1. ホーム>
  2. 装置詳細

装置詳細

原子層堆積装置[AD-100LP]

機関 産業技術総合研究所
施設名 ナノプロセシング施設
メーカー サムコ株式会社
型式 AD100-LP
用途 誘電体薄膜の成膜
仕様(特徴・詳細) 放電形式に誘導結合(Inductively Coupled Plasma:ICP)方式を採用した原子層堆積装置です。本装置は、リモートプラズマもしくはダイレクトプラズマの選択が可能となっており状況に合わせて選択できます。プリカーサは、TMA,BDEAS,H2Oを用意しており、AlもしくはSiの酸化物もしくは窒化物の成膜が可能です。
●型式: AD100-LP (サムコ株式会社)
●ステージ温度:50 ~ 500℃
●放電方式: 誘導結合式プラズマ(ICP) 
●試料サイズ: 4インチウェハまで対応(2インチは3枚まで可能)
●試料導入方式: ロードロック式
●ICP高周波電源: 最大300W、13.56MHz
●キャリアガス:N2
●使用ガス: O2、N2、NH3、H2、Ar
利用方法 詳しくはこちらをご覧下さい
問合せ先 国立研究開発法人産業技術総合研究所
TIA推進センター プラットフォーム運営ユニット 共用施設ステーション
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央第2
電話:029-861-3210
FAX:029-861-3211
Eメール:tia-kyoyo-ml@aist.go.jp
備考
施設画像
検索キーワード ALD 原子層堆積装置