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装置詳細

デバイスパラメータ評価装置

機関 産業技術総合研究所
施設名 ナノプロセシング施設
メーカー Agilent Technologies
型式 4156C(半導体パラメータアナライザー)
用途 計測
仕様(特徴・詳細) この装置は、プローバーシステムと半導体パラメータアナライザーから構成されています。
ダイオードやFETなど様々なデバイスの電気伝導特性の測定と解析を行うことができます。
・型式:4156C(半導体パラメータアナライザー)
・最小電流レンジと測定分解能:±10 pAレンジ(電圧 0~±100 V)、1 fA
・最大電流レンジと測定分解能:±100 mAレンジ(電圧 0~±20 V)、100 nA
・最小電圧レンジと測定分解能:±2 Vレンジ(電流 0~±100 mA)、2 μV
・最大電圧レンジと測定分解能:±100 V、レンジ(電流 0~±20 mA)、100 μV

Agilent Technologiesの半導体パラメータアナライザー解説ページ
http://www.home.agilent.com/agilent/techSupport.jspx?pid=153517&pageMode=MN&lc=jpn&cc=JP
利用方法 詳しくはこちらをご覧下さい
問合せ先 国立研究開発法人産業技術総合研究所
TIA推進センター プラットフォーム運営ユニット 共用施設ステーション
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央第2
電話:029-861-3210
FAX:029-861-3211
Eメール:tia-kyoyo-ml@aist.go.jp
備考
施設画像
検索キーワード 半パラ 半導体 FET ダイオード