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装置詳細

ナノプローバ(N-6000SS)

機関 産業技術総合研究所
施設名 ナノプロセシング施設
メーカー 株式会社日立ハイテクノロジーズ
型式 N-6000SS
用途 成膜
仕様(特徴・詳細) ・プローブユニット
ユニット数:6本(探針数)
微動範囲:5um(X,Y軸)
粗動範囲:5mm(X,Y軸)
駆動方式:ピエゾ素子使用
・試料ステージ
試料サイズ:15mm×15mm、厚さ1mm以下
可動範囲:15mm×15mm以上
加熱・冷却機能付(ステージ温度:-40~150℃)
・電子光学系
電子銃:冷陰極電界放出型電子顕微鏡
加速電圧:0.5~5kV (※EBACモード:最大30kV)
イメージシフト:±30um以上(1kV、WD=5mm)
・デバイスアナライザ
型式:B1500(Agilent製)
モジュール:B1520A MFCMU [1KHz~5MHz CV機能]
B1517A HRSMU [100mA/42V 電流/電圧出力、1fA/0.5uV電流/電圧測定分解能]
・付加機能
EBAC(Electron Beam Absorbed Current)

半導体デバイスの配線・電極やナノカーボン材料他の新材料に直接プローブを接触させ、それらの電気特性を評価するプローバです。
冷陰極電界放出型走査電子顕微鏡(FE-SEM)搭載のため、高倍率観察下でのプロービングが可能です。
またプローブユニットは6本対応となっており、様々な測定ニーズに合わせて使用出ます。
利用方法 詳しくはこちらをご覧下さい
問合せ先 国立研究開発法人産業技術総合研究所
TIA推進センター プラットフォーム運営ユニット 共用施設ステーション
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央第2
電話:029-861-3210
FAX:029-861-3211
Eメール:tia-kyoyo-ml@aist.go.jp
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