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  ナノエレクトロニクス

ナノエレクトロニクスの領域では、スーパークリーンルーム(SCR)を拠点として、革新的ナノデバイスの研究開発、次世代の半導体微細加工・評価技術の開発およびフォトニクス・エレクトロニクスの融合研究など最先端の研究開発を行っています。 産業界、大学、研究機関から多数の研究者が集まって、デバイス、材料、装置開発という多様な研究開発プロジェクトに取り組んでおり、新たな技術や事業の創出に向けたオープンイノベーション拠点を形成しています。 さらに、ナノエレクトロニクスの共通基盤技術を幅広く提供するため高度技術者による各プロジェクトへの支援体制を充実させています。


スーパークリーンルーム(SCR)を有する最先端デバイス製造施設


広さ3,000m2のスーパークリーンルームは、300mm径ウエハ対応ナノデバイス製造装置群を整備し、多くの研究開発プロジェクトが拠点利用しています。LS(I 大規模集積回路)の消費電力を低減させることを目指したプロジェクトとして、低電圧CMOS回路に融合可能な不揮発メモリデバイス(スピントロニクス、原子移動型スイッチ、相変化デバイス)や、ナノカーボンによる低抵抗配線技術、3次元LSIの研究開発などがあります。 SCRの多数のプロセス装置や計測機器は、共用施設として外部からの一般利用に供されています。
SCR

超低消費電力デバイスの最先端研究拠点


低炭素社会に向け、LSI(大規模集積回路)の消費電力を低減させる多様な研究開発が行われています。0.4Vで動作する新構造CMOS(相補型金属酸化膜半導体)デバイス、抵抗変化で記憶する不揮発メモリとして、原子移動型スイッチ、磁性変化デバイス、相変化デバイス、また、ナノカーボンによる低抵抗配線技術などを開発しています。さらには、スピントロニクスLSI、3次元積層LSIの研究が推進されています。
原子移動型スイッチ

原子移動型スイッチ


3次元実装技術の研究開発拠点


IoT 社会の実現に向けて IoT デバイスの小型・低消費電力・高機能化を同時に実現するため、半導体デバイスの微細化に寄らないで集積化を目指した、シリコン貫通電極(TSV)による3次元実装技術の研究開発を行っています。
シリコン貫通電極(TSV)

シリコン貫通電極(TSV)


シリコンフォトニクスの重要拠点


次世代の超低消費電力情報処理・通信システムおよびエコシステムの構築を目指して、フォトニクスとエレクトロニクスを融合した革新的デバイス技術、高集積光スイッチ、高効率伝送技術などの研究プロジェクトに取り組んでいます。
32×32光スイッチ

32×32光スイッチ


次世代半導体製造技術の研究拠点


EUV(極端紫外線)等の次世代リソグラフィを用いた10nmパターニング技術に関する開発や、設備投資額1/1,000で1/2インチウェハと人サイズの製造装置を用いた超小型半導体製造システム「ミニマルファブ」の開発を進めています。CMOS単体デバイスの試作が可能な装置群を開発済みで、超短期製造が可能です。
ミニマルファブ

ミニマルファブ


TIAを活用するプロジェクト