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装置詳細

ECRスパッタ成膜・ミリング装置

機関 産業技術総合研究所
施設名 ナノプロセシング施設
メーカー 株式会社エリオニクス
型式 EIS-200ERP
用途 難エッチング材料の成膜およびエッチング
仕様(特徴・詳細) ECRイオンソースで発生させたArイオンビームで、スパッタ成膜とイオンエッチングを行うことを目的とした装置です。同一試料に対して成膜とエッチングを途中で真空を破らずに連続して行えることを特徴としています。
代表的な応用例としては、数十~数百nm幅の微細パターンをマスクにして、本装置で難エッチング材料の成膜と、パターン側面に付着した薄膜のエッチングによる除去を行い、続いてリフトオフを行うことで微細パターンを作製することが可能です。さらに、成膜とエッチングを繰り返し行うことで、高アスペクト比の微細構造を作製することも可能です。
●型式:EIS-200ERP
●イオンソース:ECR方式
●ガス種:Ar (最大流量5sccm)
●圧力:0.01 Pa
●加速電圧:30~3000 V
●マイクロ波:最大100 W
●試料ステージサイズ:Φ75 mm
●材料ターゲットサイズ:Φ100 mm
利用方法 詳しくはこちらをご覧下さい
問合せ先 国立研究開発法人産業技術総合研究所
TIA推進センター プラットフォーム運営ユニット 共用施設ステーション
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央第2
電話:029-861-3210
FAX:029-861-3211
Eメール:tia-kyoyo-ml@aist.go.jp
備考
施設画像
検索キーワード スパッタ成膜、イオンエッチング