 国立研究開発法人産業技術総合研究所
TIA推進センター プラットフォーム運営ユニット 共用施設ステーション
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央第2
電話:029-861-3210
FAX:029-861-3211
Eメール:tia-kyoyo-ml@aist.go.jp
備考
施設画像
検索キーワード 成膜 CVD 化学的気相成長