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装置詳細
低真空走査電子顕微鏡
| 機関 | 産業技術総合研究所 |
|---|---|
| 施設名 | ナノプロセシング施設 |
| メーカー | 日立ハイテク |
| 型式 | S-3500N |
| 用途 | 観察 |
| 仕様（特徴・詳細） | 低真空モードにおいて、熱電子線源から生じた電子線を試料に照射し、試料表面から反射した電子線を画像データとして読み込み、表面形状を観察します。このモードでの真空度は1 ～ 270 Paで、分解能は5.0 nmです。高真空モードにおいては試料表面から発生した2次電子の発生量を輝度の信号に変換することでその表面形状を観察します。到達真空度は0.0015 Paで、分解能は3 nmです。 ●型式:S-3500N ●電子銃:熱電子放出型Wヘアピンフィラメント ●加速電圧:0.3 ～ 30 kV ●分解能:高真空二次電子像:3.0 nm ●低真空反射電子像:5 nm ●試料サイズ:15 ～ 150 mmφ ●低真空モードでの真空度設定:1 ～ 270 Pa ●試料ステージ:五軸モーター駆動 ●可動範囲:100 mm × 50 mm 原理（ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修） http://www.tsc-web.jp/map/pdf/SEM.pdf |
| 利用方法 | 詳しくはこちらをご覧下さい |
| 問合せ先 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 TIA推進センター プラットフォーム運営ユニット 共用施設ステーション 〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央第２ 電話：029-861-3210 FAX：029-861-3211 Eメール：tia-kyoyo-ml@aist.go.jp |
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