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装置詳細
プラズマCVD装置
| 機関 | 産業技術総合研究所 |
|---|---|
| 施設名 | ナノプロセシング施設 |
| メーカー | サムコ |
| 型式 | |
| 用途 | 成膜 |
| 仕様（特徴・詳細） | 本装置は液体ソースを用いたプラズマ化学気相成長装置であり、テトラエトキシシラン(TEOS)を原料として酸化シリコン膜を成膜することができます。 RF電源はオートマッチングシステムで制御され、投入パワーは最大300 Wとなっています。 ステージ加熱機構は抵抗加熱方式となっており、最大400 ℃まで昇温が可能です。 ・電極間隔: 25 mm(上部電極:Al製、下部電極:SUS製) ・ステージ加熱機構:抵抗加熱方式(MAX400 ℃) ・RF電源: 13.56 MHz水晶発振(MAX300 W ソリッドステート方式) ・導入ガス: C2F6 (MAX100 sccm),O2 (MAX1000 sccm),TEOS (MAX30 sccm) ・ガス噴出口:上部電極一体式シャワー状マニホールド ・排気系: ロータリーポンプ+メカニカルブースターポンプ ・オートプレッシャーコントローラー: コンダクタンス可変型 ・有効成膜範囲: φ220 mm |
| 利用方法 | 詳しくはこちらをご覧下さい |
| 問合せ先 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 TIA推進センター プラットフォーム運営ユニット 共用施設ステーション 〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央第２ 電話：029-861-3210 FAX：029-861-3211 Eメール：tia-kyoyo-ml@aist.go.jp |
| 備考 | |
| 施設画像 |  |
| 検索キーワード | 成膜 CVD 化学的気相成長 |