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分類【ビーム加工】 装置一覧(16件)
施設名 | 装置名称/手法 | 仕様 | 用途 |
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超伝導量子回路試作施設(Qufab) | シート抵抗測定装置 | 型式:国際電気アルファ(日立国際電気) VR-120S ・測定可能ウェハーサイズ:76.2-300mm ・ 0.95秒/1点、1分/49点の高速処理 ・浅いイオン注入層、薄い金属膜他の高精度測定 ・内蔵式ノッチ/オリフラ探知機による高位置精度(オプション) ・シート抵抗分布が一目で分かるインテリジェントマッピング ・ Windowsライクな画面で操作性が飛躍的に向上 ・ トレンドチャートなど統計的データ解析機能充実(オプション) |
ウェハー上の膜の抵抗の面内分布を測定するために使用する。 |
ナノプロセシング施設(NPF) | イオンコーター(SEM付帯) | 集束イオンビーム加工観察において、熱伝導性のない試料の昇華や融解による形状変形 及び熱改質の防止、試料の表面へのイオン注入による汚染(orイオンビーム入射による表面改質)の防止、電気伝導性のない試料の加工や観察への帯電障害(チャージアップ)を防止するため、Ptコーティングを行う装置です。 ●放電方式:ダイオード放電マグネトロン形(電場・磁場直交形) ●電極形状:対向平行円板(マグネット埋込み) ●電圧:最高電圧DC 0.4 kV ●電流:最大電流DC 40 mA ●コーティングレート: Pt 毎分15 nm以上 (参考値) ●試料サイズ:最大直径:60 mm、最大高さ:20 mm |
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スーパークリーンルーム(SCR) | 高エネルギー中電流イオン注入装置 | 用途: 高エネルギー中電流のイオン注入 特徴: イオン種はP、BF2、Bなど 対応基板: φ300mmシリコン基板専用 装置番号: M05-03 |
イオン注入装置 |
スーパークリーンルーム(SCR) | 低エネルギー高電流イオン注入装置 | 用途: 低エネルギー高電流イオン注入 特徴: SCRでは注入エネルギーにより2台の装置を使い分けており、本機は50keV以下の低エネルギー条件で使用 対応基板: φ300mmシリコン基板専用 装置番号: F05-101 |
イオン注入装置 |
スーパークリーンルーム(SCR) | FIB装置 | 用途: デバイス断面評価用試料加工、観察 特徴: Ga+イオンビームによるSTEM観察試料の作成及び観察に利用される 対応基板: 小片基板 装置番号: B08-02-01 注意:プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
FIB加工/STEM |
スーパークリーンルーム(SCR) | 走査透過電子顕微鏡 | 用途: デバイス断面評価、元素分析等 特徴: FIBと併用して、試作したデバイスの断面観察や不良解析に利用される 対応基板: 小片基板 装置番号: AF08-402 注意:プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
FIB加工/STEM |
スーパークリーンルーム(SCR) | 走査透過電子顕微鏡 | 用途: デバイス断面評価、元素分析等 特徴: FIBと併用して、試作したデバイスの断面観察や不良解析に利用される 対応基板: 小片基板 装置番号: B08-02 注意:プロセス装置をご利用になられる方のみに利用提供している装置です |
FIB加工/STEM |
電子顕微鏡解析ステーション | FIB加工装置 | ・加速電圧:30kV ・分解能:8nm・バルクステージ装備 |
・TEM試料作製 |
電子顕微鏡解析ステーション | FIB加工装置 (分解能5nm) | ・加速電圧:30kV ・分解能:5nm |
・TEM試料作製 |
電子顕微鏡解析ステーション | FIB加工装置 | ・加速電圧:30kV ・分解能:6nm |
・TEM試料作製 |
蓄電池基盤プラットフォーム | FIB | メーカー名:JEOL 型式:JIB-4501 |
FIB加工およびSEM観察、SEM/TEM試料作製 |
蓄電池基盤プラットフォーム | FIB-SEM | メーカー名:Hitachi High-Tech Science 型式:SMF2000 |
FIB加工およびSEM/STEM観察、3D再構築,EDS測定,SEM/TEM試料作製 |
武田先端知スーパークリーンルーム | イナートガスオーブン | INH-9CD 窒素ガスを導入して、窒素雰囲気でプログラムした通りにベークできる電気炉。 600℃まで昇温可能。残留ガス濃度20ppm (カタログスペック) |
合成、熱処理、ドーピング |
武田先端知スーパークリーンルーム | 高速ランプアニール装置 | MS-HP2-9 φ3inchまで(条件によってφ4inchまで可能)。大気および窒素雰囲気。昇温速度200℃/minまで、到達温度1000℃まで可能。 |
合成、熱処理、ドーピング |
マイクロシステム融合研究開発センター(μSIC) | アニール炉 | イオン注入後のアニール | 熱処理 |
マイクロシステム融合研究開発センター(μSIC) | 中電流イオン注入装置 | 最大加速電圧:180keV、最大電流:0.6mA、注入可能元素:P、B、カセットtoカセット | イオン注入 |