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装置詳細
二次イオン質量分析装置(D-SIMS)
機関 | 産業技術総合研究所 |
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施設名 | ナノプロセシング施設 |
メーカー | アルバック・ファイ |
型式 | ADEPT-1010 |
用途 | 計測 |
仕様(特徴・詳細) | 試料にイオンを照射し、試料表面からスパッタリング放出される二次イオンを質量分析することによって深さ方向の元素分布情報を得る分析手法です。 固体表面の検出感度が高く、1H~92Uまでの全元素および同位体に対してppm~ppbの範囲で定量が可能です。 ・型式:ADEPT-1010 ・一次イオン:O2:加速電圧 0.25 ? 8.0 kVCs:加速電圧 0.25 ? 11.0 kV ・ビーム径:φ75 μm以下 ・導入可能最大試料サイズ:φ50 mm ・二次イオン質量分析計:四重極型 ・分析モード:質量スペクトル測定、ライン分析、デプスプロファイル、二次イオンイメージ像 原理(ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修) http://www.tsc-web.jp/map/pdf/SIMS.pdf |
利用方法 | 詳しくはこちらをご覧下さい |
問合せ先 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 TIA推進センター プラットフォーム運営ユニット 共用施設ステーション 〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央第2 電話:029-861-3210 FAX:029-861-3211 Eメール:tia-kyoyo-ml@aist.go.jp |
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