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分類【成膜】 装置一覧(121件)
施設名 | 装置名称/手法 | 仕様 | 用途 |
---|---|---|---|
超伝導量子回路試作施設(Qufab) | NbNジョセフソン素子作製装置 | 交流高電圧によりN2(またはAr)プラズマを発生させて成膜材料へ衝突させることにより、基板へNbN(またはNb)の超伝導薄膜をスパッタします。 TiN(またはTi)の常伝導膜との組み合わせでSNS型のジョセフソン接合を作製できます。 PCにより自動で逐次多層成膜することができます。 真空システムと基板搬送は手動操作です。 ・型式:EVP-30751 ・装置形態:スパッタチャンバー x 1 + ロードロック室 ・スパッタ源:6 inchRFマグネトロン x 3式 ・スパッタ電源:RF電源 最大出力600 W ・基板サイズ:Φ3 inchウェハ、Φ2 inchウェハ ・基板加熱機構:故障中(修理予定なし) ・基板冷却機構:なし ・イオンビームで基板クリーニング可能。 ・ターゲット-基板間距離:40 ~ 80 mm (ユーザー変更不可) ・到達真空度:1.4 x 10-4 Pa以下 ・使用ガス:Ar、N2 ・PCによる自動成膜(Webによる遠隔モニタ機能有) ・成膜可能材料:NbN、Nb、Ti、TiN、Al (Alは暫定のため予告なく変更の可能性あり) ・成膜時間:NbN 76 nm/min 例)SNSジョセフソン接合の積層膜に2時間 |
ウェハー上にNb,Ti,Alとその窒化膜をスパッタ成膜するために使用する |
超伝導量子回路試作施設(Qufab) | ウェハー洗浄装置 | 本装置は、希フッ酸によるSiの自然酸化膜のエッチングとオゾン水によるSi酸化プロセスの繰り返しにより、Siウェハー表面・裏面を同時に洗浄する、スピンタイプのウェハー洗浄装置です。回転保持機構部にフィンタイプチャックを採用、通常のウエハーのほか、反りのある薄物ウエハーに対しても安定した回転能力を保持。更にハンギング方式でのハンドリングにより高い安定性を実現しています。またロボットアーム、ウェハーキャリアー設置部の段取り替えにより複数のウェハーサイズに対応しています。洗浄中のウエハー裏面への処理液の回り込みが極めて少なく、裏面へのリンス処理も可能です。 ・対応可能ウェハーサイズ:3,4inch(排他使用)。 ・洗浄能力:洗浄後の4inchのSiウェハー上の0.1μmの粒子の数が<10個 ・使用溶液:DHF(0.5-20wt%)、オゾン水(20ppm)。 ・超純水ノズル種類:2流体ノズル、メガソニック。 ・乾燥:窒素ブロー。 |
ウェハ表面を洗浄し清浄表面を得るために使用する。 |
超伝導量子回路試作施設(Qufab) | マルチターゲット(六源)スパッタ装置 | ・最大基板サイズ:4inchウェハ。 ・成膜チャンバーとサンプル搬入用ロードロックの2チャンバー構成。 ・スパッタ方式:DC、RF可能。 ・成膜時の圧力コントロール精度:0.2mTorr以下。 ・成膜可能材料:Nb,Al,SiO2,Ti,W,Au。 ・基板洗浄用逆スパッタ可能。 ・基板洗浄時のバイアス電圧モニタリング可能。 ・分子状酸素による酸化プロセス実行可能。 ・レシピによる全自動成膜が可能。 ・ジョセフソン接合、超伝導転移端検出器、超伝導量子細線検出器作製用の各種材料の成膜に使用している。 ・レシピにより各種材料を用いた多層膜の成膜可能。 |
ウェハー上に各種超伝導・金属膜及びSiO2膜をスパッタ成膜するために使用する。 |
超伝導量子回路試作施設(Qufab) | ダイシング装置 | 型式:ディスコ DAD320 目的:ウエハー切断 方式:極薄回転砥石 材料:シリコンウエハー ウエハサイズ:6”φ以下(厚さ0.8mm以下) 典型的プロセス時間:約20分(3”φシリコンウエハー1枚) 特徴:ウエハーはステージ上に真空吸着で固定 |
ウェハーを小片にカットして分けるために使用する。 |
超伝導量子回路試作施設(Qufab) | 反応性イオンエッチング装置Samco-III | この装置は反応性ガス(CF4,SF6,O2)を高周波電界中で活性化し、これにより生じたラジカル●イオンをエッチャントとして利用して材料表面を削るものです。基板に高周波電圧を印加する方式により、加速されたイオンが基板に対して垂直方向に入射してエッチングを進めるのでパターンの微細化に有効です。 ・型式:RIE-10NR ・最大基板サイズ:Φ8inchウェハ ・放電方式:容量結合方式(CCP) ・高周波電界:周波数13.56MHz(水晶発振制御)、最大300W ・電界制御:インピーダンスオートマッチング ・反応ガス:CF4,SF6,O2 ・パージガス:N2 ・基板冷却:水冷 ・エッチング可能材料:Nb,Ta,W,NbN等 |
反応性イオンエッチングにより、ウェハー上に成膜されたSiO2若しくはNb等の超伝導膜にレジストパターンを転写するために使用する。 |
超伝導量子回路試作施設(Qufab) | TEOS-CVD装置 | PD-270STL-AI 液体ソースTEOS を原料としてSiO2 膜を基板上に形成するプラズマCVD 装置。低温(80度)での成膜も可能。内部応力を膜組成を換えることで、制御可能。屈折率を各種元素をドープする事により変更可能。高アスペクト比(50)構造への成膜も可能。 ・成膜可能な基板サイズ:8インチ ・ウェハー間膜厚均一性:±3%以下 ・基板加熱温度:60~200度 ・RF周波数:13.56MHz ・RF出力:1kW ・ガス導入系:マスフローコントローラー 4系統 ・ガス供給方式:恒温槽による気化ガス直接流量制御方式 ・成膜可能膜厚:10μm以上 ・成膜速度:最大100nm/min以上 ・膜応力:-300-200 MPa ・手動/自動運転モード切替可能 ・登録可能レシピ数:100。 |
ウェハー上に液体ソースを用いたCVDによりSiO2膜を形成するために使用する。 |
超伝導量子回路試作施設(Qufab) | Nb-Alジョセフソン接合作製装置[In-situ分析器&オゾン酸化器付] | 直流高電圧によりArプラズマを発生させて成膜材料へ衝突させることにより、基板へ均質緻密な膜をスパッタします。ロードロック室付きなので基板交換を効率よく迅速に行えます。2種類の材料を逐次多層成膜することができます(全自動)。真空システムと基板搬送を含め全自動動作が可能です。 ・型式:M93-0012 ・装置形態:スパッタチャンバー x 2 + 酸化室+ロードロック室 ・スパッタ源:6inchDCマグネトロン x 2式(各スパッタ室に1つ) ・スパッタ電源:DC電源 最大出力1.5kW(各スパッタ源と排他的に接続) ・電力コントロール:アーキング防止機能付き ・RF電源:最大出力500W ・最大基板サイズ:Φ4inchウェハ ・基板保持機構:水冷 ・1つの成膜チャンバー内で逆スパッタ可能。 ・ターゲット-基板間距離:50~200mm ・膜厚分布:±5%以内@100~200nm, Nb成膜時@Φ2inch内 ・到達真空度:5 x 10-6 Pa以下 ・成膜時Ar圧力:0.113~2Pa, コントロール精度:0.013Pa以下 ・使用ガス:Ar, O2,O3 ・レシピによる全自動成膜可能。(外部PC制御可能) ・成膜可能材料:Nb,Al ・各チャンバーに分圧真空計付き。 ・O3を使った表面酸化が可能。 |
ウェハー上に超伝導Nb,Al.Al酸化膜からなる多層膜をスパッタ成膜するために使用する。 |
超伝導量子回路試作施設(Qufab) | ICP型反応性イオンエッチング装置 | 有磁場ICP(Inductively Coupled Plasma)型高密度プラズマエッチング装置。 低パワーでも安定・均一なプラズマが得られ、ダメージの少ないエッチングが可能。 プラズマ密度と基板への入射エネルギーを独立に制御可能。 ロードロック付き。ウェハは自動搬送。枚葉式処理。 タッチパネル制御。エッチングレシピ登録可能。エッチングログ保存機能。 ・型式:ULVAC CE-300I ・装置形態:エッチング室 x 1 + ロードロック室 ・電源:最大出力1000 W(アンテナ部)、300 W(バイアス部) ・最大基板サイズ:Φ3 inchウェハ ・チップ状試料の場合はトレイ処理が可能 ・基板保持機構:静電チャックおよびHeガス冷却機構 ・電極水冷用チラー ・エッチングガス圧: 0.07 ? 13.3 Pa ・到達真空度:5 x 10-4 Pa以下 ・TMPおよびドライポンプで排気 ・使用ガス:SF6、CF4、C4F8、O2 ・エッチング終点検出可能。 ・主にエッチングしている材料:Mo、TiN、NbN、Si ・Moのエッチングレート: 30 nm/min |
反応性イオンエッチングにより、ウェハー上に成膜されたSiO2若しくはNb等の超伝導膜にレジストパターンを転写するために使用する |
超伝導量子回路試作施設(Qufab) | アッシング装置 | 本装置は、一般的なドライエッチング装置であるが、主な使用目的はO2プラズマによるフォトレジスト残渣除去である。 方式:酸素プラズマ 試料:シリコンウエハー 試料サイズ:175mm×200mm以下 典型的プロセス時間:約15分(5分程度のプラズマ処理の場合) 特徴:平行平板電極型(ダイレクトプラズマモード、RIEモード選択可能) |
エッチング等によりダメージを受けたレジストの剥離及びウェハー上に残留した有機物等の除去に使用する。 |
超伝導量子回路試作施設(Qufab) | ICP型反応性イオンエッチング装置 | 有磁場ICP(Inductively Coupled Plasma)型高密度プラズマエッチング装置。 低パワーでも安定・均一なプラズマが得られ、ダメージの少ないエッチングが可能。 プラズマ密度と基板への入射エネルギーを独立に制御可能。 ロードロック付き。ウェハは自動搬送。枚葉式処理。 タッチパネル制御。エッチングレシピ登録可能。エッチングログ保存機能。 ・型式:ULVAC CE-300I ・装置形態:エッチング室 x 1 + ロードロック室 ・電源:最大出力1000 W(アンテナ部)、300 W(バイアス部) ・最大基板サイズ:Φ3 inchウェハ ・チップ状試料の場合はトレイ処理が可能 ・基板保持機構:静電チャックおよびHeガス冷却機構 ・電極水冷用チラー ・エッチングガス圧: 0.07 ? 13.3 Pa ・到達真空度:5 x 10-4 Pa以下 ・TMPおよびドライポンプで排気 ・使用ガス:SF6、CF4、C4F8、O2 ・エッチング終点検出可能。 ・主にエッチングしている材料:Mo、TiN、NbN、Si ・Moのエッチングレート: 30 nm/min |
反応性イオンエッチングにより、ウェハー上に成膜されたSiO2若しくはNb等の超伝導膜にレジストパターンを転写するために使用する。 |
超伝導量子回路試作施設(Qufab) | 反応性イオンエッチング装置Samco-II | 本装置は、プラズマリアクティブイオンエッチング法により高密度エッチングが可能です。主にSiO2膜のエッチングを目的としています。ロードロック室を装備しているため再現性よくエッチングが出来ます。操作はレシピを作成、登録しタッチパネルによる全自動運転です。 ・型式:SAMCO RIE200L ・主なエッチング材料:SiO2 ・ウエハサイズ:3inchウエハ ・使用ガス:CHF3,O2 ・エッチングレート:SiO2=18nm/min ・面内均一性:5%以下 ・反応室到達真空度:4×10-5Pa ・基板冷却機構:水冷 ・ウエハトレー:カーボン ・エッチング終点検出:なし |
反応性イオンエッチングにより、ウェハー上に成膜されたSiO2若しくはNb等の超伝導膜にレジストパターンを転写するために使用する。 |
超伝導量子回路試作施設(Qufab) | 反応性イオンエッチング装置Samco-I | 本装置は、プラズマリアクティブイオンエッチング法により高密度エッチングが可能です。主にSiO2膜のエッチングを目的としています。ロードロック室を装備しているため再現性よくエッチングが出来ます。操作はレシピを作成、登録しタッチパネルによる全自動運転です。 ・型式:SAMCO RIE200L ・主なエッチング材料:SiO2 ・ウエハサイズ:3inchウエハ ・使用ガス:CF4,CHF3,O2 ・エッチングレート:SiO2=18nm/min ・面内均一性:5%以下 ・反応室到達真空度:4×10-5Pa ・基板冷却機構:水冷 ・ウエハトレー:石英 ・エッチング終点検出:なし |
反応性イオンエッチングにより、ウェハー上に成膜されたSiO2若しくはNb等の超伝導膜にレジストパターンを転写するために使用する。 |
超伝導量子回路試作施設(Qufab) | Nb/Alジョセフソン接合作製装置[標準型] | 本装置は、ロードロック室、酸化室、ALスパッタ室、Nbスパッタ室の4チャンバーで構成され、真空状態でウエハを搬送させ多層膜を形成するこが可能です。酸化室ではRF逆スパッタにより必要に応じてウエハ表面のクリーニングも出来ます。チャンバー間の移動は自動操作可能です。 ・スパッタ方式:DCスパッタ ・スパッタレート:Nb=78nm/min AL=15nm/min ・ウエハ冷却(酸化室):22℃ ・酸化ガス:Ar・O2 ・到達真空度:5×10-8Torr ・最大基板サイズ:Φ3inchウェハ ・基板保持機構:水冷 ・ターゲット-基板間距離:50~200mm ・膜厚分布:±5% ・使用ガス:Ar, Ar/O2 ・成膜時間制御用タイマー付き。 ・成膜可能材料:Nb,Al |
ウェハー上に超伝導Nb,Al.Al酸化膜からなる多層膜をスパッタ成膜するために使用する。 |
超伝導量子回路試作施設(Qufab) | 絶縁膜作製装置 | 交流高電圧によりArプラズマを発生させて成膜材料へ衝突させることにより、基板へSiO2膜を自動でスパッタします。基板を回転させることによりカバレッジと均一性を改善します。ロードロック室付きなので基板交換を効率よく迅速に行えます。基板搬送は手動操作です。 ・型式:M98-0021 ・装置形態:スパッタチャンバー x 1 + ロードロック室 ・スパッタ源:6inchRFマグネトロン x 1式 ・スパッタ電源:RF電源 最大出力1000W (800Wで使用中) バイススパッタ可能 ・基板サイズ:Φ3inchウェハ、Φ2inchウェハ ・基板加熱機構:なし ・基板冷却機構:あり ・逆スパッタで基板クリーニング可能。 ・ターゲット-基板間距離:40~80mm (ユーザー変更不可) ・到達真空度:1.4 x 10-7 Torr以下 ・使用ガス:Ar ・PCによる自動成膜(Webにより進捗状況を遠隔モニター可能、ただし遠隔操作は不可) ・成膜可能材料:SiO2 ・成膜時間:6nm/min 例)400nm成膜に試料の搬入出も含めて約2時間 |
ウェハー上にSiO2膜をスパッタ成膜するために使用する。 |
ナノプロセシング施設(NPF) | ECRスパッタ成膜・ミリング装置 | ECRイオンソースで発生させたArイオンビームで、スパッタ成膜とイオンエッチングを行うことを目的とした装置です。同一試料に対して成膜とエッチングを途中で真空を破らずに連続して行えることを特徴としています。 代表的な応用例としては、数十~数百nm幅の微細パターンをマスクにして、本装置で難エッチング材料の成膜と、パターン側面に付着した薄膜のエッチングによる除去を行い、続いてリフトオフを行うことで微細パターンを作製することが可能です。さらに、成膜とエッチングを繰り返し行うことで、高アスペクト比の微細構造を作製することも可能です。 ●型式:EIS-200ERP ●イオンソース:ECR方式 ●ガス種:Ar (最大流量5sccm) ●圧力:0.01 Pa ●加速電圧:30~3000 V ●マイクロ波:最大100 W ●試料ステージサイズ:Φ75 mm ●材料ターゲットサイズ:Φ100 mm |
難エッチング材料の成膜およびエッチング |
ナノプロセシング施設(NPF) | 原子層堆積装置[AD-100LP] | 放電形式に誘導結合(Inductively Coupled Plasma:ICP)方式を採用した原子層堆積装置です。本装置は、リモートプラズマもしくはダイレクトプラズマの選択が可能となっており状況に合わせて選択できます。プリカーサは、TMA,BDEAS,H2Oを用意しており、AlもしくはSiの酸化物もしくは窒化物の成膜が可能です。 ●型式: AD100-LP (サムコ株式会社) ●ステージ温度:50 ~ 500℃ ●放電方式: 誘導結合式プラズマ(ICP) ●試料サイズ: 4インチウェハまで対応(2インチは3枚まで可能) ●試料導入方式: ロードロック式 ●ICP高周波電源: 最大300W、13.56MHz ●キャリアガス:N2 ●使用ガス: O2、N2、NH3、H2、Ar |
誘電体薄膜の成膜 |
ナノプロセシング施設(NPF) | 二次イオン質量分析装置(D-SIMS) | 試料にイオンを照射し、試料表面からスパッタリング放出される二次イオンを質量分析することによって深さ方向の元素分布情報を得る分析手法です。 固体表面の検出感度が高く、1H~92Uまでの全元素および同位体に対してppm~ppbの範囲で定量が可能です。 ・型式:ADEPT-1010 ・一次イオン:O2:加速電圧 0.25 ? 8.0 kVCs:加速電圧 0.25 ? 11.0 kV ・ビーム径:φ75 μm以下 ・導入可能最大試料サイズ:φ50 mm ・二次イオン質量分析計:四重極型 ・分析モード:質量スペクトル測定、ライン分析、デプスプロファイル、二次イオンイメージ像 原理(ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修) http://www.tsc-web.jp/map/pdf/SIMS.pdf |
計測 |
ナノプロセシング施設(NPF) | 抵抗加熱型真空蒸着装置 | ボート等の抵抗体に金属や化合物などの成膜材料を入れ、電流を流して加熱、蒸発させることにより、材料を基板上に成膜します。3種類の材料をセット可能なので多層膜の作成も可能です。全て手動操作であり、また成膜室が小さいので基板やソースをセットしてから蒸着するまでの真空引きのための待機時間が短く、手軽に成膜出来ます。高沸点材料や熱伝導率の高い材料では、ソースからの輻射熱が多くなり、条件によっては100 ℃を超えるため、非耐熱性基板では注意を要します。 ●蒸着方式:抵抗加熱蒸発 ●蒸発源:3ポート ●加熱抵抗体:平板ボート、コイル、バスケット ●基板ホルダ:最大試料サイズΦ100 mm、傾斜可能±15° ●蒸発源―基板間:250 mm ●試料導入:手動 ●真空排気:手動、到達圧力5×10^-5 Pa以下 ●成膜:手動制御 基板シャッター開閉及びヒーター電力調整、水晶振動子膜厚モニタ付 |
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ナノプロセシング施設(NPF) | 触針式段差計 (成膜プロセス付帯装置) | 先端がダイヤモンドのスタイラス(触針)を用いて、測定物表面を一定の低針圧でなぞり、段差、表面粗さ、うねり等の測定を行う装置です。 主に膜厚測定、表面形状の評価に用います。 ・測定再現性:1σ≦8 Å ・膜厚測定範囲:400 μm ・走査距離:最大10 mm ・走査速度:毎秒2 ~ 200 μm ・サンプリングレート:毎秒50, 100, 200, 500, 1000ポイント ・測定レンジ:20, 400 μm ・針圧設定範囲:1 ~ 100 mg ・最大試料サイズ:158 mm × 158 mm, 重量:1 kg以下 |
計測 |
ナノプロセシング施設(NPF) | クロスセクションポリッシャ(ALD付帯) | 日立ハイテクノロジーズ社製 IM4000[断面ミリングオプション]型 イオンガン(アルゴンビーム照射)と高イオンビーム耐性マスク(金属板)を使用して、走査型電子顕微鏡(SEM)等による試料内部構造の観察や分析のための断面試料を作製することができます。劈開や研磨では加工が難しいような、硬度やミリングレートが異なる構成の複合 材料でも可能となります。また、専用治具へ交換することでフラットミリングを行うこともできます。 イオンガン:冷陰極ペニング型 使用ガス:アルゴン 加速電圧:1~6kV 放電電圧:1.5kV 断面ミリングレート:100~300?m/h (加速電圧6kV時) ※材料により異なる 断面ミリングの最大試料サイズ:20mm(W)×12mm(D)×7mm(H) スイング角度:OFF~±40° |
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ナノプロセシング施設(NPF) | 分光エリプソメータ | この装置は、半導体やガラス基板上に成膜した薄膜の膜厚及び組成の同時測定、多層膜の膜厚測定を目的とした装置です。 TFT多層膜、Low-k、High-k材料、低温P-Siなどの評価も可能です。 測定試料上に白色光源(Xeランプ)の照射を行い、各波長(190~830 nm)における反射光の偏光状態を計測し、その情報から位相差、反射振幅比角を計算します。 これらは光の波長・膜厚・物質の光学定数(屈折率、消衰係数)により異なった値を示します。 この演算結果と予想される膜構造、組成の理論モデルを対比させ、測定対象膜の膜厚、組成の算出を行います。 ・型式:UVISEL, M200-FUV-FGMS-HNSTSS ・最大サンプルサイズ:SEMI規格、150 mm径 ・サンプルステージ高さ調整:20 mm ・ストローク測定性能:膜厚、屈折率測定再現性 1 %以内(3σ標準偏差、標準サンプルを使用) ・目盛精度:保証範囲 ±1.0 %以内(約100 nmのNIST又はVLSIを使用) ・入射角度 75 ±0.5° ・ビームサイズビーム成形用のピンホール径:Φ1.0 mm (Φ100 μm, Φ50 μm) ・使用波長範囲:190~830 nm 原理(ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修) http://www.tsc-web.jp/map/pdf/EM_SE.pdf 株式会社堀場製作所の分光エリプソメータ解説ページ http://www.horiba.com/jp/semiconductor/products/product-lines/thin-film-analyzer/details/uvisel-spectroscopic-ellipsometer-from-vuv-to-nir-640/ |
計測 |
ナノプロセシング施設(NPF) | プラズマCVD薄膜堆積装置(SiN) | 本装置は液体ソースを用いたプラズマ化学気相成長装置であり、TEOS原料からSiO2を、SN-2原料(液体有機ケイ素化合物)からSi3N4を成膜することができます。RF電源はオートマッチングシステムで制御され、投入パワーは最大300[W]となっています。ステージ加熱機構は抵抗加熱方式となっており、最大350[℃]まで昇温が可能です。 型式 : PD-220NS 電極間隔 : 25mm (上部電極 : Al製、下部電極:SUS製) ステージ加熱機構 : 抵抗加熱方式 (MAX350[℃]) RF電源 : 13.56[MHz]水晶発振 (MAX300[W] ) 導入ガス : C2F6(MAX100sccm)、O2(MAX1000sccm)、TEOS(MAX20sccm)、He(MAX500sccm)、SN-2(MAX10sccm)、N2(MAX1000sccm) 噴出口 : 上部電極一体式シャワー状マニホールド 排気系 : ターボ分子ポンプ+ロータリーポンプ、メカニカルブースターポンプ+ドライポンプ オートプレッシャーコントローラー:コンダクタンス可変型 有効成膜範囲:φ220mm |
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ナノプロセシング施設(NPF) | イオンコーター (FIB付帯) | 走査電子顕微鏡観察において、導電性のない試料を観察する際の帯電障害(チャージアップ)を防止するために、Ptあるいはカーボンコーティングをするための装置です。 ・型式:E-1030 ・放電方式:ダイオード放電マグネトロン形(電場・磁場直交形) ・電極形状:対向平行円板(マグネット埋込み) ・電圧:電圧DC 0.4 kV(固定) ・電流:電流DC 0~35 mA(リミット回路付き) ・コーティングレート:最大 毎分6.5 nm (Pt) ・試料サイズ:最大直径:55 mm、最大高さ:20 mm |
成膜 |
ナノプロセシング施設(NPF) | スパッタ成膜装置(芝浦) | 高周波励起によりArプラズマを発生させて成膜材料へ衝突させることにより、基板へ均質緻密な膜をスパッタします。 ロードロック室付なので基板交換を効率良く迅速に行えます。 3種までの材料を逐次多重成膜することが出来ます(手動)。 強磁場を発生させる特別な磁石を組み込んだカソードも1台組み込んであり、強磁性材料に対しても高レートの成膜を可能としています。 真空システムと基板搬送は自動化してあり、操作パネル上で手軽に操作出来ます。 ・型式:CFS-4EP-LL ・スパッタ源:3インチマグネトロン×3式 ・スパッタ電源:高周波自動調整 最大出力500 W ・ロードロック室付・基板テーブル:回転機構付、逆スパッタ ・加熱可、Φ200 mm ・ターゲット-基板間:85 mm ・加熱温度:最大300 ℃ ・膜厚分布:±5%以内@膜厚2 ~3 k?、SiO2成膜時、Φ170 mm内 ・到達真空度:2×10-4 Pa ・反応ガス:Ar, O2, N2 ・成膜時ガス圧:0.2 ~1 Pa 芝浦メカトロニクスのスパッタ装置解説ページ http://www.shibaura.co.jp/products/vacuum/v_01.html |
成膜 |
ナノプロセシング施設(NPF) | 単波長エリプソメータ | 主に薄膜の膜厚や光学定数の測定に利用する装置です。サンプル表面に光を入射させ、その反射光の偏光状態を計測することにより膜厚や光学定数の算出を行います。代表的な利用方法はシリコンウエハ上に成膜したSiO2膜の膜厚測定で、非破壊・非接触で比較的簡便に膜厚(SiO2膜が透明で光吸収が無いと仮定した場合)を計測することが可能です。 ? 型式:DHA-XA2M ? 光源:He-Neレーザ(632.8nm)、LD830(830nm) ? ステージサイズ:4インチウエハ(直径100mm) ? 入射角度:55°~75° |
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ナノプロセシング施設(NPF) | 原子層堆積装置[FlexAL] | 本装置は原子層堆積法(Atomic Layer Deposition:ALD)を利用して原子層レベルで膜厚を制御して平坦で緻密な薄膜を形成する装置です。 CVD法やPLD法と比較してアスペクト比の高い構造物に均一な膜を成膜することが可能です。 ・型式 FlexAL ・基板ホルダー 2”,3”,4”,6”,8”Φ ウエハ □60 mm、□40 mm、□30 mm、 □20 mm、□15 mm、□10 mm の切り出しチップ 不定形基板(8”Φ以内) ・成膜可能材料及び原料 Al2O3、AlN(TMA:高純度トリメチルアルミニウム) HfO2、HfN(TEMAH:高純度テトラエチルメチルアミノハフニウム) Ru(高純度ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム) SiO2、SiON (TDMAS:高純度トリスジメチルアミノシラン) Ta2O5、Ta3N5、TaN(高純度t-ブチルイミノトリス(メイルエチルアミノ)タンタル) TiN(TDMAT:高純度テトラキスジメチルアミノチタン) TiO2(TTIP:高純度チタンテトライソプロポキシド) ZnO(DEZn:高純度ジエチル亜鉛) ・チャンバー到達真空度 2.0 x 10-5 Pa オックスフォード・インストゥルメンツ株式会社のFlexAL解説ページ オックスフォード・インストゥルメンツ株式会社のALD法解説ページ ALD法の解説ページ(ALD japan) |
金属薄膜、半導体薄膜、誘電体薄膜の成膜 |
ナノプロセシング施設(NPF) | ナノプローバ(N-6000SS) | ・プローブユニット ユニット数:6本(探針数) 微動範囲:5um(X,Y軸) 粗動範囲:5mm(X,Y軸) 駆動方式:ピエゾ素子使用 ・試料ステージ 試料サイズ:15mm×15mm、厚さ1mm以下 可動範囲:15mm×15mm以上 加熱・冷却機能付(ステージ温度:-40~150℃) ・電子光学系 電子銃:冷陰極電界放出型電子顕微鏡 加速電圧:0.5~5kV (※EBACモード:最大30kV) イメージシフト:±30um以上(1kV、WD=5mm) ・デバイスアナライザ 型式:B1500(Agilent製) モジュール:B1520A MFCMU [1KHz~5MHz CV機能] B1517A HRSMU [100mA/42V 電流/電圧出力、1fA/0.5uV電流/電圧測定分解能] ・付加機能 EBAC(Electron Beam Absorbed Current) 半導体デバイスの配線・電極やナノカーボン材料他の新材料に直接プローブを接触させ、それらの電気特性を評価するプローバです。 冷陰極電界放出型走査電子顕微鏡(FE-SEM)搭載のため、高倍率観察下でのプロービングが可能です。 またプローブユニットは6本対応となっており、様々な測定ニーズに合わせて使用出ます。 |
成膜 |
ナノプロセシング施設(NPF) | プラズマCVD装置 | 本装置は液体ソースを用いたプラズマ化学気相成長装置であり、テトラエトキシシラン(TEOS)を原料として酸化シリコン膜を成膜することができます。 RF電源はオートマッチングシステムで制御され、投入パワーは最大300 Wとなっています。 ステージ加熱機構は抵抗加熱方式となっており、最大400 ℃まで昇温が可能です。 ・電極間隔: 25 mm(上部電極:Al製、下部電極:SUS製) ・ステージ加熱機構:抵抗加熱方式(MAX400 ℃) ・RF電源: 13.56 MHz水晶発振(MAX300 W ソリッドステート方式) ・導入ガス: C2F6 (MAX100 sccm),O2 (MAX1000 sccm),TEOS (MAX30 sccm) ・ガス噴出口:上部電極一体式シャワー状マニホールド ・排気系: ロータリーポンプ+メカニカルブースターポンプ ・オートプレッシャーコントローラー: コンダクタンス可変型 ・有効成膜範囲: φ220 mm |
成膜 |
ナノプロセシング施設(NPF) | 電子ビーム真空蒸着装置 | 高真空中で金属や化合物などの成膜材料へ電子ビームを照射し、発生した蒸発物を基板上に付着堆積させることにより成膜します。成膜シ-クェンスを組むことにより、自動的8種までの材料の多層膜を作製することができます。高沸点材料や熱伝導率の高い材料では、ソースからの輻射熱が多くなり、条件によっては100 ℃を超えるため、非耐熱性基板では注意を要します。 ●蒸着方式:電子ビーム加熱蒸発、180°配向型、6 kW電子銃 ●蒸発源:8連装 ●クルーシブル容量:10 ml ●基板ホルダ:最大基板サイズ100 mm×100 mm×20 mm、傾斜ホルダ、冷却機構付(最低温度130 K) ●蒸発源―基板間:300 mm ●試料導入:ロードロック自動搬送 ●真空排気システム:到達圧力3×10^-6 Pa以下、オイルフリー、自動排気 ●成膜:水晶振動子膜厚モニタによる自動制御 ●膜厚分布:10 %以内@Φ75mm |
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ナノプロセシング施設(NPF) | RF-DCスパッタ堆積装置(芝浦) | 直流または高周波励起によりArプラズマを発生させ、ターゲット材へ衝突させることにより、 基板へ均質緻密な膜をスパッタします。カソードは3つあり、3種類までの材料を同一バッチで成膜することが出来ます。 ロードロック式なので基板交換を迅速に行えます。真空システムと基板搬送は自動化してあり、操作パネルで手軽に操作出来ます。 【NPF025】スパッタ成膜装置(芝浦)と同型ですが、排気ポンプ能力が大きく、短時間に高真空が実現できます。また操作が簡単な直流スパッタが利用できます。 基板加熱なし、常磁場カソードのみの装着です。 ●型式:CFS-4EP-LL、i-Miller ●スパッタ源 : 3インチマグネトロン×3式 ●スパッタ方式 : 直流スパッタ、高周波スパッタ ●基板テーブル : 回転機構付、逆スパッタ可能、Φ200 mm ●ターゲット-基板間距離 : 82 mm ●基板加熱 : なし ●膜厚分布 : ±5%以内@膜厚~600nm(SiO2、Φ170 mm) ●到達真空度 : 10-5 Pa台 ●スパッタガス : Ar、O2、N2 ●成膜時ガス圧(標準): 0.5Pa ●常備ターゲット : Au、Pt、Ti、Cr、Ta、W、Cu、Al、SiO2、TiN |
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MEMS研究開発拠点(MEMS) | 小口径スパッタ | 試料サイズ:4インチウェハ標準 バッチ式。マグネトロンスパッタによるウェハへの各種金属膜および酸化膜の形成 |
ドライプロセス装置 |
MEMS研究開発拠点(MEMS) | 4"酸化炉 | ウェハ寸法:4インチウェハ 機能:Siウェハへの熱酸化膜形成、バッチ式、横型チューブ仕様、ウェット酸化、ドライ酸化 酸化温度:最高1100℃ |
ドライプロセス装置 |
MEMS研究開発拠点(MEMS) | 4"スパッタ装置 | 試料サイズ: 4インチウェハ ロードロックチャンバ付きバッチ式。マグネトロンスパッタによるウェハへの各種金属膜形成 |
ドライプロセス装置 |
MEMS研究開発拠点(MEMS) | 電子ビーム/抵抗蒸着装置 | ウェハ寸法:8、12インチウェハ、機能:電子ビーム及び抵抗加熱方式真空蒸着、8インチ3枚バッチ、12インチ枚葉処理、成膜速度例:30-60nm/分 | 実装装置 |
MEMS研究開発拠点(MEMS) | Si酸化膜プラズマCVD装置 | 試料サイズ: 8,12インチウェハ TEOSプラズマCVDによるSi酸化膜低温形成、成膜温度:150-200℃ |
ドライプロセス装置 |
MEMS研究開発拠点(MEMS) | スパッタ | 試料サイズ: 8インチウェハ 3チャンバ構成マグネトロンスパッタによるウェハへの各種金属膜、絶縁膜形成、ターゲットへのDC/RF電圧選択印加可能 |
ドライプロセス装置 |
MEMS研究開発拠点(MEMS) | 酸化炉 | ウェハ寸法:8インチウェハ、機能:Siウェハへの熱酸化膜形成、25枚バッチのカセット・ツー・カセットウェハ搬送処理、縦型チューブ仕様、水素ガス燃焼による水蒸気利用ウェット酸化とドライ酸化、酸化温度:最高1150℃ | ドライプロセス装置 |
MEMS研究開発拠点(MEMS) | アニール炉 | ウェハ寸法:8インチウェハ、機能:Siウェハの雰囲気中アニール処理、25枚バッチのカセット・ツー・カセットウェハ搬送処理、縦型チューブ仕様、アニール温度:最高1150℃ | ドライプロセス装置 |
MEMS研究開発拠点(MEMS) | Si窒化膜減圧CVD装置 | ウェハ寸法:8インチウェハ、機能:減圧CVDによるSiウェハへの窒化膜形成、25枚バッチのカセット・ツー・カセットウェハ搬送処理、縦型チューブ仕様、内部応力制御成膜可能 | ドライプロセス装置 |
MEMS研究開発拠点(MEMS) | 膜厚測定器 | ウェハ寸法:8、12インチウェハ、機能:反射分光方式非接触膜厚測定、分光曲線フィッティングによる屈折率及び膜厚測定、測定エリア:8インチ径以内、測定膜厚:10nm-40μm、繰り返し精度:0.1% | 評価装置(前工程) |
MEMS研究開発拠点(MEMS) | ポリSi減圧CVD装置 | ウェハ寸法:8インチウェハ、機能:減圧CVDによるSiウェハへのリンドープ・ポリシリコン膜形成、25枚バッチのカセット・ツー・カセットウェハ搬送処理、縦型チューブ仕様 | ドライプロセス装置 |
MEMS研究開発拠点(MEMS) | 薄膜応力評価装置 | ウェハ寸法:8インチ以下、機能:レーザ光によるウェハ反り量の非接触計測、内部応力値への換算評価 | 評価装置(後工程) |
スーパークリーンルーム(SCR) | プラズマCVD装置 | 用途: プラズマ成膜装置(Cuライン) 特徴: Low-k、SiCN成膜 対応基板: φ300mmシリコン基板専用 装置番号: B03-07 |
成膜装置 |
スーパークリーンルーム(SCR) | プラズマCVD装置 | 用途: プラズマ成膜装置(Cuライン) 特徴: a-Si、TEOS、SiO2成膜 対応基板:φ300mmシリコン基板専用 装置番号: M03-06 |
成膜装置 |
スーパークリーンルーム(SCR) | プラズマCVD装置 | 用途: プラズマ成膜装置(Cuライン) 特徴: SiO2、SiN成膜 対応基板: φ300mmシリコン基板専用 装置番号: B03-06 |
成膜装置 |
スーパークリーンルーム(SCR) | プラズマCVD装置 | 用途: プラズマ成膜装置(メタルライン) 特徴: SiO2、SiN成膜 対応基板: φ300mmシリコン基板専用 装置番号: F03-103 |
成膜装置 |
スーパークリーンルーム(SCR) | 高密度プラズマCVD装置 | 用途: プラズマ成膜装置(HDP-CVD、Non-Metal、Metalライン) 特徴: バイアス印加による埋め込みSiO2成膜 対応基板: φ300mmシリコン基板専用 装置番号: M03-01 |
成膜装置 |
スーパークリーンルーム(SCR) | 高密度プラズマCVD装置 | 用途: プラズマ成膜装置(HDP-CVD、Cuライン) 特徴: バイアス印加による埋め込みSiO2、SiN成膜 対応基板: φ300mmシリコン基板専用 装置番号: P03-101 |
成膜装置 |
スーパークリーンルーム(SCR) | High-k ALD装置 | 用途: High-k(Al2O3、HfO2)成膜 特徴: 成膜方法は電子層堆積方式、酸化剤は水またはオゾン 対応基板: φ300mmシリコン基板専用 装置番号: M03-14 |
成膜装置 |
スーパークリーンルーム(SCR) | メタルCVD装置 | 用途: W ビア形成 特徴: 化学気相成長法により有機金属を原料にして金属薄膜を堆積、凹凸のあるパターン面に対して、Wなどの均一な膜厚の金属膜を形成可能 対応基板: φ300mmシリコン基板専用 装置番号: M06-04 |
成膜装置 |
スーパークリーンルーム(SCR) | 窒化膜LP-CVD装置 | 用途: SiN成膜 特徴: 化学気相成長法によりシリコン窒化膜を堆積する装置 対応基板: φ300mmシリコン基板専用 装置番号: F03-07 |
成膜装置 |
スーパークリーンルーム(SCR) | 酸化膜LP-CVD(TEOS)装置 | 用途: TEOS SiO2成膜 特徴: 化学気相成長法により、TEOS(テトラエトキシシラン)を原料にしてシリコン酸化膜などを堆積する装置 対応基板: φ300mmシリコン基板専用 装置番号: M03-03 |
成膜装置 |
スーパークリーンルーム(SCR) | Doped-Si LP-CVD装置 | 用途: a-Si、poly-Si、doped poly-Si成膜 特徴: プロセスガスの切替えにより、Bドープ、Pドープ、ノンドープのSi成膜が可能 対応基板: φ300mmシリコン基板専用 装置番号: P03-103 |
成膜装置 |
スーパークリーンルーム(SCR) | プラズマCVD装置 | 用途: プラズマ成膜(Cuライン) 特徴: a-Si、SiO2、SiON、SiN成膜 対応基板: φ300mmシリコン基板専用 装置番号: U03-101B |
成膜装置 |
スーパークリーンルーム(SCR) | バリアシードスパッタ装置 | 用途: バリア層、シード層形成 特徴: Cuめっき配線層のためのバリア層(Ta, TaN)、シード層(Cu)成膜に利用 対応基板: φ300mmシリコン基板専用 装置番号: B06-101 |
成膜装置 |
スーパークリーンルーム(SCR) | 新材料スパッタ装置 | 用途: スパッタ成膜 特徴: 各種メタル、あるいは化合物のスパッタが可能、DC、RFいずれも可能 対応基板: φ300mmシリコン基板専用 装置番号: F06-101 |
成膜装置 |
スーパークリーンルーム(SCR) | メタルスパッタ装置 | 用途: スパッタ成膜 特徴: DCスパッタリング法によりメタルターゲットを原料にメタル薄膜を堆積 対応基板: φ300mmシリコン基板専用 装置番号: M06-03 |
成膜装置 |
スーパークリーンルーム(SCR) | メタルスパッタ装置 | 用途: スパッタ成膜 特徴: DCスパッタリング法によりメタルターゲットを原料にメタル薄膜を堆積、RFも一部可能 対応基板: φ300mmシリコン基板専用 装置番号: M06-07 |
成膜装置 |
スーパークリーンルーム(SCR) | Cuメッキ装置 | 用途: Cuダマシンプロセス 特徴: Cu配線のため、バリア/シード層形成後に電解めっきを行う 対応基板: φ300mmシリコン基板専用 装置番号: B06-102 |
成膜装置 |
スーパークリーンルーム(SCR) | 縦型酸化炉 | 用途: 熱酸化膜成膜 特徴: 一般的な熱酸化膜成膜用 対応基板: φ300mmシリコン基板専用 装置番号: M04-101 |
熱処理装置 |
スーパークリーンルーム(SCR) | バッチ式洗浄装置 | 用途: 拡散前洗浄、パーティクル除去、成膜前洗浄 特徴: バッチ式洗浄(SPM、SC-1) 対応基板: φ300mmシリコン基板専用 装置番号: M07-15 |
洗浄装置 |
スーパークリーンルーム(SCR) | プラズマCVD装置 | 用途: プラズマ成膜、SA-CVD(カバレッジ)(Cuライン) 特徴: SA-TEOS、PE-TEOS成膜 対応基板: φ300mmシリコン基板専用 装置番号: U03-101A |
3D実装装置(中間工程) |
材料分析ステーション(MAS) | 飛行時間型二次イオン質量分析装置 | ・Biクラスターイオンビーム ・空間分解能:低質量分析時:<100 nm,高質量分析時:<1.0 μm ・質料分解能:低質料分子イオン(SiH+等):>11,000,高質量分子イオン(>200 Da):>15,000 ・ 深さ方向分析用スパッタビーム:Biイオン、Csイオン、Arイオン及びO2イオンを選択可能 ・ 2D分析,3D分析可能 ・トランスファーベッセル |
・固体試料の最表面に存在する成分原子・分子分析 |
電子顕微鏡解析ステーション | ターボ式真空蒸着装置(TEM試料作製装置群) | ・全自動真空蒸着装置 | ・TEM試料作製 ・多種金属蒸 |
電子顕微鏡解析ステーション | オスミウムコーター(1)(TEM試料作製装置群) | ・蒸着方式: 2極DCグロー放電スパッタ ・ターゲット: オスミウム |
・TEM試料作製 |
電子顕微鏡解析ステーション | カーボンコーター | ・蒸着方式: 抵抗加熱 ・ターゲット: カーボン |
・TEM試料作製 |
電子顕微鏡解析ステーション | 白金コーター | ・蒸着方式: マグネトロン ・ターゲット: 白金 |
・TEM試料作製 |
電子顕微鏡解析ステーション | 精密コーティングシステム | ・加速電圧: 1~10 kV ・使用ガス: アルゴン ・蒸着方式: イオンビームスパッタ ・ターゲット: カーボン、クロム、プラチナ、金パラジウム |
・TEM試料作製 |
電子顕微鏡解析ステーション | マルチコーター(セラミックス試料作製装置群) | ・蒸着 ・イオンスパッタ ・親水処理 |
・カーボン蒸着 ・金属スパッタ |
ナノテクノロジー融合ステーション (千現ファウンドリ)(NFP) | 6連自動蒸着装置 | 蒸着方式:電子銃型 ターゲット:Ti, Au, Al, Ni, Pt, 他 到達真空度:10-4Pa台 TS間距離:500mm 試料サイズ:最大φ8インチ その他:ロードロック式自動蒸着、水冷式資料ステージ |
リフトオフ向け金属薄膜形成 |
ナノテクノロジー融合ステーション (千現ファウンドリ)(NFP) | 多機能型原子層堆積装置 | 成膜方式:Thermal ALD, Plasma ALD 原料:TMA, TDMAT, BDEAS, 他 酸化膜:H2O, O3, O2 窒化膜:N2, NH3 試料サイズ:最大φ8インチ その他:ロードロック式 |
絶縁膜・パッシベーション膜形成 |
ナノテクノロジー融合ステーション (千現ファウンドリ)(NFP) | イオンスパッタ | ・成膜材料:白金、カーボン ・試料サイズ:最大φ60mm |
・SEM,FIB-SEMの前処理 |
ナノテクノロジー融合ステーション (千現ファウンドリ)(NFP) | 多元スパッタ装置(i-miller) | ・スパッタ方式:サイドスパッタ方式(DC,RF,同時スパッタ,逆スパッタ) | ・微細加工(成膜) |
ナノテクノロジー融合ステーション (千現ファウンドリ)(NFP) | プラズマCVD装置 | ・プラズマ方式 平行平板型 ・電源出力 30-300W ・原料 TEOS ・成膜温度 400度以下 ・試料サイズ 最大φ8インチ |
・微細加工(成膜) ・高品質SiO2薄膜形成 |
ナノテクノロジー融合ステーション (千現ファウンドリ)(NFP) | 高圧ジェットリフトオフ装置 | ・レジスト膨潤 80℃ NMP溶液 ・レジスト剥離 高圧ジェットNMP溶液 ・リンス IPA, 純水 ・乾燥 スピン乾燥、22ブロー ・試料サイズ 最大φ6インチ |
・微細加工(成膜) ・リフトオフ、レジスト剥離 |
ナノテクノロジー融合ステーション (千現ファウンドリ)(NFP) | 12連電子銃型蒸着装置 | ・蒸着方式 電子銃型×1式 ・到達真空度 1.0e-5 Pa ・TS間距離 500mm ・試料サイズ 最大φ6インチ ・その他 水冷式試料ステージ |
・微細加工(成膜) ・リフトオフ向け金属薄膜形成 |
ナノテクノロジー融合ステーション (千現ファウンドリ)(NFP) | 全自動スパッタ装置 | ・スパッタ方式 DC/RFマグネトロンスパッタ,反応性/2元同時/逆スパッタ可能 ・電源出力 最大500W ・カソード φ4インチ×4式 ・プロセスガス Ar,O2,22 ・試料サイズ 最大φ6インチ:試料ステージ水冷/加熱可 (最大300度) |
・微細加工(成膜) ・金属・絶縁薄膜形成 |
ナノテクノロジー融合ステーション (並木ファウンドリ) | 多連電子ビーム蒸着装置 | ・蒸発源:材料ハース10個 ・T-S距離:700mm ・基板サイズ:最大φ6インチ |
・微細加工(成膜) |
ナノテクノロジー融合ステーション (並木ファウンドリ) | スパッタ 1号機 | ・電源:DC×2、RF×1 ・基板サイズ:最大6inchφ ・プロセスガス:Ar、O2、22 ・基板加熱:設定300℃ ・逆スパッタ可 |
・微細加工(成膜) |
ナノテクノロジー融合ステーション (並木ファウンドリ) | スパッタ 2号機 | ・電源:DC×2、RF×1 ・基板サイズ:最大6inchφ ・プロセスガス:Ar、O2、22 ・基板加熱:設定300℃ ・逆スパッタ可 |
・微細加工(成膜) |
ナノテクノロジー融合ステーション (並木ファウンドリ) | 原子層堆積装置(2) | ・原料ソース:3源 ・基板サイズ:最大6inchφ ・基板温度:室温~300℃ |
・微細加工(成膜) |
ナノテクノロジー融合ステーション (ナノバイオ)(NIMS-ARIM材料評価分野) | レーザー回折式粒度分布測定装置(ナノ材料分析装置群) | ・測定範囲 0.03μm~1000μm ・光源 半導体レーザ(波長680nm) ・その他 湿式測定、乾式測定、高濃度サンプル測定など多様な測定対象と幅広い測定目的に対応。 |
・材料計測 |
オープンファシリティー推進機構(UTOF) | MALDI型質量分析装置 | MALDI-TOFMS は,MALDI[Matrix Assisted Laser Desorption Ionization]とTOFMS[Time of Flight Mass Spectrometry]を組み合わせたマトリックス支援レーザー脱離イオン化-飛行時間型質量分析計であり、イオン化しにくい成分(難揮発性,難溶解性物質)等の質量を測る手法である。特に生体高分子(タンパク質や糖質)等をソフトな条件でイオン化し正確な質量測定を可能とする。 MALDIは,分析試料とマトリックス(レーザー光を吸収する化合物)を混合した後、紫外レーザー光[Nd:YAG laser ;349 nm]を照射すると試料はイオン化され、高真空(10-8torr)中で一定距離を飛行する時間を測定して質量を算出する. TOF-MSの測定モードには,イオンを直線的に飛行させる「リニア(Linear)モード」と直線的に飛行させた後に静電界ミラーを用いて反転(反射)させる「リフレクター(Reflector)モード」がある.AB SCIEX TOF/TOF 5800システムの特徴は、○Positive and negative ion detection;[正(+)イオン&負(-)イオン;検出]○1000-Hz high speed laser;超高速イオン化を実現.○直行レーザー照射機構により①Reflector mode [Mw;≒400~≒5,000Da];高分解能・高精度MS測定と、②Linear mode[Mw;≒3,000~≒200,000Da];分解能・質量精度に劣るが数万~数十万Daまで質量測定を可能とし、Reflector modeで③MS/MS 測定を可能とする。設置年月日2010.04.23 | 電磁気分析装置 |
タンデム静電加速器施設(UTTAC) | 加速器質量分析(Accelerator Mass Spectrometry : AMS) | 試料をスパッタしてイオン化・加速し、磁場によって質量数ごとに分離することで、試料構成原子の同位体比を測定します。 極微量放射性核種の同位体比測定に威力を発揮します。 主な対象核種: 10Be, 14C, 26Al, 36CI,41Ca, 129I 同位体比検出下限:10^-15 |
・年代測定・微量核種トレーサー研究・地球環境研究・環境動態調査・産業応用研究・創薬研究・生体・食品検査・中性子換算線量の算出 |
マテリアル先端リサーチインフラ事業(UTARIM) | (ARIM)スパッタリング装置 CFS-4EP-LL | ロードロックを備えたサイドスパッタ方式の自動成膜装置。 基板テーブル:φ220 mm 加熱温度:室温~300℃ ターゲット:φ3インチGUN x 4基、用意できる材料はAu, Ag, Cr, Al, Ti, Pt, SiO2 (強磁性体材料用GUN1基含む) 逆スパッタ可 使用ガス:Ar, O2, N2ガス",設置場所" |
LSIプロセス装置 |
マテリアル先端リサーチインフラ事業(UTARIM) | (ARIM)電子線蒸着装置 EB-350T | 高真空中で、電子ビームにより加熱蒸発させ、一定の温度に保持した基板上に堆積させて薄膜を形成する装置。 蒸着室、ロードロック室の2室で構成され、蒸発面に対して基板が±90°回転でき、傾斜蒸着が可能。 到達圧力:1 x 10-6 Pa以下 試料サイズ:MAXΦ 5",設置場所" |
LSIプロセス装置 |
フォトンファクトリー(PF) | 表面化学研究用真空紫外軟X線分光装置(BL-13A, BL-13B) | 放射光エネルギー:30 ? 1600 eV 光電子分光装置(SES-200,Scienta)、試料作製用超高真空装置、有機試料蒸着用超高真空装置、試料加熱冷却面内回転トランスファー機構を常設 装置の詳細に関しましては次のリンク先をご参照ください。 BL-13A/B 表面化学研究用真空紫外軟X線分光ステーション |
角度分解紫外光電子分光、高分解能内殻光電子分光、高分解能軟X線吸収分光を中心とした表面化学の研究 |
武田先端知スーパークリーンルーム | 4インチ高真空EB蒸着装置 | 型式番号:NSPII 東大拠点で独自設計・自作した蒸着装置で、いわゆる抵抗加熱蒸着と電子線(EB)加熱蒸着との両方がが可能です。 主な材料はAu,Cr,Alです。 |
成膜・膜堆積 |
武田先端知スーパークリーンルーム | 川崎ブランチスパッタリング装置 | 型式番号:CFS-4EP-LL芝浦メカトロニクス(株) ターゲット材をアルゴンプラズマによってスパッタリングし、基板に製膜するスパッタリング装置です。 ターゲット材は日々変動するので都度相談ください。 φ200以下のシリコン、ガラス専用。 |
成膜・膜堆積 |
武田先端知スーパークリーンルーム | 川崎ブランチECRスパッタリング装置 | 型式番号:EIS-230W(株)エリオニクス ターゲット材をアルゴンプラズマによってスパッタリングし、基板に製膜するスパッタリング装置です。 109と比較して高周波の高密度プラズマを用いているところが違いです。 ターゲット材は日々変動するので都度相談ください。 φ100以下の基板用 |
成膜・膜堆積 |
武田先端知スーパークリーンルーム | 8インチ汎用スパッタ装置 | ULVAC SIH-450装置。 4インチウエーハ8枚、8インチウエーハ2枚導入可能。 6インチターゲット2枚、4インチターゲット1枚が可能。RFとDCスパッタリングが可能。 Al,SiO2,TiN,Taターゲットがあります。その他のターゲット導入も相談に乗ります(在庫がない場合注文から導入まで数ヶ月かかることもありますので相談はお早めに。) |
成膜・膜堆積 |
武田先端知スーパークリーンルーム | 高密度汎用スパッタリング装置 | 芝浦 CFS-4ES 汎用高密度 ターゲット超豊富です サンプルサイズ: 8inch ターゲットサイズ: 3inch ターゲット種類 : Ag, Al, Au, Cr, Cu, Ni, Ta, Ti, Pd ※, Pt, Zn, Al-Nd, AuGeNi, AuZnNi, TbFeCo, TiO2, Al2O3, GaN, SiO2, Si3N4, ITO, IZO, ZAO, ZnO |
成膜・膜堆積 |
武田先端知スーパークリーンルーム | 電子線顕微鏡観察用コーター | PECS スパッタによりカーボン膜など観察用の薄膜を堆積できます |
成膜・膜堆積 |
武田先端知スーパークリーンルーム | 集積回路パターン微細加工(FIB)装置 | FEI V400ACE LSI配線を効率的に修正するための装置です。DCG P2Xを置き換えました。 ガスを利用した金属配線カット、絶縁膜堆積、金属配線堆積が可能。 大規模集積回路(VLSI)の配線修正を最も得意とする装置です。 それ以外の利用は東大拠点では微細構造解析で公開しているXvision 200TBの利用がお勧めです。(案内します) |
膜加工・エッチング |
武田先端知スーパークリーンルーム | 超高真空蒸着装置(ベルジャー) | 自作。抵抗加熱のみ。φ4inchまで可能 | 成膜・膜堆積 |
武田先端知スーパークリーンルーム | 金メッキ装置 | 山本鍍金試験器製。欠片~4”までの金電解メッキ | 成膜・膜堆積 |
武田先端知スーパークリーンルーム | 銅メッキ装置 | 山本鍍金試験器製。欠片~4”までの金電解メッキ | 成膜・膜堆積 |
武田先端知スーパークリーンルーム | 超臨界銅成膜装置 | 自作2㎝角まで。東京大学霜垣・百瀬研究室との協力による。 | 成膜・膜堆積 |
武田先端知スーパークリーンルーム | パリレンコーター | 米国SCS社製 PDS2010 8インチまでの成膜が可能。 | 成膜・膜堆積 |
武田先端知スーパークリーンルーム | ニッケルめっき装置 | 山本鍍金試験器製。欠片~4”までのニッケル電解メッキ | 成膜・膜堆積 |
武田先端知スーパークリーンルーム | LL式高密度汎用スパッタリング装置 | 芝浦 CFS-4EP-LL i-Miller 真空引きが速く、通常10分程度でスパッタリング開始が可能。 また、膜質の安定も期待できる。ターゲットはCFS-4ESと共通。 デフォルトはPt/Au/Cr/Tiを装着。それ以外のターゲットは支援員の技術補助で交換を行う。 |
成膜・膜堆積 |
武田先端知スーパークリーンルーム | 8元電子線蒸着装置 | 8つの電子線蒸着元を有しており、異なる金属の多層膜の形成も可能。 | 成膜・膜堆積 |
マイクロシステム融合研究開発センター(μSIC) | SPPテクノロジーズ TEOS PECVD | TEOS SiO2、SiN、基板サイズ 小片~8インチ、最高温度 350℃、低応力SiN成膜 | CVD |
マイクロシステム融合研究開発センター(μSIC) | ECRロングスロースパッタ | 小片~6インチ、ターゲット数 2、ターゲット‐ステージ間距離 150mm、コリメータ付、エッチング可 | スパッタ、ドライエッチング |
マイクロシステム融合研究開発センター(μSIC) | LPCVD(SiN) | SiN | CVD |
マイクロシステム融合研究開発センター(μSIC) | LPCVD(Poly-Si) | Poly-Si | CVD |
マイクロシステム融合研究開発センター(μSIC) | LPCVD(SiO2) | SiO2(NSG)、SiON | CVD |
マイクロシステム融合研究開発センター(μSIC) | 熱CVD | Epipoly-Si(non-doped, doped)、Poly-Si(non-doped, doped)、最高温度:1100℃ | CVD |
マイクロシステム融合研究開発センター(μSIC) | 住友精密PECVD | SiN、SiO2、最高温度:350℃、低応力SiN成膜 | CVD |
マイクロシステム融合研究開発センター(μSIC) | W-CVD | タングステン成膜 | CVD |
マイクロシステム融合研究開発センター(μSIC) | アネルバスパッタ装置 | 1バッチ9枚(4インチ)、8インチターゲット×3 | スパッタ |
マイクロシステム融合研究開発センター(μSIC) | 芝浦スパッタ装置 | 基板ステージφ200mm、3インチターゲット×3、基板加熱形(最高300℃) | スパッタ |
マイクロシステム融合研究開発センター(μSIC) | 電子ビーム蒸着装置 | 主に金属薄膜の蒸着 | 蒸着 |
マイクロシステム融合研究開発センター(μSIC) | ゾルゲル自動成膜装置 | PZT成膜 | ゾルゲル成膜 |
マイクロシステム融合研究開発センター(μSIC) | MOCVD | PZT成膜等 | CVD |
マイクロシステム融合研究開発センター(μSIC) | JPEL PECVD | SiN、SiO2、バッチ式:4インチ×13枚、6インチ×8枚 | CVD |
マイクロシステム融合研究開発センター(μSIC) | 住友精密TEOS PECVD | TEOS SiO2、SiN、最高温度:350℃、低応力SiN成膜 | CVD |
マイクロシステム融合研究開発センター(μSIC) | 自動搬送 芝浦スパッタ装置 | 基板ステージφ220mm、3インチターゲット×4、基板加熱形(最高300℃)、ロードロック付、自動搬送 | スパッタ |
マイクロシステム融合研究開発センター(μSIC) | 多元材料原子層堆積(ALD)装置 | アルミナ等のALDが可能。6インチウェハまでの導入が可能。アルミナ、Pt以外は、要原料 | ALD |
マイクロシステム融合研究開発センター(μSIC) | 酸素加圧RTA付高温スパッタ装置 | 金属用(DC)スパッタチャンバ、酸化物用(RF)スパッタチャンバ、酸素加圧アニールチャンバの3つのチャンバで構成。最高基板温度は700℃。主にPZT下地成膜、PZT成膜用。 | スパッタ、熱処理 |
マイクロシステム融合研究開発センター(μSIC) | アネルバマルチスパッタ | 1バッチ最大6枚搭載可能(回転機構付)、6インチターゲット×3(DC×2、RF×1:同時放電可能)、基板加熱形(最高650℃)、強磁性体対応、ロードロック付、クライオポンプ | スパッタ |